等静压电真空陶瓷管壳的研制与性能探讨

研究了不同氧化铝含量的电真空陶瓷管壳配方组成与性能的关系,分析了等静压工艺技术生产电真空陶瓷管壳的诸多因素,并对等静压工艺生产电真空陶瓷管壳的工艺控制、氧化铝含量与性能的关系以及对陶瓷金属化适应性进行了探讨.等静压成型工艺是提高电真空陶瓷管壳综合性能的必要手段,等静压电真空陶瓷管壳氧化铝含量对其机械性能、电性能、金属化适应性有直接影响.     

细钼粉对95%氧化铝陶瓷金属化质量的影响及存在问题的分析

根据细钼粉在95%氧化铝陶瓷金属化应用过程的实践经验,本文总结了细钼粉对氧化铝陶瓷金属化工艺和产品质量的影响,并对细钼粉应用过程出现的电镀镍层起泡问题的原因进行了探讨。     

真空电子器件用氧化铝陶瓷显微结构的研究

对真空电子器件用氧化铝陶瓷显微结构进行研究，着重对显微结构与化学成分、工艺、性能的关系以及显微缺陷对性能的影响展开讨论，并提出了自己的一些看法。     

陶瓷与金属的真空扩散焊接

本文着重研究了陶瓷与钢在真空扩散焊接条件下,在铜的接触表面上显微凸起的塑性变形和物理接触形成过程的动力学及其对焊接质量的影响。研究了陶瓷与饲真空扩散焊接工艺和接头的机械性能和真空性能。给出了能满足电真空器件要求的扩散焊接工艺规范。     

锰铬体掺杂氧化铝陶瓷及其金属化

基于95%氧化铝陶瓷开展锰铬体掺杂改性,掺杂后陶瓷样品的表面二次电子发射系数明显减小,表面电阻率显著降低,从而使其具有更高的表面绝缘能力(真空中)。针对锰铬体掺杂陶瓷样品开展了金属化试验,结果表明:通过对金属化膏剂配方和工艺的适当调整,体掺杂陶瓷的金属化效果良好,气密性和机械强度均满足使用要求。     

国内外电真空用氧化铝陶瓷金属化层显微结构分析

利用扫描电镜和能谱仪，分析了国内、俄罗斯、英国及德国公司生产的电真空用氧化铝陶瓷的金属化层显微结构和微区成分。比较了4种金属化样品间的差异，并探讨了金属化层显微结构对焊接体焊接性能的影响。     

国外陶瓷-金属封接工艺动态

一、概述随着通讯、火箭、人造卫星、宇宙探测及粒子加速器等技术的飞速发展,对微波电子管也提出了许多新的或更高的要求。在微波电真空器件中,由于陶瓷-金属结构比起玻璃-金属结构无论在性能上或可靠性上都优越得多,因此目前微波管已大量采用了陶瓷-金属结构。正因为如此,陶瓷-金属封接工艺就成了微波管制造工艺中的关键工艺之一了。六十年代中期以来,国外在电真空器件中大量采用的陶瓷-金属封接工艺仍然是烧结金属粉末法(以Mo-Mn金属化法为主)和活性金     

采用延展性好的活性钎料连接陶瓷与金属 研制延展性好的活性银钎料直接钎焊陶瓷与陶瓷及陶瓷与金属

本文讨论了采用活性钎料,直接钎焊陶瓷与陶瓷及陶瓷与金属时,需要了解的各种主要因素的作用及影响。在几乎所有场合,用于工业中的脆性陶瓷均需与金属连接。有多种连接方案,如:有机粘接剂、收缩法、机械式固定等。人们依据使用目的来选用最佳的连接方案。为使脆性材料的接头性能良好,人们需合理的选择材料、规范参数、接头设计和钎焊工艺。介绍本文的目的是推荐一种简便、可靠性好、投资少的工艺,用以连接陶瓷与陶瓷、陶瓷与金属。对电呈绝缘性的陶瓷(如用于真空开关中的真空泡及真空管中的真空泡),其与金属的连接接头     

氧化铝陶瓷领域的中国专利申请现状分析

针对氧化铝陶瓷领域的中国专利申请进行了相关分析,通过对专利申请量的统计分析,研究了氧化铝陶瓷领域的发展趋势;通过对国内外来华专利申请量的对比分析,研究了国内外来华申请量的发展趋势以及国内主要申请人的专利申请分布,以了解氧化铝陶瓷领域的中国专利申请现状及趋势,为氧化铝陶瓷领域的研究与工业化生产提供一定的参考.     

CO2激光雕刻微弧氧化法制陶瓷网纹辊的技术研究

随着柔性版印刷在行业中的市场占有率越来越高,其核心部件网纹辊的制造工艺受到了更多的重视.目前陶瓷网纹辊表面的陶瓷涂层主要是通过等离子喷涂方法制成的,其制作成本较高,而且涂层在使用中有脱落的可能.微弧氧化法制成的氧化铝陶瓷克服了传统材料的缺陷,而且制作成本较低.首先使用纯的氧化铝陶瓷片进行前期的激光工艺实验,然后使用微弧氧化法制成的氧化铝陶瓷进行雕刻实验,以证明这种材料用于雕刻网纹辊的可行性.实验中,首先在80～120线/英寸范围内使用CO,激光器在这种材料上进行静态雕刻实验,在目前广泛使用的60°蜂窝型的网穴角度条件下,分析激光峰值功率、占空比和焦点位置对于网纹辊网穴形状的影响.得到如下结论:(1)为了避免熔渣对网穴形貌的影响,应尽量使用较小的峰值功率与占空比;(2)在保证光斑功率密度的前提下,焦点位置应位于加工材料表面之上,这样才能够获得形状较好得网穴.之后,对微弧氧化法制成的陶瓷辊进行了动态雕刻实验,对实际加工中的关键要素进行了分析,探讨了机床加减速过程、加减速过程中速度变化的不一致性以及激光脉冲前沿位置的不确定性等因素对于网纹辊加工质量的影响,并提出了用于网纹辊加工的激光加工设备的基本要求.     

纳米碳管复合陶瓷微波衰减材料的研究

采用无压烧结工艺,以AlN和镁橄榄石（M2S）粉作为基体制备了纳米碳管（CNT）复合陶瓷。制备了热导率高、衰减量大及频率匹配特性良好的AlN—CNT复合微波衰减陶瓷。制备出的致密的M2S-CNT复合微波衰减材料有希望替代用在真空电子器件中的氧化铝多孔渗碳微波吸收材料。     

百年电子学--纪念真空电子管发明一百周年

电子学的崛起、发展和广泛应用是20世纪最伟大的科学技术领域之一.在电磁波理论和自由电子发展的基础上,1904年出现了第一只真空二极电子管,一般认为这标志着电子学的诞生.电磁波频谱资源的开发和利用是电子学发展的基础和动力.从电磁频谱统一的观点看,光已经象微波一样进入到电子学的领域,成为无线电电子学中不可分割的组成部分.电子学的基本任务是:研究带电粒子流与电磁场相互作用的物理概念和物理过程,以及利用相互作用的不同物理机制实现粒子与场之间能量有效转化的方法和条件.从电子器件的观点看,电子学可分为真空电子学与固态电子学;而从电子运动规律的观点看,现代电子学将处理自由电子,准自由电子和束缚电子的运动规律及其与电磁场的相互作用.1958年,电子学领域出现三个重要发现和发明:集成电路、激光和相对论自由电子的回旋辐射.相应的,半导体电子学(微电子学)、激光电子学和相对论电子学等现代电子学领域则发端于此.电子器件小型化、微型化、功能集成化将电磁频谱的开拓和占领推向光波和红外毫米波.     

集成真空电子学

本文简述了集成真空电子学的基本概念和研究内容,综述了国内外集成真空电子学,利用微加工的太赫兹真空器件的发展状况,对相关的技术进行了分析和评述。     

Capacitance-voltage characterization of thin film nanoporous alumina templates

This paper presents the results of capacitance-voltage characterization of thin film alumina templates fabricated on silicon substrates. Such templates are of significant interest for the low-cost implementation of semiconductor and metal nanostructure arrays, as well as for potential nanostructure integration with silicon electronics. Thin film alumina templates created on silicon substrates under different anodization conditions were investigated. Capacitance-voltage measurements indicate that the template/silicon interface, important for nanostructure integration on silicon, to be of good device quality.     

真空电子学和微波真空电子器件的发展和技术现状

真空电子学是研究真空中与电子相关的物理现象的学科,主要研究电子的产生和运动、电子与电磁波和物质的相互作用,是各类真空电子器件和粒子加速器等真空电子装置的基础。微波真空电子器件是最重要的真空电子器件,已广泛应用于国防、国民经济和科学研究领域,是军用和民用微波电子系统的核心器件,本文将介绍真空电子学和微波真空电子器件的发展历史,技术现状和应用情况,并对其发展趋势作简要的评述。     

微型真空电子器件和太赫兹辐射源技术进展

微加工技术为真空电子技术的发展提供了新的领域和新的应用.场致发射阵列阴极(FEA)是最突出的代表.本文综述了FEA近年来的发展,特别给出了我所在FEA研究方面的新进展.已经获得5 A/cm²左右的电流密度,为进一步的应用奠定了良好的基础.国际上正在开展微型真空电子器件研究,该项研究将导致微波管体积、重量、成本的降低和工作频率、可靠性的进一步提高.微型真空电子器件可为太赫兹频域提供1W的大功率发射源.     

真空微电子学的研究和进展􀀂

真空微电子学是迅速发展的一门新学科，近年来国内外的研究已取得了一系列的成果。本文着重介绍了近两年真空微电子学在微尖性能提高、发射材料、阴极结构以及场致发射应用(主要是场发射显示器)等方面的最新进展。真空微电子学在场发射平面显示器件方面的研究已进入实用阶段，相信近几年在这方面的应用将会获得突破性的进展。     

Vacuum electronics at the dawn of the twenty-first century

In this introduction to the Special Issue on vacuum electronics, the history, operating principles, and recent technological trends of vacuum electronic devices are reviewed. The development of microwave power tubes is described and improvements in these devices over the past quarter of a century are highlighted. These improvements have been substantial and have been driven by modern high-power applications and by advances in materials and computational science. The second part of this paper describes the advent of a new class of vacuum electronics generator as involving relativistic electron beams and interaction with fast waves (e.g., gyrotrons, free-electron lasers). These new types of generators are opening the electromagnetic spectrum beyond the microwave region (i.e., millimeter-wave, infrared, ultraviolet, and even X-ray) for applications of high-power, coherent generators of electromagnetic radiation