复杂电子系统强电磁脉冲效应研究

随着大规模集成电路的发展,电子设备的结构越来越微型化、复杂化,复杂电子系统抗电磁脉冲容限不断降低,在强电磁脉冲的干扰下极易造成系统的性能降级、损伤甚至爆炸。针对强电磁脉冲的破坏作用,以高空核爆电磁脉冲(HEMP)为例,分析强电磁脉冲的特性和研究强电磁脉冲效应的数值计算方法,并基于时域有限差分法(FDTD)仿真分析了双层金属腔体在HEMP平面波作用下的孔缝耦合过程,得到了有利于指导腔体电磁防护设计的结论。     

差模定向注入等效替代强电磁脉冲辐射效应试验方法

针对电子信息装备强电磁脉冲辐射效应试验的技术需求,考虑到传统直接辐射效应试验方法费效比高、试验频点和辐射强度不便调节等缺点,提出了一种基于差模定向注入-线性外推原理的注入试验新方法.采用定向耦合器级联和强耦合设计方案,构建了具备干扰信号注入和前向信号监测功能的辅助试验设备,给出了基于频域传递函数法的等效注入波形获取方法,在此基础上总结归纳了差模定向注入等效替代强电磁脉冲辐射效应试验的方法步骤.以某型数据链收发组件为受试对象,分别开展了超宽带电磁脉冲和窄带高功率微波辐射与差模定向注入试验,试验结果验证了差模定向注入等效试验方法的有效性.     

舰船电子信息装备强电磁脉冲防护技术发展

外军高功率微波武器的发展,对舰船电子信息装备安全造成的威胁现实而迫切.研究分析了舰船电子信息装备强电磁脉冲防护需求、国内外强电磁脉冲防护研究现状,提出了舰船强电磁脉冲防护技术的研究重点与发展建议.     

强电磁脉冲对计算机电缆的注入毁伤效应研究

为研究强电磁脉冲对计算机系统电缆端口的毁伤效应,通过电磁脉冲耦合注入方式分别对未加装防护电路和加装防护电路的VGA视频端口进行电磁脉冲毁伤试验,详细记录了VGA视频端口的测试结果。通过试验数据表明,计算机电缆接口的毁伤阈值相对较低,而增加专用的电磁脉冲接口抑制电路后,计算机视频电缆接口的抗强电磁脉冲打击能力明显提高。     

强电磁脉冲的小孔耦合

本文对于理想导体构成的屏蔽腔体，在开有小孔或者隙缝的情况下，用ＦＤＴＤ方法计算了屏蔽体外的强电磁脉冲对体内的影响，得到屏蔽体内的电磁场分布情况。计算结果表明，屏蔽体外强电磁脉冲对体内的影响主要局限于小孔附近。此结果对电子设备在强电磁脉冲下的防护有重要意义。     

TS33：电压比较器

意法半导体推出用途广泛的电压比较器，在响应时间保持不变的前提下，额定工作电流较低（如LMV331）。     

舰船平台强电磁脉冲威胁与防护要求

强电磁脉冲对舰船平台的敏感电子信息系统、人员、武备、燃油等都会构成威胁,而且随着电子技术的发展,这种威胁产生的后果会越来越严重。文中分析了强电磁脉冲的种类和威胁程度,初步提出了强电磁脉冲对舰船平台的危害机理和相应的防护研究要求。     

GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE GaAs缓冲层的改进设计

简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利用低温分子束外延生长ＧａＡｓ作缓冲层的进一步改进设计。     

A/D转换器中的CMOS自稳零电压比较器的设计

本文介绍了一种CMOS自稳零电压比较器的设计。该比较器具有高精度,高灵敏度和较快的速度,其工艺条件及参数与数字电路兼容。文章通过电路设计特点说明其工作原理。对其中的差值电路的设计,特别是放大器的设计,作了具体分析。该比较器完全满足了CM0808八位A/D转换器的要求。     

高能微波电磁脉冲武器

介绍了高功率微波武器的特点，简要说明了高能微波电磁脉冲的形成过程。叙述了在现代战争中应用的领域，并谈及我国发展该武器的紧迫性。     

高功率超宽带电磁脉冲技术

高功率超宽带电磁脉冲源对许多应用 ,如冲击脉冲雷达、探测地雷、微波武器等是十分重要的。本文评述在快速高压开关和超宽带天线发展中的最新进展 ,讨论了未来这类超宽带源研究的技术挑战和发展前景     

一种高压低功耗比较器电路的设计

提出了一种高压低功耗比较器电路。该电路基于0.5 μm CMOS工艺设计,采用差分对单端输出结构,利用高压PMOS尾电流进行偏置,实现了降低功耗的目的。结果表明,该电路静态电流约为8.25 μA,工作电压范围为3～18 V,输入失调电压为5 mV,输入失调电流约6 fA,输入偏置电流约2.5 pA。该电路适用于低功耗、高压模拟模拟集成电路领域。     

大功率脉冲调制管的设计

叙述了脉冲调制器对调制管的要求,研究了阳栅之间空间电荷效应对调制管阳极特性的影响,提出了满足调制器要求的脉冲调制管的新的设计思想。     

低功耗高精度的电压比较器设计

设计了一款用于实现10位精度逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的电压比较器,该比较器采用高速高精度比较器结构并进行了优化,在高速度、低功耗锁存器的基础上加预放大级以提高比较精度,加RS触发器优化处理比较器的输出信号。同时,采用失调校准技术消除失调,预放大级采用共源共栅结构抑制回程噪声,最终获得了高精度和较低的功耗。仿真结果表明:在Chartered 0.35μm 2P4MCMOS工艺下,时钟频率5 MHz,电源电压3.3 V,分辨率达0.1 mV,平均功耗约为0.45 mW,芯片测试结果表明比较器满足了SAR ADC的要求。     

高性能LD阵列脉冲电源

本文主要论述了高性能半导体激光二极管阵列脉冲电源的电路设计和工作原理,同时,给出了最简单的电路模式和脉冲电源的性能指标。     

高功率微波脉冲对微带电路的影响

随着微波技术的不断发展,各种高功率微波武器相继产生,这些武器不但能起到电磁干扰的作用,而且还能够把电磁能量集中在很窄的脉冲内,直接摧毁电子设备.另一方面.近年来,微带电路以其体积小,重量轻,耗能少,可靠性高等优点在微波领域显示出强大的生命力,但是高度集成化的微波电路易受小量微波能量的影响.微波能量能够通过各种渠道耦合进入系统壳体,对电子器件产生破坏性的效应,使其失效或功能下降.利用FDTD方法分析了高功率脉冲照射下的微波集总元件电压变化的情况,并比较了在有无屏蔽盒保护作用下的影响结果,为下一步研究高功率微波脉冲对复杂微波电路的影响奠定了理论基础.