高饱和度蓝色磷光有机发光器件

使用典型天蓝色磷光材料FIrpic作为磷光金属微腔有机发光器件（OLED）的发光层,以高反射的Al膜作为阴极顶电极和半透明的Al膜作为阳极底电极,采用空穴和电子注入层MoO3和LiF,制备了结构glass／Al（15nm）／MoO3（znm）／NPD（40nm）／mCP：Flrpic（30Ftm,7％）／BCP（20n...     

BCP的厚度对OLED性能的影响

设计了一种有机电致发光器件（OLED）结构：ITO／NPB（50nm）／BCP（x）／Alq3（50mm）／LiF（0．5mm）／Al（120nm）。在实验中改变BCP的厚度,调整电子和空穴的注入平衡,控制发光层（EML）。研究发现：当BCP的厚度为0nm时,器件为典型的双层OLED结构,光谱为绿色的Alq3特征光谱;当厚度为8nm或8nm以上时,发光区完全基于NPB层,器件为蓝色发光;当厚度在1nm到8nm时,NPB层和Alq3层对发光都有贡献,EL谱线包括蓝光发射和绿光发射。BCP层起到了调节载流子复合区域和改变器件发光颜色的作用,因此控制BCP的厚度可以改善器件的性能。     

空穴传输层NPB中掺杂Alq3制备高性能的蓝光器件

研究了在空穴传输层NPB中掺杂Alq3制备高性能的蓝光有机电致发光器件（OLED）。采用传统的材料和结构，在空穴传输层NPB中掺杂Alq3，在掺杂浓度为3％时，OLED的色坐标为（0．17，0．19）、亮度为10770cd／m^2（在13V时）和最大效率为4．1cd／A。在同等条件下，Alq3掺杂降低了开启电压，在7V时亮度达到了118．8cd／m^2。研究分析表明，OLED性能的提高是由于NPB的HOMO能级比Alq3的HOMO能级高，掺杂剂Alq3对空穴有散射作用，阻挡了部分空穴的传输，降低了空穴的迁移率；而Alq3又是很好的电子传输材料，Alq3掺杂提高了空穴和电子在发光层中的注入平衡，有利于激子的形成，从而提高了器件的性能。     

调整空穴传输层厚度改善蓝光有机器件的性能

利用有机发光材料N，N’-bis-（1-naphthyt）N，N’-diphenyl-1，1’-biphenyl-4，4＇-diamine（NPB）作为空穴传输层。4,4-dis（2，2’diphenytvinyl）-1，1’-biphenyl（DPVBi）作为发光层，aluminium-tris-8-hydroxy—quinoline（Alq3）作为电子传输层。采用ITO／NPB／DPVBi／Alq3／LiF／Al基本结构，研究了NPB厚度对蓝光有机器件（OLED）的亮度和效率的影响。在DPVBi、Alq3、LiF和Al分别保持在20、30、0．5和100nm不变。而NPB在40、50…和150nm内进行变化，在NPB小于130nm而大于40nm内，亮度随厚度的增加而增加，最大亮度达到6891cd／m^2，对应的效率是1．64cd／A，而色（CIE）坐标的变化范围较小，获得了性能较好的蓝光OLED。     

热交链NPD二聚体空穴注入层对PLED性能的改善

基于在PEDOT层上旋涂可热交链的NPD二聚体（VB-NPD）做空穴注入层实现高效率的聚合物发光二极管（PLED）,采用的器件结构为ITO／PEDOT（40nm）／VB-NPD／PFBT5（40nm）／TPBI（20nm）／CsF（1nm）／Al（i00rim）。通过调节VB-NPD层的厚度发现,当VB-NPD层的厚为...     

具有NPB:DPVBi掺杂层的有机白光器件的研究

制作了结构为ITO／NPB（50nm）／NPB；DPVBi（10：1，30nm）／Alqs（20nm）／LiF（1nm）／Al的有机白光器件。由于掺杂层NPB：DPVBi的引入，电子及空穴容易被DPVBi及NPB俘获，提高激子的复合，进一步提高监光的发光能力。发光区从Alq3的发光峰逐渐变为DPVBi的发光和NPB发光增强，从而发光峰值发生变化。该器件的最大亮度和效率分别为22V时4721cd／m^2和5V时0．80cd／A。     

利用BCP空穴阻挡层改善白光OLED色度的研究

分别将具有空穴传输特性的蓝光材料pNPB和具有电子传输特性的蓝绿光材料Zn（BTZ）2作为2层发光层，将荧光染料rubrene掺入β-NPB中，在发光层间引入5nm具有空穴阻挡作用的BCP层，制备了一种ITO／PVK：β-NPB：rubrene／BCP／Zn（BTZ）。／Mg：Ag/Ag结构白色有机电致发光器件（OLED）。该器件在5V电压下起亮；18V电压下亮度和色坐标分别为1600cd／m^2和（0．31，0．33），最大外量子效率为0．21％。其色度比不含或含较厚BCP层（〉5nm）的器件均有了很大的改善，并从能带结构和空穴阻挡层厚度2方面探讨了色度改善的原因。     

NPB层嵌入MgF_2超薄层对OLED性能的影响

将MgF2超薄层嵌入有机电致发光器件(OLED)的空穴传输层NPB中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列OLED。测试结果表明,合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件的发光效率。MgF2厚度为0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未嵌入MgF2器件降低2V;MgF2厚度为1.0nm的器件最大电流效率达到3.93cd/A,最大光功率效率达到1.58lm/W,较未嵌入MgF2器件分别提高95%和110%。     

MoO3修饰氧化石墨烯作为空穴注入层影响研究

研究了MoO₃修饰氧化石墨烯(GO)作为空穴注入层的影响。采用旋涂的方法制备了GO, 再真空蒸镀修饰层MoO₃,得到了空穴注入能力强和透过率高的复合薄膜。MoO₃的厚分 别采用0、3、5和8nm。通过优化MoO₃的厚度发现,当MoO₃的厚为5nm时,复合薄膜 的透过率达到最大值,在 550nm的光波长下透光率为88%,且此时采用 复合薄膜作为空穴注入层制备的结构为 ITO/GO/MoO₃(5nm)/NPB(40nm)/Alq₃(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的有机电致发光器件(OLED)性能 最佳。通过对OLED进一步的优化,改变Alq₃的厚度,分别取50、60和70nm,测量其电压 、电流、亮度、色坐标和电致发光(EL)光谱等参数发现,当Alq₃的厚为50nm时器件性能最 佳。最终制备了结构为ITO/GO/MoO₃(5nm)/NPB(50nm)/Alq₃(50nm)/LiF(1nm)/Al(100 nm)的OLED,在电压为10V时,最大电流效率达到5.87cd/A,与GO单独作为空穴注入层制备的器件相比,提高了50%。     

MgF2缓冲层对蓝光OLED性能的影响

为了提高蓝光有机电致发光器件(OLED)的发光性能,将MgF2缓冲层插入ITO阳极与空穴传输层NPB之间,通过优化MgF2的厚度,制备了结构为ITO/MgF2(x nm)/NPB(50nm)/DPVBi:DSA-ph(30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.6nm)/Al(100nm)的高性能蓝光器件。实验结果表明,MgF2厚为1.0nm时,器件性能最佳,对应的器件最大电流效率达到5.51cd/A,最大亮度为23 290cd/m2(10.5V),与没有MgF2缓冲层的标准器件相比,分别提高47.3%和25.2%。对ITO表面的功函数测量结果表明,MgF2缓冲层可以有效修饰ITO表面,降低ITO与NPB之间的势垒高度差,改善空穴的注入效率,从而导致电子和空穴的注入更加平衡,激发机制更高效,实现了高性能的蓝光发射,为实现高效而稳定的全彩显示和白光照明奠定了基础。     

光输出增强型微腔OLED器件研究

文章利用特制的玻璃作为OLED基板,一面为平整光滑的平面,另一面为具有规则凹凸形貌的粗化面。采用光输出增强型微腔OLED结构,器件结构为:玻璃基板(光面)/Al(15nm)/MoO3(40nm)/NPB(30nm)/Alq3(30nm):C545T(3%)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(150nm),研究了器件的电流密度、亮度、发光效率、光致发光光谱等特性。结果表明,这种结构的器件相比于传统微腔型器件,相同电压下亮度约增加了40%,发光效率约提高了15%,具有更强的光萃取能力。     

利用有机覆盖层提高OLED出光效率

将Alq作为覆盖层真空蒸镀到玻璃基板后制作底发射有机电致发光器件(OLED),所制备的器件结构为:Glass/Alq(xnm)/Al(15nm)/MoO3(30nm)/NPB(60nm)/Alq(65nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。通过研究器件光辐射特性曲线,可以看出覆盖层厚度的变化引起光的干涉效应的变化是导致电致发光变化的原因,广角干涉和多光束干涉之间的相互作用可以通过覆盖层的厚度来调节,并且半透明的Al膜做阳极,将覆盖层蒸镀到阳极之外玻璃基板上,半透明的铝膜和覆盖层与阴极组成微腔器件,通过改变覆盖层的厚度调节微腔的腔长,使OLED电致发光光谱的中心波长发生红移。     

MoO3作空穴注入层的绿光有机电致发光器件制备及其性能研究

用真空热蒸镀的方法制备了绿光有机电致发光器件,并对其工艺流程进行了详细的描述。器件结构为ITO/MoO3(xnm)/N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphthyl)-(1,18-biphenyl)-4,4-diamine(NPB)(40nm)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)(60nm)/LiF(1nm)/Al(150nm),其中x=0,5nm。实验中,对ITO基片进行氧等离子体表面处理,能够有效减小ITO表面的接触角。通过对器件的光电性能测试,研究了MoO3作空穴注入层对有机电致发光器件性能的影响。实验结果表明,空穴注入层MoO3的最高占据分子轨道(HOMO)能级较好的与ITO功函数匹配,降低了空穴注入势垒,提高了器件的发光亮度和效率。当外加电压小于10V时,器件的电流密度随外加电压的增加而增加,但变化不明显;当外加电压大于10V时,器件的电流密度明显增强,发光色度几乎不随驱动电压的改变而改变,色坐标稳定在(0.36,0.55)附近。     

利用石墨烯掺杂在NPB中的OLED性能研究

采用NPB掺杂石墨烯作为空穴传输层,制备有机电致发光器件(OLED),器件结构为ITO/NPB:Graphene(20wt.%)(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。将其与标准器件ITO/NPB(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)作性能比较,研究石墨烯对OLED性能的影响。结果表明,在NPB中掺杂石墨烯薄层的器件,在同等条件下性能最佳,当电流密度为90mA/cm2时器件电流效率达到最大值3.40cd/A,与标准器件最高效率相比增大1.49倍;亮度在15V时达到最大值10 070cd/m2,比标准器件最大亮度增大5.16倍。     

不同玻璃基板对蓝光OLED的影响

文章使用ADN：TBPe作为荧光金属微腔OLED的发光层,以高反射的Al膜作为阴极顶电极,以半透明的Al膜作为阳极底电极,在不同的玻璃基板上制备了结构为Glass/Al（15nm）/MoO3（60nm）/NPB（40nm）/AND：TBPe（30nm,3%）/Alq3（20nm）/LiF（1nm）/Al（140nm）的荧光金属微腔OLED,研究了在普通玻璃及粗化玻璃的粗糙面和平滑面上蒸镀器件时的光学及电学性能影响。实验结果表明,当蒸镀面为光面时,其器件效率及亮度都优于其它器件。     

无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极

采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜.将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560 cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52 cd/A(电压为14 V)的结果.为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(20 nm)/ITO(50 nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460 cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16 cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1 263 cd/m2(电压为19 V)、最大效率为0.26 cd/A(电压为16V).     

CBP超薄层对有机电致磷光器件效率的影响

在空穴传输层(HTL)和发光层(EML)间插入4,4-N,N′-二咔唑基联苯(CBP)超薄层,制备了结构为ITO/NPB/CBP(xnm)/CBP:Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al有机电致磷光器件。与未插入CBP超薄层的器件相比,CBP超薄层的引入可以有效阻挡Ir(ppy)3的三线态能量通过Dexter能量转移到HTL的NPB中,减少无辐射能量损失,提高了器件发光效率。调整CBP薄层的厚度,当x为3nm时,器件的效率提高幅度最大,从x为0nm时的9.0cd/A提高到16.9cd/A。     

基于混合配体Znq(DBM)的单色和白色OLED

以8-羟基喹啉(q)和1,3-二苯基-1,3-丙二酮定向合成了有机小分子配合物Znq(DBM),将其作为发光层制备了单色有机电致发光器件(OLED)。在结构为ITO/m-MTDATA(5nm)/NPB(40nm)/Znq(DBM)(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)的器件中,启亮电压为5V,最大亮度达到4 575cd/m2。同时又在器件中引入间隔层BCP,研究其不同厚度对OLED性能的影响。在结构为ITO/m-MTDATA(5nm)/NPB(40nm)/BCP(x nm)/Znq(DBM)(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)的器件中,当BCP层厚为0nm时,发光颜色为黄绿色;当BCP层厚为1nm时,发光颜色为白色,色坐标为(0.29,0.33),最大亮度为2 231cd/m2;当BCP层厚为5nm时,发光颜色为蓝色。根据器件结构和性能,讨论了其内部机理。