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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
针对传感器的机械迟滞问题,提出一种减小迟滞偏移的方法,设计了低迟滞误差的电容式气压传感器。使用ANSYS和FLUENT软件模拟电容式传感器的工作性能,分析传感器的温漂特性、电容灵敏度及加热功率与通孔大小的匹配问题。分析结果表明传感器的电容温漂为0.029 fF/K,电容灵敏度为30 fF/hPa;加热空腔气体可以驱动空腔内气压增加20 hPa,超过传感器的迟滞误差范围,为低迟滞误差传感器的设计和结构优化提供了依据。  相似文献   

2.
张庆鑫  刘理天 《电子器件》1997,20(1):518-521
本文提出了一种新型的双桥结构压力传感器两个灵敏度不同的敏感电桥被制作于同一芯片上,通过双桥间的线补,可有效地消除压力传感器的零位和灵敏度温漂。文中给出了具体的算法及相应的实验结果2。  相似文献   

3.
针对油气井压力测试存在的温漂问题,进行模拟油井高温试验,得出油井压力测试存在温度漂移的结论。射孔完井在产生高压气体脉冲的同时会释放大量的热量,使得传感器的灵敏度存在很大的不确定性。为了准确地测出井下压力信号,结合井下环境和压阻传感器温度漂移现象,需要对井下压力测试进行温度补偿。根据大量的实验数据,采用软件补偿技术实现对测试的温漂补偿。  相似文献   

4.
利用GaAs衬底上的InAs薄膜制备的Hall器件,具有灵敏度高(在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是GaAsHall器件的1.5倍),不等位电压温漂小等优点.可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中,具有广阔的应用前景  相似文献   

5.
本文采用铷原子偏振光谱线作为鉴频线,使钛宝石激光器输出频率稳定在其上,有效地抑制了温漂造成的频率漂移。同饱和吸收谱的方法比较,具有灵敏度高、响应速度快,反馈电路简单实用等优点。  相似文献   

6.
本文从腔体尺寸角度出发,认为某一方向的尺寸随温度是线形变化的.推导出了腔体各个部件的温漂影响因子,该因子反映了腔体的某个部件对整个腔体的温漂影响的大小.用三维仿真软件HFSS和CST去计算部件温漂影响因子,所得结果基本一致.建立了抵消温漂的模型,由该模型出发合理设计腔体各部分材料,得出无温漂的腔体.用经过温补的腔体设计出了高温度稳定性的滤波器.  相似文献   

7.
针对测量设备中存在的温漂问题,本文提出了一种软件补偿算法,来降低温漂。文中详细介绍了补偿算法的原理。此算法已在实践中得到证明。能够较好地解决测温设备中的温漂问题。  相似文献   

8.
高精度集成运放低漂移性能的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文对以超β管为输入级的集成运放的温漂进行了较为详细的计算,认为在设计高精度底漂移集成运放时,除考虑输入级温漂外,还应考虑第二级温漂的影响。据此研制成功了高精度低漂移集成运放KD207,其开环电压增益A_(do)可达130dB以上;GMRR在120dB左右;输入失调电压温漂优值可达0.5μV/°C以下。  相似文献   

9.
本文介绍一种用硅材料制成的十字梁力传感器,它的各主要结构部分是通过微加工技术在同一硅片上得到的。具有灵敏度高、温漂小,成本低、一致性好等优点。本文对器件进行了结构分析、应力计算,得到了各结构参数对器件灵敏度的影响,并在理论分析的指导下制作了高灵敏度的力传感器样品,最高灵敏度可达340mV/10g,适用于小量程范围力的测量。器件还具有过载保护结构。  相似文献   

10.
温漂会影响催化甲烷传感器检测精度,为减小这种影响,提高传感器检测精度,本文在不同温度环境下进行甲烷传感器环境影响实验,并利用一种基于主成分分析的BP神经网络温度补偿模型对实验数据进行处理,补偿温漂对检测精度的影响,结果表明:本文提出的模型能提高甲烷传感器的稳定性和准确性,减少温漂的影响.  相似文献   

11.
谭士杰  刘凯  代波 《压电与声光》2019,41(3):445-447
介绍了压电式压力传感器由于受工作环境温度的影响,其零点和灵敏度常会发生漂移,因此,需对其进行补偿;讨论了一种基于最小二乘法的补偿算法,运用该算法对温度变化后的数据进行处理,使传感器的输出基本不随温度的变化而改变,从而使传感器的零点漂移和灵敏度漂移问题得到了很好地解决。结果表明,该算法能起到很好的补偿效果并广泛应用于工程实践中。  相似文献   

12.
提出并设计了一种基于液体腔结构的全光纤Fabry-Perot(F-P)传感器,对F-P传感器原理进行了研究。采用内径为0.3 mm的玻璃毛细管作为套管,将两根SMF-28单模光纤插入套管构成F-P结构,并通过在腔内填充液体进一步提高传感器的灵敏度。实验中,以空气及纯净水作为腔内介质,分别制备了光纤端面距离为119μm和123μm,反射谱周期以及条纹对比度分别为15.15 nm、14.13 nm和11.17 dBm、11.83 dBm。实验中对所制备的两种F-P传感器分别进行了温度特性的测试,在20℃的范围内,每间隔2℃对反射光谱进行采集。对于空气腔结构F-P传感器,随着温度逐渐升高,波长发生红移,特征波谷波长漂移量为2.39 nm,温度灵敏度为121 pm/℃,线性度为0.94,最大功率漂移为1.17 dBm;对于液体腔结构F-P传感器,随着温度逐渐升高,波长发生红移,特征波谷漂移量为5.31 nm,温度灵敏度为243 pm/℃,线性度为0.98,最大功率漂移量为4.07 dBm。  相似文献   

13.
利用激光作为离子迁移谱仪的电离源,研究了在大气压力下对物质二甲苯进行检测的方法,介绍了实验装置,讨论了不同条件下(进样流量不同、迁移管两端电压不同、温度不同)获得的离子信号强度,对离子迁移谱系统进行了进一步的优化,只要选择合适的电压、温度、迁移管长度、进样流量、激光脉冲能量,就可以得到较好的信号和很高的探测灵敏度。  相似文献   

14.
Numerical simulations are presented which show that, when an optical circuit for common-mode compensation and an electrooptic feedback network for measure and sensitivity enhancement are incorporated into any of four main types of interferometric fiber-optic sensors, measured sensitivity can be enhanced by at least an order of magnitude, while sensitivity to common-mode environmental perturbations (such as source wavelength drift or spatially uniform temperature variation) is drastically reduced  相似文献   

15.
Measurements are reported of the electrical characteristics and temperature dependence of threshold current of InGaAsP-InP d.h. lasers (? = 1.3 ?m). Analysis of the I dV/dI characteristics of these devices indicates that drift leakage of carriers from the active region is not responsible for the high temperature sensitivity of threshold in this material system.  相似文献   

16.
设计了一种由两个萨格纳克干涉仪(SI)级联组成的光纤温度传感器,并用实验证明了传感器在游标效应下的温度灵敏度放大特性。该传感器由两段不同长度的熊猫保偏光纤构成两个SI,然后两个SI旋转一个角度级联在一起组成一个温度传感装置,其中SI1用着温度传感,SI2用着参考。由于两个SI具有相近的自由光谱范围,级联时它们干涉谱叠加形成一个自由光谱范围很大的低频包络线。利用包络线漂移来考察温度变化,能够获得放大的灵敏度。实验结果显示级联后传感器的温度灵敏度为11.03 nm/℃,而单个SI1单独测量温度的灵敏度为-1.01 nm/℃。因此利用游标效应后,灵敏度增加了10.9倍,而且实验测量结果与理论计算结果基本吻合。  相似文献   

17.
We present a new type of Faraday-effect current sensor using a twisted single-mode fibre as the probe. The temperature drift is cancelled by a `double-twist? configuration, and the sensitivity to vibrations and bends is drastically reduced by use of polarisation-maintaining fibres as the input and output connecting leads.  相似文献   

18.
推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。  相似文献   

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