共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
4.
已经证明高频砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)在微波频率下有非常低的噪声系数和高的功率增益。因此对通信和雷达应用的低噪声放大器和接收机来说它们是优秀的候选者。例如,在实验室已做出了在10千兆赫下噪声系数小于4分贝、增益超过10分贝的单级GaAsFET放大器(Liechti等人1972年,Baechtold等人1973年)。场效应晶体管的基本工作原理是由肖克莱(1952年)首先叙述的。他提出了以多数载流子流动为基础的作新型半导体放大器的器件,这种器件不像通常的晶体管那样以少数载流子为基础。肖克莱设想的场效应晶体管是一种包含一电流通路的半导体器件,这 相似文献
5.
6.
本文对实现高频晶体管低噪声化的技术在理论上进行若干探讨,其次叙述满足这些理论要求的技术对策和现在的技术进展程度,然后预测高频晶体管低噪声化的今后发展。高频晶体管的噪声系数在讨论电子器件的噪声时,最常采用噪声系数这个参数,当电气信号通过象晶体管放大器等处理电信号的器件时,噪声系数就是表征这一信号的信噪比劣化程度的参数,可表示如下: 相似文献
7.
选用电阻率高达1 000Ω·cm的硅衬底结构改善SiGe HBTs频率性能。介绍了器件的结构设计,根据衬底寄生参数模型分析了衬底阻抗影响器件高频性能的原理,计算出器件f_T和f_(max)随衬底电阻率变化的规律。测试结果表明,高电阻率衬底器件比n~+衬底器件的特征频率f_T提高了28%,而最高振荡频率f_(max)提高了47.7%;表明高电阻率衬底基本消除了SiGe HBT中大多数容性寄生网络;通过对器件的最小噪声系数的计算与测试分析,发现高阻Si衬底的引入使器件的噪声系数在低频时几乎不变,在高频时轻微增加。 相似文献
8.
9.
10.
设计制作了一款基于微组装工艺的小型化低噪声放大器(LNA)。该器件广泛选用裸管芯、芯片电容等微型器件,采用两级放大电路结构,使用AWR与HFSS电磁仿真软件进行设计、优化和仿真,运用键合金丝微波特性进行噪声系数调试,实现较好的低噪声微波特性。最终实现了在12.25GHz-12.75GHz 工作频段,增益大于20dB,噪声系数小于1.2dB的低噪声放大器,整体电路尺寸仅为12mm×10mm×7mm。 相似文献