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随着无线通信设备的小型化发展,薄膜体声波谐振器(FBAR)已成为国内外研究热点.该文综述了FBAR滤波器的拓扑结构、工作原理和仿真模型,并选择梯形滤波器方案,通过ADS射频仿真软件建立起MBVD一维等效电路模型模拟其传输特性.按照全球定位系统(GPS)滤波器设计要求,设计了频带为1 530~1 590 MHz的窄带滤波器.仿真表明,增加串、并联谐振器阶数可有效提高带外抑制,而减少其面积比在进一步增加带外抑制的同时,减少了插损和器件整体面积.设计所得滤波器带宽60 MHz,带外抑制50 dB,插损3 dB. 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2016,(6)
介绍了一款基于LTCC的改进型超宽带带通滤波器。此款滤波器是在3阶并联短截线型带通滤波器基础上改进而来,由耦合连接线、并联短截线、单端短路并联耦合线三种基本单元组成。其中,引入耦合连接线有效地提高了带内性能与边带陡峭度,运用并联单端短路耦合线的零点性质,在上下边带分别增加了两个传输零点,大大提高了带外抑制。最终的滤波器带宽3.1~10.6GHz,通带插损小于1.5dB,驻波比优于1.5,带外衰减>30dB(0~2.4GHz、11.8~15.0GHz),尺寸仅为5.0mm×3.6mm×1.5mm。 相似文献
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通过在带状线交指滤波器的输入端并联一个λ/4开路谐振器,构成了一种改进型的交指带通滤波器。该滤波器在阻带特定频率处产生传输零点,且该零点位置可任意选择,较大地改善了滤波器带外的抑制。结合ADS仿真软件设计了一个C波段带传输零点的带状线交指滤波器,仿真结果表明,该方法可行有效,适合于工程应用。 相似文献
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为了使用最小的电感改善体声波(BAW)梯型滤波器的带外抑制,提出了一种BAW梯型滤波器带外抑制调节电感的优化方法,该方法对电感值进行了两次连续优化。首先分析了电感改善BAW梯型滤波器带外抑制的原理、结合单个薄膜体声波谐振器(FBAR)的静态电容公式并推导并联FBAR支路串联一个电感的输入阻抗表达式,得到在FBAR谐振区面积较大的并联支路,比在其他支路串联电感,对滤波器带外抑制的改善程度较大、电感值较小,该步确定了电感的最佳位置,随之确定的电感值较小;在此基础上,通过使上述卓越的带外抑制性能退化到带外抑制指标附近,电感值进一步减小。通过以上两次连续优化,能迅速确定一个最小的电感值及所在位置。结合一个31/2阶BAW梯型滤波器,验证了该优化方法的有效性。 相似文献
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文章提出了一种独立可调双频带通滤波器.该滤波器主要由一对加载变容二极管的并联耦合短路线、一对加载变容二极管的λ/2开路谐振器和公共输入输出部分组成.变容二极管和并联耦合短路线并联构成一个谐振器,产生第一通带.λ/2开路谐振器加载变容二极管,产生第二通带.通过改变加载在变容二极管上的偏置电压来改变变容二极管的电容值,使谐振器的谐振频率发生偏移,从而调节滤波器工作频率.结果表明,第一通带和第二通带的中心频率变化范围分别为0.2~0.4GHz和1.2~1.42GHz,调节百分比分别为66.5%和15.4%.仿真与测试的结果吻合良好,证明该设计方法是有效的.该滤波器可应用到作弊防控系统中. 相似文献
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介绍了嵌入式并联λ8/4(λ8为波长)的开路支节的基本结构与特性.采用带状线,设计了一款中心频率为2.46 GHz、阻带宽度50 MHz、最大阻带衰减为60 dB的三阶嵌入式并联开路支节窄带带阻滤波器.与传统的并联开路支节带阻滤波器相比,嵌入式并联开路支节带阻滤波器的横向尺寸减小,结构紧凑.采用阶梯阻抗谐振器(SIR)结构,按相同指标设计了一款三阶嵌入式SIR窄带带阻滤波器.与嵌入式并联开路支节带阻滤波器相比,嵌入式SIR带阻滤波器结构更为紧凑,纵向尺寸缩小约17.5%,并具有更好的谐波抑制特性. 相似文献
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该研究利用耦合相消原理设计了一种吸收式可调带阻滤波器.在传统耦合相消结构的基础上,提出了一种新的结构,通过增加耦合结构的阶数以及增大耦合支路中谐振器的电长度,使得滤波器阻带特性的Q值增大,从而提高了滤波器的选择性.通过调节加载在谐振器上变容二极管的偏置电压,实现滤波器带阻中心频率可调.并对实测结果和仿真结果进行了探讨. 相似文献
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Anis Nurashikin Nordin Mona Zaghloul 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》2011,68(1):33-42
This work is a proof of concept that a monolithic CMOS surface acoustic wave (SAW) resonator can function as an RF oscillator.
The design of the oscillator includes the measurement characteristics of the CMOS SAW resonator, its matching networks, and
RF amplifier is described. The integrated SAW resonator, with its operating frequency controlled by the spacing of its transducers
was fabricated using a combination of CMOS plus post-CMOS processes. Based on the operation and performance of the SAW resonators,
an equivalent circuit model of the CMOS SAW resonator was developed. A series resonant oscillator design was simulated using
Microwave OfficeTM. The designed matching network improves both the insertion losses and the phase slope of the resonator, while the RF amplifier
provides sufficient gain to ensure oscillation. Measurements conducted on the RF-CMOS SAW oscillator demonstrated oscillation
at 600 MHz. 相似文献
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