基于薄埋氧层及三顶层硅的SOI高压LDMOS研究

详细研究了一种基于薄埋氧层及三层顶层硅衬底(Triple-Layer Top Silicon,TLTS)的SOI高压LDMOS器件。该结构在SOI介质层上界面的顶层硅内引入一高浓度n⁺层,当器件处于反向阻断状态时,高浓度n⁺区部分耗尽,漏端界面处已耗尽n⁺层内的高浓度电离施主正电荷可增强介质层电场,所产生的附加电场将调制漂移区内的电场,防止器件在漏端界面处被提前击穿,从而可在较薄的埋氧层(BOX)上获得较高耐压。在0.4 μm BOX上获得了624 V的耐压。与几种SOI器件相比,所提出的TLTS LDMOS器件具有较高优值(FOM)。     

通过成结模拟器研究n+-n--p碲镉汞高温探测器

第三代红外探测器发展的一个重要方向是高工作温度探测器。对于碲镉汞n-on-p探测器而言,n⁺-n^--p结构以及良好的钝化工艺能够有效的抑制暗电流的产生,从而在高工作温度条件下获得较好的探测器性能。基于自行开发的成结模拟器,对n⁺-n^--p结构的高温器件进行了工艺仿真和器件仿真,获得成结过程的制备参数,并结合抑制表面漏电的组分梯度钝化工艺,将高工作温度下的暗电流抑制至理论极限,研制出可以在更高温度工作下的碲镉汞n-on-p红外焦平面探测器。经测试,中波n-on-p红外焦平面器件在不同工作温度下性能优异,在80K工作温度下噪声等效温差（NETD）达到了6.1 mK,有效像元率为99.96%;而在150K工作温度下噪声等效温差（NETD）为11.0 mK,有效像元率为99.50%,达到了同类器件的理论极限。     

优质雪崩光电二极管

美国麻省理工学院和林肯实验室采用了倒置台面n⁺-InP/n-GaInAsP/n-InP/P⁺-InP结构,研制出响应到1.25微米的优质雪崩光电二极管。测量得到均匀雪崩增益为700,当M=10时,暗电流密度为3×10^-6安/厘米²,过量噪声因数约为3。     

Simulation of double junction In0.46Ga0.54N/Si tandem solar cell

A comprehensive study of high efficiency In_0.46Ga_0.54N/Si tandem solar cell is presented. A tunnel junction (TJ) was needed to interconnect the top and bottom sub-cells. Two TJ designs, integrated within this tandem: GaAs(n⁺)/GaAs(p⁺) and In_0.5Ga_0.5N(n⁺)/Si(p⁺) were considered. Simulations of GaAs(n⁺)/GaAs(p⁺) and In_0.5Ga_0.5N (n⁺)/Si(p⁺) TJ I-V characteristics were studied for integration into the proposed tandem solar cell. A comparison of the simulated solar cell I-V characteristics under 1 sun AM1.5 spectrum was discussed in terms of short circuit current density (J_sc), open circuit voltage (V_OC), fill factor (FF) and efficiency (η) for both tunnel junction designs. Using GaAs(n⁺)/GaAs(p⁺) tunnel junction, the obtained values of J_sc = 21.74 mA/cm², V_OC= 1.81 V, FF = 0.87 and η = 34.28%, whereas the solar cell with the In_0.5Ga_0.5N/Si tunnel junction reported values of J_sc = 21.92 mA/cm², V_OC = 1.81 V, FF = 0.88 and η = 35.01%. The results found that required thicknesses for GaAs(n⁺)/GaAs(p⁺) and In_0.5Ga_0.5N (n⁺)/Si(p⁺) tunnel junctions are around 20 nm, the total thickness of the top InGaN can be very small due to its high optical absorption coefficient and the use of a relatively thick bottom cell is necessary to increase the conversion efficiency.     

基于CMOS工艺的Si-LED器件设计与测试

采用CSMC(华润上华)0.5 μm CMOS工艺设计和制备了正向偏置和反向偏置情况下发出两种不同种类光的Si-LED.在室温条件下,对器件进行了初步测试,正向导通电压为0.7 V,反向击穿电压为7.5V.器件的结构采用P-base层与n+区交叠,形成Si-pn结LED.观察了Si-LED发光显微照片及实际器件的版图,...     

纳米盘光子晶体增强Si+/Ni+离子共注入SOI的光致发光

报道了一种在Si⁺/Ni⁺离子共注入绝缘体上硅（SOI）基片上直接构筑纳米盘阵列光子晶体以实现SOI光致发光有效增强的方法。通过时域有限差分法（FDTD）设计出具有荧光增强效应的光子晶体结构金属膜,利用Langmuir-Blodgett（LB）方法在Si⁺/Ni⁺离子共注入SOI上排列一层聚苯乙烯（PS）小球,接着沉积一层Au薄膜,然后用电感耦合等离子体（ICP）蚀刻技术在SOI晶片顶部形成了纳米盘状的刻蚀Au光子晶体。光致发光（PL）实验表明光子晶体的引入有效增强了缺陷Si薄膜在近红外波段的发光效率。这种工艺简单、成本低且发光增益高的光子晶体在硅基集成光子学上具有重要的应用前景。     

标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备

采用新加坡半导体制备有限公司的0.35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+叉指结构形成U型器件,外部的两个P+区为保护环,在相邻的内部两个P+区之间使用多晶硅作为栅极来调控LED的正偏发光。使用奥林巴斯IC显示镜测得了硅LED实际器件的显微图形,并对器件进行了电学的正反向I-V特性测量。器件在室温下正向偏置,在100～140mA电流下对器件进行了光功率的检测,发光峰值在1089nm处。结果表明,器件发光功率随着栅控电压偏置电流的增加而增加。     

晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响

由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利用Farahmand Modified Caughey Thomas(FMCT)迁移率模型描述了InN材料在不同晶向上的电子输运特性,利用文中提出的参数提取方法分别提取了InN在不同晶向上的FMCT模型参数。为了将InN材料的各向异性特性应用于耿氏(Gunn)二极管的制作,使用Silvaco-atlas半导体仿真软件对纤锌矿InN n⁺ⁿⁿ⁺和n⁺ⁿ-nn⁺两种结构的耿氏二极管进行数值仿真,对沿两个晶向上制作的InN耿氏二极管的输出特性进行了比较。结果表明:InN耿氏二极管沿Γ-A方向比沿Γ-M方向获得的频率和转化效率更高。InN材料沿Γ-A方向更适合制作耿氏二极管,该研究为制作InN耿氏二极管提供了参考。     

三维成像用128×2线性模式APD焦平面探测器设计

设计了一种用于激光三维成像的128×2线性模式APD焦平面探测器,器件包括硅基APD焦平面阵列和读出电路。硅基APD焦平面阵列采用拉通型n⁺-p-π-p⁺结构,像元中心距为150μm,工作在线性倍增模式。读出电路采用单片集成技术,将前置放大电路、TDC计时电路和ADC等功能模块集成在单一硅片上。整个线性模式APD焦平面探测器可实现128×2阵列规模的激光信号并行检测,并采用LVDS串口输出激光脉冲信号的飞行时间信息和峰值强度信息。测试结果显示,该线性模式APD三维成像探测器可同时获取时间信息和强度信息,成像功能正常。     

MBE-grown HgCdTe multi-layer heterojunction structures for high speed low-noise 1.3–1.6 µm avalanche photodetectors

HgCdTe is an attractive material for room-temperature avalanche photodetectors (APDs) operated at 1.3–1.6 μm wavelengths for fiber optical communication applications because of its bandgap tunability and the resonant enhancement of hole impact ionization for CdTe fractions near 0.73. The HgCdTe based separate absorption and multiplication avalanche photodetector is designed and fabricated for backside illumination through a CdZnTe substrate. The multi-layer device structure is comprised of seven layers including 1). n ⁺ contact 2). n ⁻ diffusion buffer 3). n ⁻ absorber 4). n charge sheet 5). n ⁻ avalanche gain 6). p to form junction, and 7).p ⁺ contact. Several wafers were processed into 45 μm × 45 μm and 100 (μm × 100 μm devices. The mean value of avalanche voltage is 63.7 V measured at room temperature. At 1 GHz, the device shows a gain of about 7 for a gain-bandwidth product of 7 GHz. This first demonstration of an all molecular beam epitaxially grown HgCdTe multi-layer heterojunction structure on CdZnTe substrates represents a significant advance toward the goal of producing reliable room temperature HgCdTe high speed, low noise avalanche photodetectors.     

基于片上可编程系统的视频车辆跟踪技术研究

针对目前具体产品中算法实现复杂且基于计算机(PC)平台的纯软件环境等问题.提出了一种视频车辆跟踪的嵌入式实现方法.利用可编程片上技术,使得视频检测摆脱PC平台的依赖.以Nios Ⅱ软核处理器和外设知识产权(IP)核为硬件平台,结合模拟/数字信号转换(A/D)和数字/模拟信号转换(D/A)的视频接口,以μC/OS为操作系...     

基于IMS的固定移动融合的探讨

分析了国内运营商当前所面临的困境与挑战,阐述了通过引入IMS进行固定移动融合解决当前面临的问题,重点对基于IMS的固定移动融合网络构架和实现固定移动融合的网络演进策略进行了相关的研究和探讨。     

服务器分区技术浅述

简要介绍了分区技术的定义，分区的组成、最低配置和用途，最后阐述了分区技术在工程中的应用。     

基于CMMI的PDM设计

为了提供目前产品数据管理(Product Dato Management,PDM)系统对产品开发过程管理的控制能力,实现产品开发过程中的实时测量与监控,提高管理质量,结合能力成熟度模型(Capability Maturity Model Integration,CMMI)在软件领域的成功经验,适应硬件产品开发领域的需要,在介绍了CMMI的主要思想之后,重点论述了以CMMI为基础定制企业PDM系统的可能性。对产品开发框架进行了分析,提出了基于CMMI的PDM系统概要设计模型。     

通信与计算机领域伪代码一致性审查研究

通信、计算机领域的发明专利审查过程中,针对权利要求书中涉及伪代码的情形存在不同的审查观点.在对伪代码与自然语言、标记性程序语言进行辨析,以及对现行发明专利审查规范进行分析溯源的基础上,提出应站在技术人员的角度,按专利审查的一般标准,判断其是否符合专利申请的撰写规定和授权条件,权利要求是否清晰,再进行一致性审查的建议,对其他领域类似情形的发明专利审查具有借鉴意义.     

基于OC_SVM的Steghide检测算法

通过对使用隐写软件Steghide隐藏信息前后图像T、A、P点数目变化规律的分析,对每幅图像构造一个特征 向量,并且结合支持向量机提出一种基于OC_SVM的Stegthide检测算法,同时,实验结果给出了该算法在不同信息嵌 入量情况下的检测性能。     

基于CAS的单点登录系统应用研究

随着信息系统的迅速发展,各类信息化应用系统逐步建立,但是各应用系统之间自成体系,从而导致了每使用一个系统就要重新登录一次,给用户的使用和管理员的管理带来了很多不便.本文研究基于CAS的单点登录系统应用,很好地解决了使用和管理困难问题,介绍了基于CAS的单点登录系统应用设计研究,系统采用用户管理LDAP轻量级目录服务、CAS中央认证服务,设计了一个统一管理界面,通过Web服务传递用户参数,实现了多应用系统的整合.     

基于混沌一次一密认证的单点登录系统的研究

把混沌序列所具备的良好的随机性用于单点登录系统,利用混沌序列迭代产生的随机数序列作为一次一个变换的身份认证信息,这样每个用户的登录身份都具有惟一性,使得他人无法伪造,同时实现了身份指纹的动态变化,增加了普通单点登录系统的安全性。利用cookie技术将认证信息生成ticket,实现同一个域下面各应用子系统的整合。该系统为同一个域下面的各应用子系统提供了一种高效、安全、方便的单点登录方案。     

基于网络仿真探讨LTE网络规划的几个问题

我国LTE网络现处于初期建设阶段。运营商根据4G技术特征和业务特点,如何进行网络规划定位及网络部署已成为LTE网络建设的核心问题。以无线网络仿真为基本工具和方法,针对网络仿真发现的问题,反思4G技术特点、网络定位、建设策略、思路、方法性等问题,通过商用网实例和分析提出LTE网络规划问题,并针对部分问题给出相关建议,旨在引出对4G网络规划相关问题的思考,更好地定位和建设4G网络。