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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
1 显示材料末端氰基取代含氟二苯乙炔类液晶的合成与相变研究………………………………………(1-6)含有两种介晶基元的侧链聚硅氧烷类液晶的热性能………………………………………………(1—11)新型含氟偶氮苯类液晶的合成和相变研究……………………………………………………(2-104)对三氟甲氧基肉桂酸酯类液晶的合成与相变研究………………………………………………(2-114)有机电致发光材料用N,N,N’,N’-四苯基联苯二胺类化合物的制备…………………………(2—124)低电压驱动全息聚合物分散液晶…  相似文献   

2.
含胆甾烯基结构的手性二介晶结构液晶化合物   总被引:3,自引:1,他引:2  
二介晶结构液晶化合物是指分子中含有由柔性的间隔基连接2个同样的介晶结构单元(对称)或不同的介晶结构单元(不对称)的化合物。对称的二介晶结构化合物可作为高分子液晶研究的理想模型,而不对称的二介晶结构化合物,尤其是含胆甾烯基结构的二介晶结构液晶化合物由于胆甾烯基的手性呈现新型而独特的液晶相,并且其液晶行为随着连接2个介晶结构单元的间隔基的碳链长度和碳原子数的奇偶以及第二个液晶结构单元的种类有规律性的变化,引起了各国学者的关注。本文总结了含胆甾烯基结构的手性二介晶结构液晶化合物的液晶性质。  相似文献   

3.
为使广大读者更多地了解《液晶与显示》 ,现将 2 0 0 1年和 2 0 0 2年在本刊发表的主要论文题目刊出。您若想了解有关论文的详细内容 ,可到当地图书馆查阅 ,也可直接与本刊编辑部联系 ,我们将竭诚为您服务。联系方法与地址请见本刊封底。—编者—2 0 0 1 年 目 录MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED 1:1…………………………………………………………………………………末瑞氰基取代含氟二苯乙炔类液晶的合成与相变研究 1:6……………………………………………………………………含有两种介晶基元的侧链聚硅氧烷类液晶的热性能 1:…  相似文献   

4.
李颖 《液晶与显示》2016,31(2):142-148
选用环己烷类液晶基元反式-4-乙烯基-反式-4’-丙基双环己烷(MA)和反式-4-丁烯基-反式-4’-丙基双环己烷(MB),通过硅氢加成反应将其接枝到柔性的聚硅氧烷主链上,合成了含有2种环己烷结构的聚硅氧烷侧链液晶P_(AB),产率为80.3%。采用傅立叶变换红外光谱法(FTIR)和氢核磁共振谱法(~1H-NMR)对其分子结构进行表征,说明其分子结构符合预期;采用热台偏光显微镜法(POM)和X射线衍射法(XRD)对其液晶相类型和液晶行为进行观察和分析,发现在升降温过程中所呈现出胆甾相油状条纹织构和小板块织构,揭示出因有序度不同所导致的不同织构特征;采用差示扫描量热法(DSC)和综合热分析法(TGA)对其热性能进行分析,确定其液晶区间为28.68K,T_(d(5wt%))为405.25℃,均高于液晶基元的液晶区间和热稳定性。  相似文献   

5.
近晶A球粒织构聚硅氧烷侧链液晶的合成与液晶性能研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
以小分子蓝相小板块液晶(反,反)-4-丙基-4′-乙烯基双环己烷(3HHV)为液晶基元,通过与聚甲基氢硅氧烷进行硅氢加成反应,合成了一种新的聚硅氧烷侧链液晶,产率为78%。通过傅立叶变换红外光谱(FT-IR)和核磁共振谱(1 H-NMR)对单体和聚合物进行结构表征,证实了单体中双环己烷结构和双键的存在,说明了硅氢加成反应近于完全;通过热失重分析仪(TGA)分析了单体和聚合物的耐热性;通过差示扫描量热仪(DSC)、热台偏光显微镜(POM)和X射线衍射仪(XRD)对单体和聚合物的液晶行为进行分析,证实了二者液晶性的存在,且聚合物的介晶区间相比于单体提高了98.4℃,同时POM分析还揭示了合成的液晶高分子在降温过程中呈现出的罕有的聚合物近晶A球粒织构。  相似文献   

6.
利用差示扫描量热仪(DSC)、显微热分析仪和偏光显微镜(POM)对系列侧向氟取代双烷基环己基联苯类液晶的介晶性进行了系统研究。结果表明,所有化合物均有介晶性。在液晶态可观察到部分单体的近晶C相(SC)、近晶B相(SB)、近晶A相(SA)和所有单体向列相的典型织构。与相应的4,4′-双-(烷基环己基)联苯类液晶相比,引入侧向氟取代基以后近晶相温度区间明显减小,向列相温度区间增加。  相似文献   

7.
为了改善聚合物分散液晶(PDLC)在智能玻璃领域应用中存在的视角较差、透明态效果不够理想以及无法实现双稳态的缺点,合成了一种具有硅氧烷长链结构的近晶相液晶单体,并将该近晶相液晶单体用于近晶相的混晶配方制备了简单的近晶相双稳态器件。以10-溴-1-癸烯、对羟基联苯氰和1,1,1,3,3,5,5-七甲基硅氧烷为原料,以较高收率合成了该近晶相液晶单体。通过核磁共振(NMR)和元素分析(EA)确认了分子结构的正确性;利用偏光显微镜(POM)、示差扫描量热仪(DSC)等对其单体液晶参数和混晶配方参数进行测定,通过基板处理、液晶盒制备、器件老化等过程制备了近晶相双稳态器件。实验表明,该近晶相混晶配方制得的近晶相双稳态器件具有较宽的近晶相温宽(-62℃~60℃),较低的驱动电压(50 V),透明态参数优秀(雾度=0.06%,平行光透过率=90.34%),完全无视角缺陷,且可以仅在状态切换时需要通电实现双稳态效果。该硅氧烷类近晶相液晶单体对于改善近晶相混晶配方有着重要的作用,该材料制备方法简单,原料易得,收率较高,易于生产,对于智能玻璃领域的市场推广有着重要的作用。  相似文献   

8.
一种丙烯酸酯型侧链液晶高分子的合成及液晶性的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
依据液晶分子结构理论,选择联苯基作为介晶基元,六亚甲基为柔性间隔基,合成了一种丙烯酸酯侧链型液晶高分子。对于合成的中间及目标产物通过FTIR、1HNMR等进行了结构的表征。对于聚合物采用GPC法测量了其分子量,并通过DSC、POM、XRD和计算机模拟等手段研究了其液晶性。研究表明合成的聚合物分子量-Mn=2523、-Mw=2826,具有较宽的温域(45.3~95.2℃),且为典型的近晶A相液晶。  相似文献   

9.
设计并合成了一类新型的4′-(4″-n-烷氧基亚苯基乙炔基)4-n-乙氧基偶氮苯及其两个系列的氟代化合物,它们的相变行为通过差示扫描量热法和偏光显微镜进行了测试及观察,发现它们均是液晶化合物,都呈现向列相和近晶相,并且发现该类化合物的相变行为与氟原取代的数目与位置有着密切的关系。相比较不含氟的同类化合物,氟原子的引入降低了化合物的熔点和清亮点,如果两个氟原子对称分布在液晶分子长轴向的两侧有利于向列相的稳定性,相反分布于分子长轴一侧的两个氟原子有利于近晶相的稳定性/。  相似文献   

10.
显示用液晶材料   总被引:12,自引:2,他引:10  
显示用液晶材料⒇才勇黄锡珉(中国科学院长春物理研究所,长春130021)(北方液晶工程研究开发中心,长春130021)1引言1888年奥地利植物学家埃尼采尔发现液晶相至今已有一百多年的历史了。所谓液晶是介于晶相和液相之间的一种中介相。微观上看,晶体、...  相似文献   

11.
以对硝基苯胺、亚硝酸钠和苄胺为原料,采用重氮-偶合反应方法,合成含偶氮基团的生色分子4-(4′-硝基苯基偶氮)苄胺(NPAB)。将NPAB与手性试剂L(-)-酒石酸、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)制备含手性单元的偶氮苯聚氨酯(ABPU)。利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见光谱(UV-Vis)和核磁共振(1H NMR)等对所合成的NPAB和ABPU进行了结构表征。采用差式扫描量热分析仪(DSC)对ABPU进行了热稳定性表征,其玻璃化转变温度为159.6℃。采用衰减全反射(ATR)原理测量聚合物波导薄膜的热光特性,结果表明,聚合物材料在650 nm波长具有较大的热光系数,其值高达-4.030 7×10-4℃-1。这种测量方法是直接在波导的环境中研究聚合物的热光特性,实验结果更具有实用参考价值。  相似文献   

12.
玻璃基板用电子浆料   总被引:1,自引:0,他引:1  
钠钙视窗玻璃电气性能与氧化铝陶瓷相当 ,成本低 ,是厚膜基片廉价材料。用 Ru2 Pb2 O6 和 Ru2 Bi2 O7作导电相 ,硼硅酸铅系添加碳酸钠作玻璃料配制的钌系电阻浆料 ,与钠钙玻璃有较好的匹配性。烧成条件 6 0 0℃ ,45 min,峰值温度保温 9min。方阻为 2 0 Ω~ 1MΩ,稳定性良好 ,阻值变化 ΔRS/ RS<1%。  相似文献   

13.
采用固相反应法制备了Mg4Nb2O9微波介质陶瓷,研究了添加V2O5对其烧结温度、微观结构和介电性能的影响。结果表明:当添加0.5%(质量分数)的V2O5时,Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度从1350℃降低到1150℃,烧结温度范围拓宽为1150~1300℃;在1150℃烧结5h后,其介电性能达到最佳:εr=11.86,Q·f=99828GHz(11.2GHz),τf=–57×10–6/℃(10~90℃,1MHz)。当w(V2O5)增大到1.5%时,Mg4Nb2O9陶瓷的介电性能变差。  相似文献   

14.
成功地合成了二胺单体十二烷氧基苯-4′,4″-二氨基三苯胺(DPDTA),并用此单体与3,3′-二甲基-4,4′-二氨基二苯甲烷(DMMDA)和二苯醚四羧酸二酐(ODPA)共缩聚,采用低温缩聚-热酰亚胺化、通过调节共聚物组成制备了2种聚酰亚胺(PI)。利用FT-IR、NMR、UV-Vis与DSC等手段对合成二胺单体及PI进行了结构表征和性能测试。研究了其取向性能、透光性能和耐热性能。结果表明,在摩擦前,含10%DPDTA的PI不能诱导液晶分子取向,含25%DPDTA的PI能诱导液晶分子垂直取向,预倾角可达89.6°。而摩擦后,两种PI都能使液晶分子平行取向,预倾角分别为1.8°和2.4°。两种PI膜在500~800nm区域透光率都在80%以上,玻璃化温度都在230℃以上。  相似文献   

15.
成功合成带有三苯胺和吡喃环结构的新型功能性二胺4-[(2-二氢吡喃)氧]-4’,4"-二氨基三苯胺(THP)。使用此单体与4,4′-二氨基二苯醚(ODA)和4,4′-(六氟异丙烯)二酞酸酐(6FDA)共聚,利用两步化学酰胺化法,制备了共聚物的组成配比不同的3种聚酰亚胺(PI)。使用NMR、FT-IR、DSC、UV-Vis等测试手段对单体和PI进行了结构表征和各项性能测试。研究了其溶解性能、耐热性能、透光性能和取向性能。结果表明3种PI均可溶于NMP、DMF等极性溶剂,同时在THF、DCM等低沸点溶剂中也具有较好的溶解性。PI的玻璃化转变温度在270℃以上,在500~800nm区域透过率在80%以上,液晶分子的预倾角随THP的增加而增大,可达2.3°,且具有均一的取向效果。  相似文献   

16.
用5,5′-(六氟异丙基)-二-(2-氨基苯酚)(6FHP),4,4-′(六氟异丙基)-苯二酸酐(6FDA)和分散红19(DR19)合成了可制作光波导器件的含氟聚酰亚胺(PI-19)有机聚合物;采用示差扫描量热(DSC)、热失重分析(TGA)和近红外吸收光谱等方法对PI-19的热稳定性和光学性质进行了表征。示差扫描量热和热失重分析结果显示,PI-19的玻璃化转变温度(Tg)为256℃,在5%的热失重温度为380℃,表明具有非常好的热稳定性。近红外吸收光谱表明,材料在光通信波段(1.3μm和1.55μm)有2个较低吸收的“窗口”,可以用来制作低损耗的光通信器件、光开关等。制得的聚合物材料具有较大的热光系数,其值为-4.13×10-4~-3.72×10-4℃-1(650~1310 nm),对于研制具有低驱动功率的新型数字热光开关具有一定意义。  相似文献   

17.
研究了(Bi2-xZnx)(Ti2-xNbx)O7(0.4≤x≤1.0)陶瓷材料的结构与介电性能.X-射线衍射结果表明,该组分体系在950~1 100 ℃烧结,可得到单相立方焦绿石结构陶瓷.扫描电子显微镜观察样品形貌发现,x越大,晶粒尺寸越大.室温介电性能的测试表明,在1 MHz条件下,随x值的增大,介电常数从218下降到122,损耗为(1~4)×10-4.介电温谱测试发现,该组分体系在低温下出现明显的介电弛豫峰,峰形随x增大逐渐宽化.微波特性的测试表明,在谐振频率2~3 GHz,样品的品质因数与谐振频率之积Q×f为112~158 GHz.  相似文献   

18.
丙烯酸酯封端的取代氢键液晶的制备及性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
合成了3种丙烯酸酯封端的取代苯甲酸以及其分别与4, 4′-联吡啶和反式吡啶基乙烯自组装形成的双氢键液晶,采用傅立叶红外光谱(FTIR)和核磁共振法(~1H-NMR)表征化合物的结构,使用偏光显微镜(POM)以及差示扫描量热仪(DSC)研究氢键液晶复合体的相转变行为.结果表明,在刚性液晶基元中引入氟原子会增加氢键液晶分子的宽度和降低分子的长径比对液晶材料的性能有很大影响,如降低氢键液晶的熔点以及清亮点等.另外,在柔性链末端引入丙烯酰氧基以及增加液晶基元的长度则会增加液晶分子的长度和规整性,提高氢键液晶复合体的相转变温度.  相似文献   

19.
利用TGA-DSC和XRD对阴极铝酸盐添加氧化钪(Sc2O3)前后的合成工艺、产物物相等进行了研究,对合成后铝酸盐与钨基的浸渍工艺、阴极的发射性能及蒸发速率进行了分析。结果表明:铝酸盐主晶相为Ba5CaAl4O12,添加w(Sc2O3)3%后,主晶相改变为Ba3CaAl2O7,熔点下降了48.5℃,铝酸盐的浸渍温度降低了130℃,浸渍度略有升高,保温时间缩短了0.5min。在阴极工作温度(1000~1100℃)范围之内,添加Sc2O3后制备的铝酸盐阴极直流发射密度是普通铝酸盐阴极的2倍以上;1100℃时平均蒸发速率是普通铝酸盐的61.5%,性能明显优于普通铝酸盐。  相似文献   

20.
采用复合添加BaCuO_2-CuO(以下简称BCC)、ZnO-B_2O_3-SiO_2(以下简称ZBS)等烧结助剂的方法,研究了Ba_4(Nd_(0.85)Bi_(0.15))_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷(以下简称BNT)低温烧结的烧结特性和微波介电性能。结果表明:复合添加(均为质量分数)2.5%BaCuO_2-CuO和5%ZnO-B_2O_3-SiO_2后可以在1050℃烧结成致密瓷,气孔率为5.73%,在5.6 GHz,相对个电常数ε_r为64.25,Q·f值为2026 GHz,频率温度系数τ_f为+26.4×10~(-6)℃~(-1),可望实现与Cu电极浆料低温共烧。  相似文献   

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