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成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟SiGe衬底的应力,使其应变弛豫.X射线双晶衍射和原子力显微镜测试表明:虚拟SiGe衬底的应变弛豫度为85%,表面平均粗糙度仅为1.02nm.在室温下,应变Si pMOSFETs的最大迁移率达到140cm2/(V·s).器件性能略优于采用几微米厚虚拟SiGe衬底的器件. 相似文献
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我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献
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新型微电子和光电子材料──SiGe/Si异质结构材料的发展夏传钺(国家自然科学基金委员会,信息科学部100083)刘安生,郑有斗(北京有色金属研究总院100088)(南京大学物理系210008)近半个世纪半导体的发展表明,硅材料所制备的器件和以硅大规... 相似文献
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采用紧束缚方法对生长在SI(001)衬底上的GexSi1-x合金形变层的电子能带结构进行了计算,并与GexSi1-x合金的能带结构进行了比较。计算结果表明,对大部分合金组分x,形变层的导带底片在△轴上;当x≥0。9后,导带底处在L点。形变层直接能隙Eg及间接能隙Eg和Eg都比同组分x的合金小,其下降量随组分x的增大而增大。形变层的价带顶自旋-轨道分裂值△so也比相同组分的合金大,其增大值也随合金组 相似文献
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