任意层互连技术应用研究

任意层互连技术是目前高密度互连印制电路板领域新的工艺技术,通过微孔来实任意层与层之间的连接。本文主要介绍了任意层互连技术的应用进展,分析了电镀、导电膏及铜凸块三种微孔互连技术,同时,描述了各任意层互连方法的工艺技术流程,并对其进行了对比分析。     

基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究

基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。     

重视DFM，增加公司利淮

众所周知，电路和组装设计技术与元器件封装互连结构、电路板的组装模式是紧密相关的。随着IC技术和SMT日新月异的迅速发展，以及BGA、CSP、Flip Chip、LLP(Lead less Lead frame Package)、WLP、三维立体组件、SIP、SOC……等新型封装形式的不断涌现，不仅会使元器件、印制电路板、SMT的制造工艺技术发生一系列变革，同时对电路和组装设计技术也提出了严峻的挑战。     

毫米波多芯片组装工艺优化研究

随着毫米波系统对模块小型化集成化的需求日益增长，多芯片组装工艺技术成为毫米波模块互连的关键手段。分析了芯片组装工艺的特点，同时基于毫米波M M IC芯片组装工艺要求，通过射频互连芯片组装间隙工艺设计保证、共晶焊接钼铜载体结构优化设计以及自动点胶粘片参数优化研究，给出了相应的优化设计措施，从而达到M M IC芯片组装工艺优化的目的。     

电子产品3D—立体组装技术

针对电子设备小型化、轻量化、高可靠性的发展趋势,介绍了电子产品互连立体组装技术,包括:元器件级立体组装技术、板级立体组装技术和整机立体组装技术及他们应用领域,并通过对不同类型组装技术的分析,总结出了关键设计加工技术.     

半导体器件

介绍了微波器件 MPT(微电子组装)技术的发展过程和芯片互连技术、多层基板技术、三维垂直互连技术和管壳及散热技术等主要关键技术。     

LTCC三维MCM技术研究

三维多芯片组件（3D-MCM）是实现高密度组装的有效手段。本文介绍了LTCC 3D-MCM研制过程中的隔板的制作、焊料凸点的制作、多块基板与隔板的叠装和垂直互连等工艺技术；对焊料凸点中的孔洞、基板与隔板垂直互连中的虚焊和3D-CM不同焊接区域焊料的选择进行了分析和讨论。     

微波器件MPT的发展与关键技术

介绍了微波器件ＭＰＴ（微电子组装）技术的发展过程和芯片互连技术,多层基板技术,三维垂直互连技术和管壳及散热技术等主要关键技术。     

表面组装电路模块多场耦合建模技术和现状分析

近年来,随着电气互连技术的发展和表面组装技术的广泛应用,在高频等工作状态下,表面组装电路模块对其本身的电、磁、热等特性要求越来越高。对电磁场、热场理论基础以及它们之间的耦合和分析方法作了简要介绍。并对组装了BGA的PCB进行了热-力的耦合分析。     

无铅化PCB表面材料及工艺特点

无铅化电子组装中PCB表面镀层技术主要有无铅钎料热风整平、浸锡、浸银、化学镀镍/浸金和有机可焊保护层五种。每种工艺技术具有各自的优缺点,每种工艺材料与不同无铅钎料具有不同的兼容性。从可制造性、可生产性以及与无铅钎料的匹配性等方面对五种PCB表面镀层技术做了较为全面的阐述,并通过对润湿性和可靠性评估得到一定的最佳配比,为...     

集成电路封装中的引线键合技术

在回顾现有的引线键合技术之后,文章主要探讨了集成电路封装中引线键合技术的发展趋势。球形焊接工艺比楔形焊接工艺具有更多的优势,因而获得了广泛使用。传统的前向拱丝越来越难以满足目前封装的高密度要求,反向拱丝能满足非常低的弧高的要求。前向拱丝和反向拱丝工艺相结合,能适应复杂的多排引线键合和多芯片封装结构的要求。不断发展的引线键合技术使得引线键合工艺能继续满足封装日益发展的要求,为封装继续提供低成本解决方案。     

用于MEMS器件的键合工艺研究进展

随着MEMS器件的广泛研究和快速进步,非硅基材料被广泛用于MEMS器件中.键合技术成为MEMS器件制作、组装和封装的关键性技术之一,它不仅可以降低工艺的复杂性,而且使许多新技术和新应用在MEMS器件中得以实现.目前主要的键合技术包括直接键合、阳极键合、粘结剂键合和共晶键合.     

引线键合技术进展

引线键合以工艺简单、成本低廉、适合多种封装形式而在连接方式中占主导地位.对引线键合工艺、材料、设备和超声引线键合机理的研究进展进行了论述与分析,列出了主要的键合工艺参数和优化方法,球键合和楔键合是引线键合的两种基本形式,热压超声波键合工艺因其加热温度低、键合强度高、有利于器件可靠性等优势而取代热压键合和超声波键合成为键合法的主流,提出了该技术的发展趋势,劈刀设计、键合材料和键合设备的有效集成是获得引线键合完整解决方案的关键.     

球-楔焊一体机的设计与实现

传统引线键合装备,分为球焊设备和楔焊设备,两者使用不同的换能器,不同种类劈刀,不同的焊接形式。通过对两种设备原理以及市场需求分析,设计一种球-楔焊一体机,满足球焊和楔焊两种焊接形式,有利于引线键合技术发展。     

Cu丝超声球焊及楔焊焊点可靠性及失效机理研究

Cu丝由于具有优良的导热性能、机械性能以及低成本等优点使得用铜丝替代传统的Au丝和Al丝已经成为半导体工艺发展的必然方向.综述了Cu丝超声球焊以及楔焊焊点可靠性问题,对焊点的各种失效模式与机理进行探讨.     

晶圆键合技术在LED应用中的研究进展

简要介绍了晶圆键合技术在发光二极管(LED)应用中的研究背景,分别论述了常用的黏合剂键合技术、金属键合技术和直接键合技术在高亮度垂直LED制备中的研究现状,包括它们的材料组成和作用、工艺步骤和参数以及优缺点.其中,黏合剂键合是一种低温键合技术,且易于应用、成本低、引入应力小,但可靠性较差;金属键合技术能提供高热导、高电导的稳定键合界面,与后续工艺兼容性好,但键合温度高,引入应力大,易造成晶圆损伤;表面活化直接键合技术能实现室温键合,降低由于不同材料间热失配带来的负面影响,但键合良率有待提高.     

基于湿法表面活化处理的InP/SOI晶片键合技术

为了实现集成硅基光源,研究了基于湿法表面处理的InP/SOI直接键合技术。采用稀释的HF溶液对InP晶片进行表面活化处理,同时采用Piranha溶液对SOI晶片进行表面活化处理,实现了二者的低温直接键合。分别采用刀片嵌入法和划痕测试仪对样品的键合强度进行了定性及定量分析。同时,采用超声波扫描显微镜及扫描电子显微镜对键合界面的缺陷信息及键合截面的微观特性进行了评估。分析结果表明:提出的键合工艺可以获得较好的键合效果。     

温度因素对热超声键合强度的影响实验研究

主要研究了热超声键合过程中环境温度对键合强度的影响规律.分析了键合强度与键合温度之间的关系.实验研究发现,最佳键合"窗口"出现在200～240℃,此时键合强度可达20g左右.对推荐使用的大于5.4g的键合强度标准,本实验条件下可键合"窗口"为120～360℃.这些实验现象和分析结果为后期的键合参数匹配规律和系统动态特性研究打下基础.     

基于PTFE的PCB的多层层压方法

介绍了采用不同材料类型的粘结膜、半固化片、所需设备和粘结材料,用于生产低到高层数的PTFE多层板的情况。     

功率器件封装工艺中的铝条带键合技术

文章回顾了功率器件封装工艺中几种常见的互连方式,主要介绍了铝条带键合技术在功率器件封装工艺中的主要优点,特别是它应用在小封装尺寸的功率器件中。铝条带的几何形状在一定程度上降低了它在水平方向的灵活性,但却增加了它在垂直方向上的灵活性。铝条带垂直方向的灵活性可以让我们使用最少的铝条带条数来达到功率器件键合的要求。也由于几何形状的不同,铝条带键合具有一些不同于铝线键合的特点,但它对粘片工艺、引线框架和包封工艺的要求与粗铝线键合极其相似,可以与现有的粗铝线键合工艺相兼容,不需要工艺和封装形式的重新设计。