基于STC89C52单片机的自动电阻测量仪

用于测量电阻的仪器很多,但大都需要手动换挡,如果测量任务繁重则会大大降低测量效率,基于此,设计了一种以STC89C52作为核心控制器,并配以采集电路、档位切换电路、键盘电路、显示电路、报警电路等测量电阻及电位器的电阻测量仪。该测试仪具有自动切换量程、电阻筛选、超值报警等功能,可以对0~10M的电阻进行测量并显示测量结果,测量精度达到1%,同时还可以对电位器进行自动测量并绘制电位器的测量曲线。     

用减法器和积分器构成的微分电阻测量电路

介绍了一种采用脉冲法测量二极管微分电阻的电路,电路的核心是由二个减法器、二个积分器、一个比较器及模拟开关构成的运算电路,具有电路简单,测量准确,能够单个或连续测量.对电路的误差进行了讨论,并进行了模拟.     

C波段高精度数字化鉴相器

为了满足高功率微波对相位和频率测量的要求,提出了一种联合使用FFT和非线性最小二乘法拟合的测量系统,包括前端变频电路和后端数字化处理部分。论述了设计和实现前端变频电路中的本振电路、本振监测电路、本振低通滤波电路、本振功分电路、变频电路和中频低通滤波等电路,介绍了使用FFT和非线性最小二乘法拟合测量频率和相位的方法,并分析了测量相位误差与信噪比和A/D转换位数之间的关系。     

大功率短波发射机测量电路YCS07板设计原理剖析

本文对TSW2500型500kW短波发射机控制系统的测量电路(模拟板YCS07)线路原理设计进行了深入的分析,并结合YCS07板各部分测量电路的工作原理、运算方法、滤波频率的计算作了详细阐述,并对测量电路的校正方法作了介绍。     

微伏级直流电压信号放大电路设计

针对微伏级直流电压信号测量过程中存在信噪比低、测量精度不高和抗干扰能力差的问题,设计一种以TLC2652为核心器件的放大测量电路,实现了对5~45μV范围内电压信号的精准放大。电路采用低通滤波电路、陷波电路降低内部噪声与外部干扰;采用隔离电路,隔离测量端对采集端的影响;采用线性稳压芯片进行电源模块的设计,提高测量精度并降低功耗。经仿真实验验证,说明所设计的微伏级直流电压信号放大电路具有抑制共模干扰、抑制温漂、稳定性好、抗干扰性强等特点,测量精度达到0.044%。     

分布式测量系统时统信号分路电路设计

针对分布式测量系统不同测量单元之间时间统一的问题,设计了一种实用的时统信号分路传输电路。详细分析了电路的设计原理、元器件的选择和电路的具体实现,并对实际电路进行了测试。实验表明,设计的电路在实际运行中稳定可靠,具有较高的工程实用价值。     

分光光度法对多种离子测量的原理及实现

文章介绍了分光光度法的测量原理 ,在此基础上设计了能够分别测定铁、铜离子含量的测量系统。该系统通过单片机和外围电路实现对离子浓度的测量和校准 ,以及对温度、步进电机等的控制 ,并对测量放大电路进行了分析和讨论。     

一种大动态范围近红外光功率测量电路设计

基于铟镓砷(InGaAs)光电二极管设计了一种大动态范围近红外光功率测量电路。在不使用外置光衰减片的条件下,它可以测量-95~10 dBm范围内的近红外光功率。该光功率测量电路采用了自动偏压控制、多档放大量程、差分采样电路等技术,并通过电磁屏蔽设计抑制了杂散光噪声和电路暗噪声,从而提高了测量动态范围。测试结果表明,这种近红外光功率测量电路的动态范围达到105 dB,在-60~10 dBm范围内的线性度优于±0.02 dB。     

SED电形成过程瞬态响应测量电路

设计并制作了表面传导电子发射显示器(SED)电形成过程瞬态响应测量电路,该电路可以根据电形成过程中SED的阻值自动选择相应的测量电阻来测量SED的瞬态响应并将其记录下来。该电路可测量的SED阻值范围为50～3×105Ω,采样频率最大可达100kHz,量程切换时间为144μs,可以满足SED电形成过程中瞬态响应测量的要求。用该电路成功测量了SED样片在电形成过程中电阻的瞬时值,并给出了SED器件电压及SED电阻的变化曲线。实验结果表明运用该电路可研究电形成的详细过程。     

nA级电流检测电路和抗干扰技术研究

nA级电流检测电路是扫描隧道显微系统的重要组成部分。为更准确地提取和测量隧道电流信号,设计了一种基于高精度运放的nA级电流放大和检测电路,检测电路根据反馈电流放大型测量原理设计。为减小噪声干扰、提高测量结果的稳定性,采用分散放大倍数的两级放大电路设计,根据所要消除的噪声特点在测量电路中加入了带阻滤波电路,并针对电路板设计和制作过程采用了一些硬件抗干扰措施,同时在软件设计中加入数字滤波算法,以减少高频噪声干扰。实验表明,电路测量精度到达0.1nA,测量系统的动态响应特性良好,且具有较强的抗干扰能力。     

两种低功耗新型过温保护电路的设计

电源管理芯片中过温保护电路用来检测芯片的温度。当温度过高时,过温保护电路输出保护信号,使芯片停止工作,以免温度过高而损坏芯片。为了实现上述过温保护电路功能,提出了两种新型的过温保护电路,不但能够精确地检测芯片的温度,并且功耗很低。采用0．5μm N-阱CMOS工艺的方法,进行电路设计,并使用CadenceSpectre工具进行了仿真实验验证。仿真实验结果表明两种电路仅消耗3μA的电流就能够实现精确的温度检测,其具有较强的适应性,高灵敏度和高精度的特点,应用前景比较广泛。     

基于AT89C51的多点温度检测系统设计

提出了一种以AT89C51单片机和DS18B20温度传感器为主要元器件的多点温度检测系统。首先给出系统的工作原理和软件流程图,并对系统主要电路,如温度测试电路、键盘及显示电路、电源电路等进行了设计。与传统的模拟测温系统相比,该系统硬件组成更加简捷、高效,抗干扰能力更加突出。     

家用电热水器控制系统的实验研究

基于单片机AT89C52电热水器控制系统,该系统的功能是对电热水器进行温度采集与显示、时钟的显示、热水器的开机方式控制等。设计了系统硬件以微控制器为控制核心,由外围温度检测电路、实时时钟电路、键盘、热水器加热开关、LED显示电路、功能指示电路、报警电路等组成。其中温度测量是电热水器控制系统的重要组成部分,主要采用的是Pt1000铂电阻温度传感器进行温度采集。基于单片机控制的电热水器,具有反应灵敏,抗干扰能力强,稳态温度波动小,达到设定的温度时间短,节省电能等要求。     

片上栅氧经时击穿失效监测电路与方法

 栅氧经时击穿(Time Dependent Dielectric Breakdown(TDDB))等失效机理引起的失效是电路失效的主要原因之一,而这些电路的失效可能会造成灾难性的后果.本文提出了一种片上、能对栅氧经时击穿引起的失效进行实时预报的电路及方法.当栅氧经时击穿引发电路或系统失效时,本监测电路会发出报警信号.本监测电路采用标准的CMOS工艺,只占用很小的芯片面积,同时它只与宿主电路共用电源信号,从而不会给宿主电路带来任何干扰.本监测电路采用0.18μm CMOS工艺实现了投片验证.     

一种输出可调CMOS能隙基准源电路的设计

从分析典型的能隙基准电路的一般原理入手，重点讨论了一种输出可调节的CMOS能隙基准电路的设计。通过增加一些辅助电路，提高了电路的电源抑制比。简单介绍了电路中双极晶体管在CMOS工艺中的实现方法。所设计的电路具有输出可调的功能和良好的温度特性。     

红外治疗仪设计

以MSP430F4250为核心,设计了红外治疗仪的系统框架,完成了恒流电源和控制保护电路、光功率调节电路、定时电路、控制系统、波长控制系统及温度控制系统等硬件和软件的设计。     

50W高功率因数反激式开关电源箝位电路的研究

由于高PF(功率因数)宽电压反激式开关电源的变压器漏感会导致过压尖峰很高,需采用箝位电路吸收.目前常用的三种箝位电路有TD箝位(齐纳箝位)、RCD箝位、TRCD箝位电路,论文分别设计了三种50 W单级PFC的箝位电路.对三种箝位电路的箝位电压波形、EMI、温升和效率进行了测试,测试表明它们的温升、EMI依次降低;RCD和TRCD箝位的电源效率大于TD箝位的.     

半导体激光器驱动电源的设计

本文的主要工作以数字式大功率半导体激光器驱动电源设计展开,主要是实现能够给半导体激光器提供最大输出40A、输出电压在2V~10V的恒流源。基于驱动电源的技术要求,设计了驱动电路主回路、保护电路、温控单元等数字式大功率半导体激光器驱动电源的主要部分。     

用于电机驱动芯片的高压电荷泵电路设计

基于开关电容系统理论,提出了一种用于步进电机芯片中H桥驱动电路的电荷泵电路。电路设计了零温度系数的高压压差检测电路、线形调制的反馈控制电路和泵电容充电电流控制电路。基于HHNEC 0.35μm BCD工艺平台进行电路设计,并完成流片。测试结果显示,电荷泵电路输出电压跟随输入电压线性变化,输出电压范围为13 V~41 V,纹波电压大小约为560 mV。所获结果与设计目标保持一致,证明了设计思想的正确性。     

Temperature-compensation circuit techniques for high-density CMOSDRAMs

Temperature-compensation circuit techniques are presented for the CMOS DRAM internal voltage converter, the RC-delay circuit, and the back-bias generator, which do not need any additional process steps. The above-mentioned circuits have been designed and evaluated through a 16-Mb CMOS DRAM process. These circuits have shown an internal voltage converter (IVC) with an internal voltage temperature coefficient of 185 ppm/°C, and an RC-delay circuit with a delay time temperature coefficient of 0.03%/°C. As a result, a 6.5-ns faster RAS access time and improved latchup immunity have been achieved, compared with conventional circuit techniques