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本文基于InP 肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,介绍了一种中心频率为220GHz,带宽为20GHz 的检
波器的设计方法。该检波器输入端口为WR4.3 标准矩形波导,输出为SMA 转接头。输入射频信号通过波导到微带的过
渡馈入。负向直流输出电压则通过低通滤波器滤出。当输入功率为-24dBm 时,在中心频率处的电压灵敏度大于
1200mV/mW。 相似文献
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提出了一种简单、科学、有效的高截止频率肖特基势垒二极管设计方法。通过SMIC 180 nm工艺制备的肖特基二极管的截止频率为800 GHz,分析测试结果和仿真数据优化后的肖特基势垒二极管截止频率可以达到1 THz左右。完成了包括天线、匹配电路和肖特基势垒二极管的集成探测器,在220 GHz下其测试响应率可达130 V/W,等效噪声功率估计为400 pw/ 。完成了陶瓷瓶内不可见液面的成像实验并取得了良好的效果。 相似文献
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《红外与毫米波学报》2021,(2)
提出了一种简单、科学、有效的高截止频率肖特基势垒二极管设计方法。通过SMIC 180 nm工艺制备的肖特基二极管的截止频率为800 GHz,分析测试结果和仿真数据优化后的肖特基势垒二极管截止频率可以达到1THz左右。完成了包括天线、匹配电路和肖特基势垒二极管的集成探测器,在220 GHz下其测试响应率可达130 V/W,等效噪声功率估计为400 pW/Hz~(1/2)。完成了陶瓷瓶内不可见液面的成像实验并取得了良好的效果。 相似文献
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4H-SiC结型势垒肖特基二极管的制作与特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文设计制作了两种具有不同结构参数的4H-SiC结型势垒肖特基二极管,在制作过程中采用了两种制作方法:一种是对正电极上的P型欧姆接触进行单独制作,然后制作肖特基接触的工艺过程;另一种是通用的通过一次肖特基接触制作就完成正电极制作的工艺过程。器件制作完成后,通过测试结果比较了采用场限环作为边界终端与未采用边界终端的器件的反向特性,结果显示采用场限环有效地提高了该器件的击穿电压,减小了其反向电流。另外,测试结果还显示采用独立制作P型欧姆接触的工艺过程有效提高了4H-SiC结型势垒肖特基二极管的反向特性,其中P型欧姆接触的制作过程和结果也在本文中做出了详细叙述。 相似文献
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