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相似文献
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1.
本文描述了使用共面微波探针的半导体芯片在片测试技术.设计研制出的多种微波探针性能参数稳定,使用寿命在十万次以上,用于在片检测各种GaAs共面集成电路芯片.触头排列为GSG的微波探针,-3dB带宽及反射损耗分别为14GHz和小于-10dB.  相似文献   

2.
黄先奎 《微波学报》2020,36(4):95-100
在片微波参数测量系统主要通过探针台建立微波仪器与半导体裸芯片之间的信号连接通道,从而测量半导体裸芯片的微波参数。在片微波参数测量系统对提升芯片的性能,控制质量,保证芯片的一致性和稳定性方面具有重要的意义。国外相关的计量技术与测量系统同步发展,我国由于半导体产业起步较晚,测试系统大多采用进口,相关计量测试技术在过去很长一段时间发展相对缓慢。最近10 年我国奋起直追,不断缩小与世界先进水平的差距,目前已经完成40 GHz 以内的主要在片微波参数测量系统计量能力。文中回顾了本领域的技术发展历程,介绍国内外技术发展特点,对于进一步发展相关计量技术具有指导意义。  相似文献   

3.
微波单片集成电路(MMIC)在片测试技术是应用于MMIC和高速集成电路研究、生产的新型测试技术。MMIC在片测试探头是MMIC在片测试系统的关键部件。本文研究并设计了介质基片共面波导(CPW)探头,测试并分析了探头性能。该探头在2-18GHz范围内插入损耗小于1.5dB,回波损耗大于16dB。  相似文献   

4.
共面微波探针是裸芯片测量信号输入/输出的重要媒介,通过与晶圆片物理接触,建立起测量系统与芯片之间 的信号连接通道。为了获得共面微波探针完整准确的S 参数,设计并实现了“两步法”测量方案,首先在同轴端口进行校准,然 后在探针尖端口进行第二步校准。通过与出厂数据进行对比分析,证明了方案的可行性,同时指出在片校准件预校准的重要 性。另外,讨论了氧化铝和砷化镓两种材料在片SOLT 校准件对于探针S 参数提取中的影响,实验显示二者相角偏差达到 39.8°,回波损耗呈现规则性的变化,全部测量数据的频段覆盖1~40 GHz,最终给出了优化的测量方案。  相似文献   

5.
侯广辉  温继敏  黄亨沛  王欣  刘宇  谢亮  祝宁华 《中国激光》2007,34(10):1427-1430
提出了一种精确测试电吸收调制激光器(EML)集成芯片高频特性的方法。待测芯片制作在带有微带线的热沉上,同时采用光探测器作为光电转换器,二者构成待测双口网络。被测双口网络的一端是共面线,使用微波探针作为测试夹具加载信号,另一端是同轴线,两个测试端口不同,不能采用简单的同轴校准方法校准待测系统。测试过程中采用扩展的开路-短路-负载(OSL)误差校准技术对集成器件的测试夹具微波探针进行校准,扣除了测试中使用的微波探针对集成光源高频特性的影响,同时采用光外差的方法扣除了高速光探测器的频率响应对结果的影响,得到集成光源散射参数的精确测试结果。  相似文献   

6.
从微波信号特性和微波器件晶圆级测试工艺要求出发,介绍了微波探针台的主要结构设计,并以某器件测试工艺为例,分别进行测试系统搭建、程序编写、数据读取与分析等描述,同时对该设备的特殊需求及后续发展方向进行展望。  相似文献   

7.
薄层电阻测试Mapping技术   总被引:6,自引:1,他引:5  
利用改进的范德堡法微区薄层电阻测试探针技术对n-Si片上的硼扩散图形进行薄层电阻的测量,并用发度表示其分布,可得到薄层电阻的不均匀度及平均值.这种所谓Mapping技术更有利于评价材料质量.  相似文献   

8.
介绍了将测试75 mm圆片的多探针自动测试台改造为测试100 mm圆片的多探针测试台。在原设备的基础上,重新设计加工X轴和Y轴的丝杆和导轨及承片台,控制由TP801单板机改为80C32单片机,数码管显示改为彩色液晶屏显示。改造后的探针测试台只需一次对片就能测完100 mm圆片,且控制稳定,功能更加完善,使用更为方便。  相似文献   

9.
在双极电路生产中,总希望在正片上较为准确地测定外延层的电阻率.一般说来,三探针测试适用于N/N~+、P/P~+型结构的外延层的电阻率的测试;四探针适用于N/P型结构的外延层的电阻率测试.双极电路所使用的外延片,在外延之前已作有局部埋层,这就不能完好地满足三、四探针的测试条件,如果用三、四探针测试这类外延片的电阻率,总会产生不同程度的误差.  相似文献   

10.
采用四探针与C-V两种测试仪器,对同一参数的外延片电阻率进行测试,测试结果表明,用四探测针试外延陪片和C-V测试处延片,测得的外延电阻率存在差异。分析造成差异的原因,得出了符合要求的校正系数。  相似文献   

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