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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
高国龙 《红外》2006,27(3):43-43
美国洛克韦尔科学公司目前正在研制一种长波红外/中波红外白适应焦平面列阵,该列阵由一个双波段红外焦平面列阵和一个直接与之耦联的MEMS可调谐滤光片列阵组成。MEMS滤光片在长波红外可进行窄  相似文献   

2.
本文着重介绍HgCdTe、IrSi、Ce_xSi_(1-x)/p-Si和GaAs/AlGaAs多重量子阱长波红外焦平面阵列的现状及发展趋势。  相似文献   

3.
星载长波红外焦平面成像系统   总被引:5,自引:4,他引:5       下载免费PDF全文
随着国产红外焦平面技术的发展,使用长波红外焦平面器件采用推扫方式对地观测的成像系统成为现实。文中介绍的星载长波红外焦平面成像系统是一个工作波段在8.0~12.5μm之间的对地观测相机,该相机采用两条256×1的长波红外焦平面探测器,60 K的深低温斯特林制冷机和同轴两反RC主光学系统的技术方案,通过设置合理的探测器冷屏、并采用-26°C的低温光学系统以及高性能的信息获取和处理电路,系统获得了较好的温度灵敏度,利用该相机获取了外景长波红外图像,这是我国利用国产的红外焦平面器件获取的截止波长大于12.5μm的红外图像。  相似文献   

4.
Meigs  AD 顾聚兴 《红外》2001,296(1):14-21
Kestrel公司已设计出一种装在飞机上的双波段红外傅里叶变换超光谱成像器,目前正在制造这台仪器。预定安装在Cessna206上的这台成像器具有一个15度的视场,其瞬时视场为1.0毫弧度。该仪器使用512个光谱通道,在2000cm^-1至3000cm^-1范围内,其目标光分辨率优于1.5cm^-1,在850cm^-1至1250cm^-1范围内则优于0.4cm^-1。为达到这些前所未有的光谱分辨率,仪器将采用各种光谱增强技术。光学系统的计算机模拟已演示出亚波数分辨率和超过900的信噪比。  相似文献   

5.
孙志君 《半导体光电》1991,12(4):342-350
评述长波红外焦平面阵列技术的进展,介绍一种适合于发展长波红外焦平面阵列的新材料—InAsSb 应变层超晶格及其生长技术、发展背景、目前现状,生长这种材料用的分子束外延和有机金属化学汽相淀积工艺及其这种材料的发展前景。  相似文献   

6.
非致冷红外焦平面热成像技术的进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
近年来,非致冷红外在像技术的研究和开发一直是热成像领域最令人关注的焦点之一,其在军事及民用领域的应用受到国内外的高度重视。本文综述了非致冷红外焦平面热成像技术的4种技术途径应用,并简要地论述了我国非致冷红外焦平面热成像技术的现状和发展途径。  相似文献   

7.
中波红外与长波红外推扫成像性能分析   总被引:2,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
马文坡 《红外与激光工程》2014,43(12):3861-3865
基于长线阵中波红外和长波红外探测器的推扫成像技术,是实现高空间分辨率和高温度分辨率卫星对地观测的技术途径之一。随着长线阵红外探测器的发展,该技术受到高度关注,并已在一些领域得到应用。介绍了中波红外和长波红外谱段成像特点以及基于长线阵中波红外和长波红外探测器的卫星推扫成像技术发展现状。重点根据中波红外和长波红外谱段的波长、温度为300 K 目标的辐射强度以及光学系统和探测器参数,分析了它们的成像性能,包括调制传递函数(MTF)、地面像元分辨率(GSD)和噪声等效温差(NETD)。对于常温目标,在积分时间足够长的情况下,保持相同的MTF,中波红外比长波红外推扫成像可实现更高的空间分辨率和温度分辨率。结合分析结果,对充分发挥这两个谱段的成像性能提出了建议。  相似文献   

8.
红外焦平面热成像技术的发展   总被引:1,自引:0,他引:1  
彭焕良 《激光与红外》2006,36(Z1):776-780
文中介绍了国外焦平面热成像技术发展的概况,阐述了发展中需要考虑的一些问题及今后的发展趋势。  相似文献   

9.
红外焦平面热成像技术的发展   总被引:2,自引:0,他引:2  
文中介绍了国外焦平面热成像技术发展的概况,阐述了发展中需要考虑的一些问题及 今后的发展趋势。  相似文献   

10.
11.
一种3~5μm的红外焦平面凝视热象仪已研制成功。它采用32×64元PtSi肖特基势垒红外CCD焦平面探测器,数字化视频处理器进行固定图形噪声消除和响应率非均匀校正,输出与电视兼容的实时红外热图。本文详细描述了样机的设计原理,分析了系统的主要性能指标。结果表明这种凝视热成象系统具有较好的性能,结构简单,可靠性高和成本低。  相似文献   

12.
红外凝视成像几何扭曲效应建模和仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了增加红外凝视焦平面阵列系统成像仿真的置信度,对系统中的成像几何扭曲效应进行了产生机理分析,从二维图像像素角度出发,在空域通过寻求各阵列元对应像素点的径向畸变量建立成像扭曲模型,并利用反演解析的方法对畸变图像中的像素灰度值进行估算,实验仿真结果表明,几何扭曲效应的存在严重影响了系统的成像效果,几何扭曲效应的建模仿真对后续的系统性能评估和算法研究至关重要.  相似文献   

13.
非制冷红外热成像技术的发展与现状   总被引:30,自引:25,他引:30  
非制冷红外焦平面技术在过去的几年内飞速发展,非制冷焦平面由原来的小规模,发展到中、大规模320×240和640×480阵列,在未来的几年内有望获得超大规模的1024×1024非制冷焦平面阵列。像素尺寸也由50μm减小到25μm,提高了焦平面的灵敏度,使非制冷红外热成像系统在军事领域得到了成功应用,部分型号已经装备于部队,并受到好评。今后,随着焦平面阵列规模的不断增大、像素尺寸的进一步减小,非制冷热成像系统在军事领域的应用将越来越广泛,尤其在轻武器瞄具、驾驶员视力增强器、手持式便携热像仪等轻武器方面,非制冷热成像系统在近年内有望逐步取代价格高、可靠性差、体积大等笨重的制冷型热成像系统。  相似文献   

14.
介绍一种超低像素非制冷红外焦平面成像技术,该技术利用32×32或64×64红外焦平面阵列,在10~20米距离内,120°角的扇形立体空间范围内,对不同的动态发热源进行热成像处理,利用处理后的图像及占空比用于安防、汽车、空调、节能及物联网等领域,该技术打破了常规红外热成像仪的使用模式,大大降低了它的价格与体积,拓展了使用范围及产业化的领域。  相似文献   

15.
凝视型红外光电成像系统主要参数的实验室测评分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
综合阐述了凝视型红外光电成像系统实验室主要参数测评,并对最小可分辨温差MRTD、系统调制传递函数MTF和噪声等效温差NETD等参数的测试方法进行了陈述,给出了具体测试实验过程和实验结果,对影响测试结果的因素进行了分析.  相似文献   

16.
邓小丹  潘君骅  窦文斌 《电子学报》2003,31(Z1):2012-2014
本文研究平面波倾斜入射在小F数毫米波焦面阵成像系统上衍射斑像差减小即视场扩大问题.采用射线追迹方法计算不同透镜剖面成像系统焦面上的点列图,对商用介质材料透镜通过优化剖面形状来减小像差从而获得视场扩大的效果.采用结合射线追迹和衍射积分的矢量孔径场法计算了透镜焦面上的衍射场分布,与实验结果做了比较,两者吻合.  相似文献   

17.
走向新世纪的红外热成像技术   总被引:3,自引:0,他引:3  
红外成像技术在军事上有着重要的作用,已成为现代战争中多种武器的关键技术,因此国内外都非常重视红外成像技术的发展。半个世纪以来,红外成像技术作为现代高科技术,在侦察、监视、瞄准、射击指挥和制导等方面的应用要求越来越高,因此得到了惊人的发展,显示出了极为辉煌的前景。目前已经经历了一代、二代、三代,并且发展到了非致 冷焦平面阶段。本文以红外热成像技术的发展为基础,简要介绍了一代、二代、三代及非致冷焦平面热成像技术主要特点及其发展现状。  相似文献   

18.
介绍了一种MCT 1024红外扫描成像系统.该扫描成像系统采用国产1024元线列MCT(碲镉汞)焦平面列阵,自行研制的三反射透射式光学系统和一维等角度扫描方式,扫描效率超过88%,扫描半周期为5 s,每帧像素为1024×1600,该系统在野外获得了较为理想的红外图像.  相似文献   

19.
MCT1024红外焦平面阵列成像传感器   总被引:2,自引:0,他引:2  
文章介绍了一种成像传感器,该传感器采用国产1024元线列MCT焦平面列阵,自行研制的三反射透射式光学系统和一维等角度扫描方式,扫描效率超过88%,扫描半周期为5s,每帧像素为1024×1600,该系统在野外获得了较为理想的红外图像.  相似文献   

20.
A readout circuit for a 640 × 480 pixels FPA (focal plane array) has been successfully designed, fabricated and tested. The circuit solution is based on a per pixel source-follower direct injection (SFDI) pre-amplifier. Signal multiplexing is performed in both X and Y direction. The pixel size is 25 m × 25m. The chip is optimized for a QWIP (quantum well infrared photodetector) operating at a temperature of 70 K. The circuit has been realized in a standard 0.8 m CMOS process.  相似文献   

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