电场边缘效应对液晶光栅特性的影响

建立了液晶光栅与等效矩形光栅之间的理论模型,且计算了零级衍射效率和槽深h的理论数据。将实验数据与理论模型进行比较,得到了考虑电场边缘效应时的修正系数α和槽深h的修正计算公式,通过修正公式得出了槽深h和占空比修正值Δρ的图形,最后分析了电场边缘效应对液晶光栅衍射特性的影响。当电控液晶光栅ρ=0.5:光线正入射时进行实验测试,发现由于电场边缘效应,液晶光栅偶级衍射出现,并分析了随着电压的变化,边缘效应对液晶光栅衍射效率、相位差、占空比修正值Δρ及槽深h变化的影响。     

电容器陶瓷击穿问题的研究

对未经封装的电容器陶瓷图片的击穿强度Ｅ６进行了测量和分析，发现边缘效应是样品击穿的重要因素，讨论了产生边缘效应的原因及消除的可行性，对提高中高压电容器的耐压性能有参考价值。     

电容器盖板绝缘电阻的温度特性

从绝缘电阻的角度比较国产与进口电容器盖板的差异 ,指出国产盖板的不足之处。分析国产板材与进口板材的 lgρ- t曲线图 ,揭示出高温下盖板绝缘电阻的下降是阳极腐蚀的重要原因 ,建议生产厂家从材料纯度、粘结剂、橡胶配方、检测方法等几方面加以改进。     

晶界层电容器的C—V特性

本文从理论上解释了由半导体晶粒间的绝缘晶界以及晶界两侧的SI结和IS结势垒三者组成的晶界层电容,在低偏压下的C-V特性.指出了绝缘晶界和结势垒对C-V特性的不同影响,分析了高偏压下C-V和I-V特性相关性的物理本质.     

铝电解电容器内在电特性评价

对电解电容器的内在电特性进行了祥细评价,根据对用于不同场合的电解电容器的要求,指出该类电容器所应评价参数的侧重点。     

50V—1μF铝电解电容器漏电流行特性分析及工艺改进

５０Ｖ－１μＦ铝电解电容顺为小型铝电解电容器系列产品之一，使用于彩色电视机上。为满足电视机厂调试时流水线速度要求，开机后帧电路中使用的５０Ｖ－１μＦ漏电流值必须很小。据分析，电容器充电３秒后，漏电流值要小于３μＡ，才能满足使用要求。而按电容器现行技术标准及检测条件，很难达到这个要求。即使将检测合作的电容器经过严格筛选，如果经过长时间贮存，漏电流值也会随着贮存时间的延长而变大。为此，必须对其漏电流特     

平行板电容器内液体附加压力的探讨和研究

本文探讨和研究了平行板电容器内液体附加压力产生的起因和经过，推出了其内部液体附加压力的计算公式F=F0/εr，证明了公式的正确性，揭示了平行板电容器内部液体附加压力产生的本质。     

对架空电力线路中电场、磁场及辐射的探讨

随着电网建设的发展,架空线路不断增多,特别是由于规划部门对土地审批越来越严格,线路通道在很多地区已经成为影响电网建设的主要因素,因此,有必要对架空电力线路的电场、磁场和辐射进行探讨。     

低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究

介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工艺进行对比,充分体现了HDPCVD(ICPCVD)工艺生长介质的低温生长、低漏电、较高击穿场强、无H工艺等优点。随后的失效分析表明,电容上下电极金属对电容成品率有着很大影响。     

铁电负电容场效应晶体管器件的研究

铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matlab软件对负电容场效应晶体管的器件特性进行了研究分析,获得了亚阈值摆幅为33.917 6 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构,探究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度及不同铁电材料对负电容场效应晶体管亚阈值摆幅的影响。     

基于分级边缘方位场匹配的人脸特征定位

针对大范围姿态角度问题,提出了一种分级边缘方位场匹配(HEOFM)的人脸特征定位算法.提出了结构Hausdoff距离作为边缘方位场匹配的测度;在此基础上,先根据人脸图像的整体边缘方位场匹配(GEOFM)进行了姿态预估计,得到特征的粗略定位;然后根据特征边缘方位场匹配(FEOFM)在局部区搜索,实现特征的精确定位.实验结果表明:针对小姿态角度人脸图像,与一般的特征检测算法相比,该算法所需训练样本个数较少而定位精度相当;针对中、大姿态角度人脸图像,该算法具有良好的特征定位性能.     

用"额定电量"法计算串联电容器组的耐压值

电容器的电容量和耐压值是电容器的2个主要指标,在实践中常采用串联电容器的方式来获得较高的额定工作电压(耐压值),因此常需要计算串联电容器的耐压值。引入“额定电量”的概念,通过计算电容器额定电量的最小值,得出串联电容器组的耐压值等于最小额定电量与其额定电压的乘积除以电容器组的电容量的结论。     

微型电场传感器在工频电场测量中的应用研究

该文基于高性能的MEMS电场敏感芯片研制出一种新型的工频电场测量系统。针对芯片调制被测电场后其输出信号的特征,采用正交相关检测原理提出一种可抑制背景干扰噪声的工频电场解调算法,设计出小型化、空间分辨力高的工频电场测量探头,并在基础上提出MEMS工频电场测量系统的系统级设计方案,成功实现了MEMS电场敏感芯片输出信号的无线采集、滤波、以及电场信号的高精度解调。高压输电线路下工频电场测量结果表明,MEMS工频电场测量系统与传统电场测量仪的测量结果具有良好的一致性。     

场致发射尖端电场分布及其模拟误差研究

场致发射器件中,发射电流密度的大小和阴极表面场强呈指数关系,较为精确地计算尖端附近场强对精确计算发射电流是至关重要的。本文主要研究了不同网格划分对模拟结果产生的影响,对比了解析解和模拟结果,分析了网格细化过程中产生的误差;讨论了尖端半径、发射体高度、锥尖距离对球形顶圆锥模型尖端场强的影响。研究表明,随着网格尺寸的减小．模拟精度可以得到提高;但是当网格尺寸减小到某一数值后,误差值反而增大。最小网格尺寸约为尖端半径的1．5％时模拟结果最佳。     

基于静电平行板驱动器的MEMS变形镜特性分析

静电平行板驱动器是基于静电驱动的MEMS变形镜的关键部件,其静态及动态性能对MEMS变形镜有重要影响.设计并利用表面硅工艺加工制作了三种基于不同弹性系数的静电平行板驱动器的MEMS变形镜,分别采用解析公式和有限元仿真方法分析了弹性系数对变形镜的三项性能参数即行程、吸合电压和固有频率的影响,并利用白光表面轮廓仪进行实验测试,验证了理论和仿真结果的有效性.实验结果表明三种变形镜中半圆环梁驱动器变形镜具有适中的吸合电压和较大的行程,最适合于自适应光学系统的应用需求.     

500kV变电站工频电场的测量分析

本文采用从德国Narda公司引进的电场测量仪器EFA-300对500kV济南变电站内的工频电场进行了全面的现场测量,并用MS Excel对数据作处理,从而可以直观的了解到该变电站内工频电场的分布情况。这些结果对变电站内的工频电场干扰及其防护研究具有重要的理论意义和实用价值,并对于今后工频电场的研究提供可靠的数据支持。