金刚石薄膜场发射显示器

简要介绍了一般ＦＥＤ（场发射显示器）的工作原理,研究了非晶金刚石薄膜低场发射特点,讨论了金刚石薄膜制做场发射器的可行性;指出利用金刚石薄膜和阳极选择的方法可对Ｓｐｉｎｄｔ ＦＥＤ进行改进,从而使平面ＦＥＤ更容易实现。     

现代显示技术的研究进展

结合其发光原理及特点分析了阴极射线管(CRT)显示器、液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、场发射显示器(FED)的市场走向,认为FED是一种最理想的显示器。对FED不同类型的阴极场发射阵列(FEA)进行比较,认为碳纳米管薄膜阴极是目前最有希望实现FED市场化的场发射体。     

场发射平板显示技术的研究方向

本文介绍显示技术的新发展，场发射显示技术的掘起，场发射技术及真空技术，微显示技术的发展，从崦论述了我国场发射显示技术的研究方向。     

促进场发射显示器发展的纳米管

促进场发射显示器发展的纳米管最近用纳米管技术的实验表明，纳米管可能是电子的有效发射体。如果做成具有可寻址像素的平片，纳米管就可能成为场发射显示器（ＦＥＤ）的组成部分。场发射显示器也是一种平板显示器，此种显示器是用电子发射体列阵来轰击涂磷光体的屏，产生...     

碳纳米管冷阴极材料制备及其场发射性能研究

在场发射显示器技术领域,碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射冷阴极材料之一。碳纳米管具有低的场发射阈值电场,高的发射电流密度使它们比传统的热阴极材料以及其他的场发射冷阴极材料更适于实际的技术应用。介绍了碳纳米管的制备方法和场发射原理,并对碳纳米管的场发射性能研究进行了综合的评述。     

一代前景诱人的新型器件——真空微电子管

描述了真空微电子器件的发展概况，特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。     

用于场发射显示器的火山口型场发射阴极

介绍一种国内外研究的用于场发射显示器的火山口型场发射阴极,它相对于尖锥型场发射阴极来说，具有制作方法简单，制作成本更低，发射一致性更好，更适合大规模工业化生产。但不足之处是发射电流密度太小和有较大的栅极电流。文章详细介绍了火山口型场发射阴极的制作过程，分析并测试了其发射性能以及转移到玻璃基底上的制作方法。最后还介绍了火山口型场发射阴极的改进型-跑道型场发射阴极。     

现代战场上的平板显示器

介绍液晶显示器、场发射显示器、电致发光显示器和等离子显示器等平板显示器在现代战场上的突出作用。并依据技术发展趋势,提出了新概念平板显示器的可能形式。     

场发射平面显示器件面临的困难和前景

分析了以Ｓｐｉｎｄｔ场发射尖锥为基础的场发射平面显示器（ＦＥＤ）,在技术上所面临的困难及其前景,同时也展望了很有希望的、其他类型场发射平面显示器。     

一代前景诱人的新型器件

描述了真空微电子器件的发展概况，特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场射阵列研究、低压场发财阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。     

碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究

对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力.     

限流电阻层改善碳纳米管场发射显示器发光均匀度的研究

针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限流层,在其上制备CNT阴极薄膜.对CNT薄膜阴极的发射电流稳定性和均匀性进行了测试,给出了电阻限流层对场发射特性曲线的影响效果.SEM分析表明,氧化锌电阻层有利于消除CNT阴极的尖端屏蔽效应,并且使得CNT与衬底具有更加紧密的接触.场发射特性和场发射发光照片表明,虽然随着限流层厚度增加,阈值电压有所增加,发射电流有所减小,然而限流层的存在有效地改善了发射电流的稳定性,使得发射电流和场发射发光点分布更加均匀.     

限流电阻层改善碳纳米管场发射显示器发光均匀度的研究

针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限流层,在其上制备CNT阴极薄膜.对CNT薄膜阴极的发射电流稳定性和均匀性进行了测试,给出了电阻限流层对场发射特性曲线的影响效果.SEM分析表明,氧化锌电阻层有利于消除CNT阴极的尖端屏蔽效应,并且使得CNT与衬底具有更加紧密的接触.场发射特性和场发射发光照片表明,虽然随着限流层厚度增加,阈值电压有所增加,发射电流有所减小,然而限流层的存在有效地改善了发射电流的稳定性,使得发射电流和场发射发光点分布更加均匀.     

基于碳纳米管的场发射平板显示器研究

碳纳米管因具有良好的电子发射特性而成为理想的场发射阴极材料。本文概述了碳纳米管的特性、分类及制备;介绍了碳纳米管场发射平板显示器的结构、工作原理及制备,分析了碳纳米管场发射平板显示器的优缺点,针对其缺点提出了一些改进的思路并对其发展趋势作了展望。     

碳纳米管场发射显示器特性测试方法的研讨

通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器样管。改变常用的驱动电源电压测试为器件电压测试,得到非常理想的伏安特性曲线和发光特性曲线。从测试结果分析可知,直接测量碳纳米管场发射显示器的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理。从电子场发射的角度看,实际的碳纳米管场发射伏安特性曲线应比测试的伏安曲线更陡。     

三极FED分段复合衬底电极的特性和制作

结合丝网印刷技术、烘烤工艺和烧结工艺,采用印刷ZnO层和银浆层相结合的方案,进行了分段复合衬底电极的制作。该分段复合衬底电极能够降低无效的阴极电压降,增强三极场发射显示器的发光亮度并改善其发光均匀性,且制作成本低廉。分段复合衬底电极避免了过长过细衬底电极现象,促使碳纳米管提供更多电子,同时有效改善了碳纳米管的场发射均匀性。利用碳纳米管作为阴极材料,进行了三极场发射显示器的研制,并进行点阵图像显示,从而证实了这种分段复合衬底电极制作工艺的可行性。与普通银电极场发射显示器相比,分段复合衬底电极场发射显示器能够将开启场强从1.92 V/μm降低到1.81 V/μm,其最大场发射电流由1 332.5μA提高到2 137.8μA,具有典型的场致发射特性以及优良的图像发光均匀性。     

单片Si-FED的结构和设计

根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数,利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术,设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。     

基于半导体技术的平板显示器及其进展

综述了近年来有源矩阵晶显示器，场发射晶显示器和发光二极管显示器的研究进展，重点介绍了它们的工作原理，结构和某些关键制备技术，并对它们的发展前景作了简要的展望。     

金刚石薄膜与新一代平面显示器

场发射显示器是近年来发展很快的一种新型平面显示器，兼有阴极射线管及液晶显示器两者的优点，金刚石膜具有负的电子亲和力特性，利用它作为发射器的电子发射材料制成的金刚石膜场射器，有效功函数很小，因此工作电压可以大大降低，同时，由于金刚石具有良好的物理化学特性，发射器的工作寿命可以延长，同时对工作所需的真空度要求下降。     

氧化锌场发射性能的研究进展

简述了以场致发射显示器(FED)为代表的平板显示技术的发展现状与趋势,重点介绍了氧化锌一维纳米材料作为场发射阴极的场发射性能与研究现状,指出了具有应用前景的氧化锌一维纳米结构所需要解决的难题。