SAW滤波器WLP封装中腔体抗模压塌陷研究

通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解决了声表面波滤波器晶圆级封装芯片灌封压力导致的塌陷问题,降低了器件及模组失效风险,是一种声表面波滤波器晶圆级封装的新技术。     

一种基于WLP封装的声表面波滤波器

以41°Y X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装（WLP）技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明,探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比,两者吻合较好,解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。     

声表面波器件小型化技术发展概述

以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势.着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点.详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后续声表面波器件组件化封装的趋势.     

SMD封装声表面波谐振器滤波器

南京电子器件研究所已研制成 SMD封装声表面波谐振器与声表面波滤波器 ,其中心频率为 30 0～1 0 0 0 MHz,外型封装为 QCC8C,SM- 2。这种谐振器与滤波器在低功率 UHF发射机的频率控制、超外差接收机本振、各种无线音频视频传输及通信设备的中频和射频滤波等领域有广泛应用SMD封装声表面波谐振器滤波器     

一种扇形结构小型化中频声表面波滤波器

该文研究了一种扇形结构的声表面波设计技术并分析了其工作原理及加权方式,为某电台接收机设计并制作了一款中心频率为374 MHz、-3 dB带宽大于17 MHz、插入损耗小于9.5 dB、通带波纹小于1 dB、带外抑制大于40 dB(10~352 MHz)的器件。将该器件封装在表贴SMD3838小型外壳中,其满足性能指标。结果表明,该器件首次突破了扇形结构中频声表面波滤波器在表贴SMD3838封装的研制,表明扇形结构声表面波滤波器产品实现小型化的可行性。     

基于PCB板的射频声表滤波器封装技术研究

目前主流的终端用射频声表面波(RF-SAW)滤波器均采用基于低温共烧陶瓷(LTCC)基板的倒装焊接技术,标准尺寸为单滤波器1.4mm×1.1mm,封装形式为芯片尺寸级封装(CSP)。介绍了一种基于印刷电路板(PCB)的CSP封装声表面波滤波器,其尺寸达到了1.4mm×1.1mm。使用该基板后,单个器件的材料成本将降低30%以上。通过优化基板的结构,可以达到与LiTaO3匹配的热膨胀系数(CTE)和较低的吸湿性。经后期的可靠性试验证明,该结构的射频滤波器可完全满足工程应用的需求。     

表面贴装声表器件封装失效及其分析

随着声表面波器件日益广泛的应用,声表面波器件的封装尺寸越来越小,封装的难度越来越大,封装过程可能带来的失效问题也越来越多。文章简单介绍了声表面波器件封装形式的变化,论述了表面贴装声表面波器件的封装工艺过程和失效分析的基本概念,并对表面贴装声表面波器件的封装工艺过程中几种主要的失效模式展开分析,促使我们在表面贴装声表面波器件的封装工艺过程加强工序过程的控制,从而提高表面贴装声表面波器件的可靠性,更好地满足顾客的需要。     

声表面波器件晶圆键合工艺研究

声表面波器件向小型化、集成化、更高性能方向发展,需要制作复合单晶薄膜和采用晶圆级封装。该文针对关键工艺中的晶圆键合工艺开展研究,提出工艺要求,简述有关键合工艺要求和设备特点,并进行了金属键合工艺验证。实验证明,设备和工艺能满足产品封装要求。     

声表面波器件的封装技术及其发展

目前各种声表面波器件的工作频率涵盖30MHz到3000MHz的频率范围,其封装形式主要有塑料封装、金属封装(如F11、TO-39)和sMD封装。在本文中,作者对声表面波器件的这三种主要封装形式对声表面波器件电传输性的影响作了系统的实验研究与分析,并论述了声表面波器件在封装方面的现状及其发展趋势。     

LGS声表面波滤波器设计

本文设计了LGS声表面波滤波器（SAWF）,介绍其结构,计算了声表面波滤波器的频率响应特性,与石英进行比较。发现LGS声表面波滤波器比石英声表面波滤波器的插入损耗要小很多,是应用于小型化中频带宽滤波器的优选材料之一。