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相似文献
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1.
Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8~10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96%,且m≈1.1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移.  相似文献   

2.
成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟SiGe衬底的应力,使其应变弛豫.X射线双晶衍射和原子力显微镜测试表明:虚拟SiGe衬底的应变弛豫度为85%,表面平均粗糙度仅为1.02nm.在室温下,应变Si pMOSFETs的最大迁移率达到140cm2/(V·s).器件性能略优于采用几微米厚虚拟SiGe衬底的器件.  相似文献   

3.
与Si 工艺兼容的Si/ SiGe/ Si HBT 研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
廖小平 《电子器件》2001,24(4):274-278
我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。  相似文献   

4.
砟传钺  刘安生 《光电子.激光》1995,6(6):321-323,333
新型微电子和光电子材料──SiGe/Si异质结构材料的发展夏传钺(国家自然科学基金委员会,信息科学部100083)刘安生,郑有斗(北京有色金属研究总院100088)(南京大学物理系210008)近半个世纪半导体的发展表明,硅材料所制备的器件和以硅大规...  相似文献   

5.
通过x射线双晶衍射图形了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系。  相似文献   

6.
采用紧束缚方法对生长在SI(001)衬底上的GexSi1-x合金形变层的电子能带结构进行了计算,并与GexSi1-x合金的能带结构进行了比较。计算结果表明,对大部分合金组分x,形变层的导带底片在△轴上;当x≥0。9后,导带底处在L点。形变层直接能隙Eg及间接能隙Eg和Eg都比同组分x的合金小,其下降量随组分x的增大而增大。形变层的价带顶自旋-轨道分裂值△so也比相同组分的合金大,其增大值也随合金组  相似文献   

7.
8.
不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理,研究了其在低温下的光致发光(PL)特性.发现存在一个最佳退火温度范围,使得PL谱的发光得到改善.随着退火温度的继续提高,PL谱线发生兰移,发光强度下降.认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致.辅助的缺陷显微观察证实了我们的结论  相似文献   

9.
叙述了SiGe/Si异质结双极晶体管的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法。  相似文献   

10.
Si中Ge量子点的光致发光   总被引:2,自引:1,他引:2  
生长温度500℃下,在Si(001)衬底上分子束外延自组织生长锗量子点.700℃退火20分钟后观察到其光致发光.原子力显微镜(AFM)和横截面试样透镜(XTEM)方法用于观察鼻子点的大小和密度.利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之间的互扩散.  相似文献   

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