氧化铝模板法制备Ge纳米线

采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线.在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂,合成了Ge纳米线.采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对Ge纳米线进行了分析.Ge纳米线的直径约为30nm,长度超过600nm.对Ge纳米线的生长机理进行了探讨.     

模板合成法制备ZnO纳米线的研究

在草酸和硫酸电解液中分别制备了孔径为40 nm和20 nm左右的多孔氧化铝模板,用直流电化学沉积的方法,在模板孔洞内电解沉积Zn,对其进行高温下的氧化,可得到高度有序的ZnO纳米线.扫描电子显微镜观察显示,多晶的Zn纳米线均匀地填充到多孔氧化铝六角排布的孔洞里,直径与模板孔径相当.X射线衍射谱测量证实,制备的Zn纳米线和ZnO纳米线均为多晶结构,并且对比了模板孔径对纳米线结构的影响.测量了多孔氧化铝厚膜和Zn/Al2O3组装体的吸收光谱,发现其在红外波段的吸收系数有逐渐降低的趋势.     

Cu2O纳米线有序阵列的电化学模板法制备

采用电化学沉积法,在氧化铝模板的有序孔洞中制备了立方相Cu2O纳米线有序阵列.用场发射扫描电镜、X射线衍射、透射电镜对样品进行了表征.结果表明,Cu2O纳米线结构致密、直径均匀,约60 nm,沿[100]方向择优生长.     

直流电沉积法制备铁纳米线阵列及表征

为了制备结构规整的Fe纳米线阵列,以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用直流电沉积法制备了Fe纳米线阵列,并利用SEM、TEM、XRD等测试手段对其微观形貌和结构进行了表征。结果表明:所得的Fe纳米线阵列结构规整、直径与模板孔径基本一致,约为250nm,是结构紧密的多晶体。     

电化学模板法制备多晶Ni纳米线有序阵列

采用两种简化的电化学模板(自制的多孔阳极氧化铝膜直接作为模板和铜箔复合的商品AAO模板)法制备了长度在微米级,直径为50和200 nm的Ni纳米线阵列.XRD及扫描电子显微镜(SEM)分析表明制备出的Ni纳米线具有面心立方结构且排列规则.上述两种简化的模板法工艺也可用于制备其他金属、合金等的有序纳米线阵列.     

ZnO纳米线的低温生长及其发光特性

采用电场辅助电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜和X射线衍射测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面.对生长过程中所加的辅助电场的作用给出了初步解释.光致发光谱表明,在350～650nm范围内存在一个很宽的发光峰.     

ZnO纳米线的低温生长及其发光特性

采用电场辅助电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜和X射线衍射测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面.对生长过程中所加的辅助电场的作用给出了初步解释.光致发光谱表明,在350～650nm范围内存在一个很宽的发光峰.     

用AAO为模板组装磁性金属Ni纳米线阵列

以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用直流电沉积的方法,制备了磁性金属Ni纳米线阵列。选用SEM、TEM、XRD等测试手段,对其微观形貌和结构进行了表征。结果表明:制得的Ni纳米线阵列排列规整、长度一致、直径与模板孔径基本一致,约为250nm,而且是结构紧密的多晶体。研究了电沉积时间对Ni纳米线长度的影响,发现电沉积时间应不超过15h。     

AAO模板浸渍法制备Au纳米线

用模板浸渍法成功地在多孔阳极氧化铝(AAO)模板里制备了Au纳米线。在这种方法中,AAO模板的孔壁在HAuCl4里浸湿,取出后通过热处理形成Au纳米线。使用扫描电子显微镜和X射线对Au纳米线的微观形貌和结构进行了表征。扫描电镜图片表明在AAO孔中形成了直的并且表面粗糙的金纳米线,纳米线直径约50 nm。X射线衍射图表明,金纳米线具有面心立方(FCC)结构。最后,研究了Au纳米线的形成机理。     

Cu 纳米线的制备及其力学性能的研究

采用购买的直径为40～50 nm的AAO模板,利用直流电沉积方法在AAO模板上制备了Cu纳米线.TEM观察发现,Cu 纳米线的直径为(45±5)nm,与AAO模板的内孔 直径一致.利用碳膜卷曲的方法,在JEOL 2010F型场发射透射电子显微镜中对单根 Cu 纳米线进行了原位弯曲变形实验.实验发现,存在于纳米线内部的孪...     

Direct electrodeposition of highly ordered magnetic nickel nanowires on silicon wafer

Highly ordered nickel nanowire (50 and 12 nm in diameter) arrays were successfully deposited into the nanoporous alumina template film on a gold-coated silicon wafer. The electrodeposited nickel nanowires have a preferred (220) fibre texture, that is the [110] direction parallel to the wire axis. With electropolishing, nanoporous alumina template with ordered and uniform pores was prepared by anodisation. By complete removal of the barrier layer and careful control of electrodeposition procedures, nearly 100% pore filling of uniform nanowires can be directly deposited onto the Au-coated silicon substrate, therefore no pattern transfer is necessary and incorporation of these nanowires into silicon-based devices is readily possible     

阳极氧化法制备氧化铝纳米线

将Al片在较高的电压下进行阳极氧化,制备了氧化铝纳米线。其形成机制主要是多孔氧化铝膜生长的同时,其微结构单元阵列在薄膜应力作用下沿薄壁处破裂,从而生成了氧化铝纳米线。扫描电镜和透射电镜观测表明,所得产物结构外形基本一致,呈凹柱面正三棱柱形,表观直径约30～300nm,长度为几微米至数十微米。采用BET法对产物的比表面积进行测量,实验值为5.8×104m2/kg,接近于理论计算值6.2×104m2/kg。实验表明,这种氧化铝一维纳米结构材料对超小Ag和CdS纳米颗粒具有较强的吸附能力,对很难用传统的过滤和离心沉淀法去除的超小纳米颗粒(直径小于10nm)也能做到有效吸附,有望成为超级吸附与过滤材料。     

多孔阳极氧化铝模板的制备

以多孔阳极氧化铝膜为模板制备纳米结构材料具有独特的优越性,得到了广泛的关注。介绍了多孔阳极氧化铝膜的形成机理、结构类型和在草酸溶液中制备多孔氧化铝模板的工艺。在本实验中,使用高纯铝片(99.99%)和0.3 mol/L浓度的草酸,利用电化学二次阳极氧化法制备出多孔阳极氧化铝模板,用SEM对其形貌进行了观测,得到的模板孔径在50～70 nm,孔间距约为100 nm。     

Optical properties of CdS nanowires prepared by dc electrochemical deposition in porous alumina template

Cadmium sulfide (CdS) nanowires on porous alumina template have grown by a simple dc electrochemical method. The microstructural study of the nanowires has been investigated using atomic force microscopy, field-emission scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. X-ray diffraction spectra and Raman spectroscopy revealed the growth of polycrystalline CdS nanowires by filling the nanopores. Optical properties of CdS nanowires have been investigated at different growth temperatures using optical absorption, Raman and photoluminescence spectroscopy.     

Doping top-down e-beam fabricated germanium nanowires using molecular monolayers

This paper describes molecular layer doping of Ge nanowires. Molecules containing dopant atoms are chemically bound to a germanium surface. Subsequent annealing enables the dopant atoms from the surface bound molecules to diffuse into the underlying substrate. Electrical and material characterization was carried out, including an assessment of the Ge surface, carrier concentrations and crystal quality. Significantly, the intrinsic resistance of Ge nanowires with widths down to 30 nm, doped using MLD, was found to decrease by several orders of magnitude.     

Template-electrodeposition preparation and structural properties of CdS nanowire arrays

Directional CdS nanowire arrays were prepared by template-electrodeposition method and anodic alumina membrane (AAM) template in aqueous solution containing and Cd²⁺ at room temperature. The results of scanning electron microscope and transmission electron microscope indicated that uniform length and diameter of CdS nanowires were obtained, and the diameter and length of CdS nanowires are dependent on the pore diameter and the thickness of the applied AAM template. X-ray energy dispersion analysis indicates that the chemical composition of Cd and S is very close to 1:1 stoichiometry. X-ray diffraction and electron diffraction pattern investigations demonstrate that CdS nanowires are cubic polycrystalline in nature. Furthermore, the mechanism and preparation condition of CdS nanowires were discussed.     

锗纳米线的性能与应用

重点分析讨论了锗纳米线在电学、光学、光电导等特性及其在场效应晶体管制造方面的研究应用现状与最新进展。综合分析表明,未经处理的锗纳米线表面存在一层氧化物及缺陷,与电极连接时欧姆接触性能较差,在制备锗纳米线器件以前必须对锗纳米线表面进行钝化以便沉积电极;对锗纳米线进行掺杂可以改善Ge纳米线的性能,制造出实用Ge纳米线器件。指出在一根纳米线上生长硅/锗半导体纳米线形成硅/锗半导体界面,直接用单根纳米线制造具有完整功能的电子器件是将来重要的研究方向。     

锗纳米线的性能与应用

重点分析讨论了锗纳米线在电学、光学、光电导等特性及其在场效应晶体管制造方面的研究应用现状与最新进展。综合分析表明,未经处理的锗纳米线表面存在一层氧化物及缺陷,与电极连接时欧姆接触性能较差,在制备锗纳米线器件以前必须对锗纳米线表面进行钝化以便沉积电极;对锗纳米线进行掺杂可以改善Ge纳米线的性能,制造出实用Ge纳米线器件。指出在一根纳米线上生长硅/锗半导体纳米线形成硅/锗半导体界面,直接用单根纳米线制造具有完整功能的电子器件是将来重要的研究方向。