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本文设计了一种以爬杆机器人作为对象的实验台,爬杆机器人主要由前臂与后臂爬行结构、前臂和后臂夹紧结构、躯干结构、缓冲保护装置、边界保护装置、多点定位传感器、特殊爬升杆结构组成。本实验台设计的是在平面上拟人爬行的爬杆机器人,通过前后臂夹紧爬行以及体形伸出缩回结构完成机器人的爬行。其采用西门子S7-226 PLC和AIRTAC气动元件控制,环保清洁,可以帮助人们完成特定的作业。 相似文献
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《电子技术与软件工程》2019,(20)
本文从擦窗机器人的设计,机器人吸附结构的设计,阐述了机器人的设计原理,以及系统特点,并以一种新的技术和设计中的实用方案,展现了机器人擦窗的工作原理。 相似文献
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一种新的移动机器人全局定位算法 总被引:4,自引:0,他引:4
粒子滤波器能够给出移动机器人全局定位非线性非高斯模型的近似解.然而,当新感知出现在先验概率的尾部或者与先验相比感知概率太尖时,传统的粒子滤波器会退化导致定位失败.本文提出了一种重要性采样跟中心差分滤波器(central difference filter,CDF)相结合的新算法,并对测量更新步的加权粒子集应用基于KD-树的加权期望最大(weighted expectation maximization,WEM)自适应聚类算法获得表示机器人位姿状态后验密度的高斯混合模型(Gaussian mixture model,GMM).实验结果表明,新方法提高了定位准确率,降低了计算复杂度. 相似文献
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提出并分析了一种适用于多种调制格式的低驱动电压LiNbO_3光调制器,通过延长设计LiNbO_3光调制器的波导结构,可显著降低其射频驱动电压及直流偏置电压.通过实验测试并分析了10Gb/s传输速率下的器件参数,包括光眼图,小信号S参数以及啁啾参数等.实验证明,该调制器的驱动电压由原有的5.8V降低至2.8V,更适于各种新型的编码调制格式的应用场合.Abstract: Proposed is the demonstration of a new design of LiNbO_3 modulators with low driving voltage (V_(Pi)).The low V_(pi) performance is achieved by extension design of the wave-guide inside the modulator.Experimental tests and analysis carried out on the performance of some key parameters of the modulator at 10 Gb/s transmission rate,including the optical eye,small signal S parameter,chirp parameter,etc.Results obtained indicate the driving voltage of the modulator reduces to 2.8 V in comparison with traditional 5 V,which is more suitable for the applications of increasingly-emerged novel modulation formats. 相似文献
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针对传统自驱动无法为倍流整流电路在死区时间内提供驱动电压,导致同步整流管体内二极管导通、恶化同步整流性能的问题,文章采用栅极电荷保持驱动技术,解决了死区时间内同步整流管的导通问题。为了验证其理论的正确性,文中提出等效模型,研究它的电路特性并结合仿真分析,仿真表明漏感大小、驱动电阻阻值、并联同步整流管数对电路影响极大。据此提出变压器采取分层交叉绕制技术,并适当选择并联整流管数目及合理调节驱动电阻。 相似文献
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水稻与狼尾草花粉壁发育过程的比较研究 总被引:1,自引:0,他引:1
水稻(Oryza sativa)和狼尾草(pennisetum alopecuroides)花粉壁形成的时期及其结构存在明显差异,水稻水孢发育至开始形成许多液泡时,花粉外壁的柱状层开始分化,并形成明显的覆盖层和基层;发育至单核靠边期,花粉内壁开始发生;在花粉充实过程中,花粉外壁覆盖层和基层分化出纵向排列的微通道,狼尾草花粉在单孢花粉期,花粉外壁外层仅为一层,至二孢花粉期柱状层才开始分化,然后逐渐形成性病层和基层,在单孢花粉中期,花粉内壁开始形成,成熟花粉外壁覆盖层的微通道多呈网状,两种植物花粉寿命的显著差异可能与它们花粉结构密切相关。 相似文献
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The fabrication of ordered, high aspect-ratio microstructures in silicon by use of photo-assisted electrochemical etching is an important technology, where voltage and current density are significant factors. In this paper, disordered walls appear in 5-inch n-type silicon wafers when a large current density is used. Based on the theory of space charge region, these disordered walls are caused by the contradiction between the protection from dissolution by a high applied voltage and the dissolution by a high current density. To verify this point, wall arrays were fabricated at different applied voltages and current densities. Moreover, the critical voltage was kept constant and different current densities were applied to obtain conditions for avoiding disordered walls and achieving uniform wall arrays. Finally, a wall array with a period of 5.6μm and a depth of 55μm was achieved at an applied voltage of 3 V and a monotonically increasing current density ranging from 22.9 to 24.5 mA/cm2. 相似文献
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AC-PDP新型能量恢复电路的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
在表面放电式AC-PDP驱动原理的基础上,介绍了一种新型的PDP能量恢复驱动电路。该电路利用PDP的等效固有电容和外加电感器产生谐振,以防止突然的充放电。与以前的能量恢复方法相比较,该电路能更有效地恢复由于传统的硬开关和置换电流引起的能量损失,并且结构简单,可进行不对称操作,更适合于实际应用。 相似文献