甲类50W/甲乙类130W完全对称型直流功率放大器

完全对称型直流功率放大器的基本电路是从真空管直流功率放大器演变过来的。由于具有两种载流子,两种特性相反的器件,所以半导体放大器在电路的构成方面比真空管放大器更加灵活、应用范围更加广泛。用同样的前置电路可以任意设置输出级的偏置电压,输出级可以用各种功率放大器件构成、包括N沟道MOS—FNT、P沟道MOS—FET、N沟道V—FET、双极型晶体三极管、真空管等。完全对称型功率     

可在2Ω负载上输出231W的立体声大电流MOS—FET功率放大器

本文介绍一款可在2Ω负载上输出231W的直流音频功率放大器。为了能够驱动2Ω的负载，放大器的输出级必须使用大电流型MOS—FET．驱动级选用能对MOS—FET的大输入电容作快速充放电的双极型晶体三极管。第2级差动放大器选用线性好的双极型晶体三极管。该放大器在8Ω负载上可输出78W×2。其音质细腻、动态范围宽。     

末级无负反馈功率放大器

你想了解功率放大器的设计方法吗?本文除了向你介绍一种末级使用V—FET/MOS—FET共源—共栅电路、末级无负反馈的功率放大器之外、还结合电路介绍了该放大器的设计方法。不仅让你知其然,还让你知其所以然。     

NF型音频均衡放大器

本文介绍一款采用上下对称型推挽电路的音频均衡放大器。输入级采用场效应管对称差动放大,第二级选用增益大的晶体三级管、末级采用MOS—FET的SEPP电路。利用电路很大的开环增益,构成     

MOS管差分输入运算放大器的失调电压及其温度漂移

由于MOS管具有极高的输入阻抗(10~9～10~(12)),现已越来越广泛地用于各种运算放大器中。但是,由MOS FET代替双极型管作输入级时运放的失调电压及其温漂比较大。 本文分析MOS FET作差分输入级运放X56失调电压及其温漂产生的原因,同工艺的关系以及改进措施。     

50K场效应晶体管放大器

<正> 随着GaAs MESFET噪声性能的改善,低噪声FET放大器的性能也大幅度提高。目前,4GHz频段、60—70K低噪声FET放大器已商品化,主要的研究方向是进一步改善放大器的噪声性能。 除了对放大器本身进行精心设计外,由于FET的噪声系数随其工作温度的降低而减小,所以采用热电制冷技术可获得比常温下更佳的噪声性能。 在低噪声FET放大器电路中,前级输入匹配电路是放大器电路设计的关键。当然,作为一个多级FET放大器,必须对输入级进行最小噪声量度匹配调试。三级FET放大器采用单电源馈电方式。为减小级间电路的损耗,级间耦合采用了直接耦合,并对级间的输入输出进行了直接匹配连接。     

高信噪比全FET耳机放大器

耳机是一种音质极好的电声器件,它具有的音质好、失真小的优点,所以国外有价值上万的“发烧”耳机。有不少发烧友正着手制作耳机放大器。耳机的音质很好但如果放大器使用不当就不能使耳机的性能获得充分发挥。本文介绍一种音质可与高级CD机中设置的专用耳机放大器媲美的全FET分离耳机放大器的制作。     

功率放大器及激励放大器

本文介绍的功率放大器是将无负反馈的末级电路独立出来,构成零分贝功率放大器。它在使用上较灵活,可以与其它功率放大器、前置放大器、CD唱机、FM调谐器、磁带录音机等的线路输出作直接连接。 这样做的目的是想将该零分贝功率放大器尽可能地放置在扬声器旁边,将扬声器的馈线控制在一米之内。将控制它的前置放大器(激励放大器)也设计成功率放大器那样的低输出阻抗,就可以使用较长的连接电缆将两者连接起来。 一、末级无负反馈零分贝功率放大器 图1是使用MOS—FET的末级无负反馈零分贝功率放大器的电路图,用并联推挽式电路实现阻抗变换。     

完全对称型前置放大器

完全对称型放大器最早是应用于真空管直流放大器中,后来又推广到用MOS—FET、双极型晶体三极管作输出级的功率放大器中。由于依照扬声器的阻抗特性,所以施加负反馈量,所以可发挥出独特的扬声器驱动能力。下面介绍如何将完全对称型电路用于前置放大器,设计出半导体器件数量少、用交流电源供电的完全对称型前置放大器。 一、基本电路的工作原理 完全对称型电路在功率放大器中已获得了应用,这一电路也完全可以在前置放大器中获得应用。 图1是完全对称型功率放大器中最简单的电池供电全场效应管功率放大器的电路。考虑到前置放大器     

MOS门控制发射极开关晶闸管

一种新型的、可使晶闸管获得MOS门控制关断的单片结构器件——发射极开关晶闸管(EST)该器件是为了在导通状态时,使晶闸管电流流过晶闸管基区的放大器型MOS—FET。虽然这将造成正向电压降有小的上升(0.25V),但已验证:能够获得优异的关闭性能及小于1μs的特定关断时间。以MOS门控制为基础,具有先进特性的新电力半导体器件在多种应用中都有重要意义。对于高压系统,IGBT与功率MOSFET     

基于电子管SRPP电路的高保真耳机放大器设计

以电子管微变等效电路分析为基础,设计了一款以驱动高保真耳机为目的的耳机放大器.该放大器以共阴极放大器为输入级,SRPP放大器为输出级,驱动耳机工作.分析了该放大器的开环和闭环参数,并采用客观测量和主观评价的方式对该放大器的品质进行评价.     

采用分离型电源和高速保护电路的放大器

一、放大电路 作为一个便于制作的放大器来说,放大电路应尽可能的简单。 在放大电路中对声音影响最大的器件是输出级FET和输入级的FET。放大器的增益也主要集中在这两个地方。放大器电路原理图如图1所示。输入级差动放大器(Tr1、Tr2)使用的是N沟道面结合型FET中信息密度最大的2N3954。在功率放大器中使用2N3954时,I_D最好取为1.5mA。因此应该选用I_DSS在2mA以上的2N3954。如果不能购到的     

关于长波长1.0—1.8μm光纤数字通信系统检测器的探讨

本文通过对长波长光纤数字通信系统接收机灵敏度的讨论来决定长波长检测器的选择方案。结果表明:Ge—APD—FET组合可以做为长波长光纤数字系统接收机的检测器和前端放大器,但是,较好的方案是Ge—PIN—FET组合,它不但经济简单,而且接收机的灵敏度在1.3μm时,还要比Ge—APD—FET组合接收机好5dBm左右。本文推荐这个方案。     

美国国半推出一款全新的专业级音频系统缓冲器

美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）推出一款全新的专业级音频系统缓冲器,其特点是具有很低的噪声及谐波失真。这款LME49600的缓冲器芯片可提供足够的输出电流,驱动多个低阻抗耳机,且电压摆幅足以驱动多个高阻抗耳机。这款缓冲器除适用于线路驱动器、模拟,数字转换器输入驱动器及频率范围较广的低噪声稳压器外,也可用来驱动混频器控制台的耳机放大器输出级及低功率音频放大器的电容负载。     

日本自制放大器竞赛优秀作品介绍 全MOS—FET 100W功率放大器

本放大器的全部信号放大器件均选用MOS—FET,并将放大级数减至最低限度,对负反馈环路、地线连接、元器件布置等细节都作了周密地考虑,因而具有性能好、工作稳定、调试容易等特点。 半导体放大器一般都加有负反馈,当然也有不加负反馈的,但这类放大器的稳定性差、元器件的选择难度大。要想制作简单、音质好、加负反馈仍是最佳选择。 负反馈放大器常见的缺点是高频的负反馈量会随频率发生变化。对此,本放大器采取以下对策:     

WM8903：超低功耗编解码器

WM8903是一款高性能超低功耗立体声编解码器,其针对便携式音频应用进行了优化. 该器件具有采用Wolfson W级放大器技术的立体声地标耳机放大器,该技术整合了创新型双模电荷泵架构,可以在回放过程中优化效率和功耗.地标输出消除了耳机耦合电容器.耳机和线路输出包含共模反馈通道,可以消除基底噪声.     

4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路

采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。放大器采用了自偏压单电源供电,因为每级有两个FET串联,自偏压电路更为复杂,通过多个电阻分压的方式确定了每个FET的工作点。测试结果表明,该放大器在频率4～20 GHz内,增益大于14 dB,噪声系数小于3.0 dB,增益平坦度小于±1.0 dB,输入驻波比小于1.5∶1,输出驻波比小于1.8∶1,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm。放大器的工作电压为8 V,电流约为50 mA,芯片面积为2.0 mm×2.0 mm。     

甲类10W/甲乙类80W可切换的双声道直流功率放大器

该放大器的最大特点是工作状态和输出的功率可以根据需要进行切换,小音量时工作于甲类最大输出功率为10W,大音量时工作于甲乙类最大输出功率为80W.输入级选用FET差动放大电路,第二级为折叠渥尔曼电路,输出级用三级达林顿连接构成一级放大电路.在安装方面着重提高两个声道的隔离度,将左右声道的电路完全分离.     

Vishay推出最小占位面积的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology。Inc．推出新型20V p通道TrenchFET功率MOS—FET—Vishay Siliconix Si8445DB．该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低的导通电阻。     

X波段FET功率放大器

本文介绍了一种10千兆赫脉冲多卜勒雷达激励源用的混合集成场效应晶体管(FET)功率放大器。FET放大器由两级放大级组成。隔直电路选用四分之一波长耦合线,射频扼流采用半月形的谐振电路。整个放大器全部制作在O.80毫米的陶瓷基片上。偏置馈