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用于电路模拟的PIN雪崩光电二极管模型 总被引:2,自引:0,他引:2
针对PIN结构的特殊性,作了适当的合理近似,考虑了p,n区少子扩散,i区载流子漂移,给出一个完整的PIN雪崩光电二极管电路模型。该模型适于在开发OEIC电路模拟软件中采用,亦可加到现有电路模拟软件中。它可用于直流、交流、瞬态分析。该模型完全适用于PIN结构光电二极管。 相似文献
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本文给出一个新的PIN光电二极管的等效电路模型,该模型基于速率方程和微波端口特性并在TMS(TsinghuaMicrowaveSpice)中完成,可以进行线性、非线性信号分析和噪声分析。利用该模型对其非线性谐波特性进行了预测,模拟结果表明和文献数值求解结果基本一致,最后讨论了适用于金属-半导体-金属(MSM)光电二极管的修正模型. 相似文献
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PIN结构自扫描光电二极管列阵 总被引:2,自引:0,他引:2
从自扫描光电二极管列阵(SSPA)的工作原理出发,提出采用外延、离子注入、推阱的技术,研究一种新颖的高响应度的PIN结构的SSPA器件,详细的分析了工艺设计方案和实验方法,最后提供了样品的测试参数。 相似文献
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描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380~500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400~900nm光谱范围内达到70%~80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件. 相似文献
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紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管 总被引:2,自引:1,他引:2
描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380~500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400~900nm光谱范围内达到70%~80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件. 相似文献
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PIN结光电二极管的工艺原理和制造 总被引:3,自引:0,他引:3
PIN结构的二极管是一种特殊的电荷存储二极管,由于功耗小速度快等优点而被广泛应用.PIN结构的光电二极管是一种常用的光电探测器.本文阐述了PIN结构的光电二极管的器件特性和工艺制程,指出工艺过程中存在的问题. 相似文献
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随着现代工业的不断发展和人类物质文明的进步,人们对产品的需求越来越高了,不但要求产品具有完善的、科学的使用功能,同时还要求产品的造型设计形态应具有一定的审美性和宜人性。为了提高国产变频器品质和市场竞争力,现阶段和未来,国内变频器企业应把造型设计和创新的观念和原理融入企业的产品开发过程和实践中。设计的精髓是以人为本,在变频器的造型设计当中,应具有造型设计的特征和要素,遵循造型设计的原理、原则,这样才能使国产变频器在外观上更符合社会的需求和满足人们的心理需要,而不是建立在一味的模仿国外的设计上。创新是设计的灵魂,它将为变频器带来新的生命力,使之在激烈的市场竞争中取得优势。 相似文献
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InP/InGaAsP异质结双极晶体管发射极条长及基区宽度的选择 总被引:3,自引:1,他引:2
本文以Ebers-Moll模型为基础,对InP/InGaAsP异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析,研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数,讨论了在一定的工作电流下,发射极条长及基区宽度对器件高频小信号调制性能的影响,给出了优化选择发射极条长及基区宽度的近似方法。 相似文献
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模型检测作为一种形式化验证技术已成功应用于硬件以及协议的性质验证过程,目前正转向软件验证领域并逐渐扩展其应用范围。针对特定的森林防火专家系统的知识库规则,研究其所需满足的性质规范的形式化验证问题。首先将规则体描述为状态迁移图,通过引入转换函数对状态迁移图的变迁过程及状态性质进行了有效说明,然后将性质规范描述为相应的时序逻辑表达式,最后通过实例对模型检测过程进行了详细说明,本文的研究成果有效地说明了将模型检测应用于森林防火专家系统等林业信息系统的可行性与正确性。 相似文献