光激发单极畴与耿氏偶极畴的物理机制比较

对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制. 从产生机理、电场分布、电子浓度、生长和演变过程等多角度阐述光激发单极畴的特性. 与偶极畴显著不同的是,光激发单极畴内仅有光生电子积累层,没有正离子层;光激发单极畴与光生空穴之间产生了一个与外加电场反向的电场,使畴前电场增强,畴头部电子浓度最高;光激发单极畴生长过程可以一直持续下去,终因电子碰撞电离演变为发光畴,如果碰撞电离达到雪崩强度,将演变为雪崩发光畴. 最后,本文用光激发单极畴模型解释了光电导开关非线性工作模式的超快上升沿、发光电流丝、电流锁定现象等重要实验现象.     

基于身份的电子文档域密钥分发算法及协议

为了实现电子文档安全管理环境中域间用户的通信安全,采用双线性对构造了一个适用于大数量、动态域组的基于身份的域密钥分发算法,该算法实现了域环境下用户的动态加入与离开,通过广播加密的方式使域用户获得更新后的域密钥,避免了复杂的密钥更新协商协议.另外,提出基于共享域的电子文档管理协议,实现域内用户共享,不同域之间安全分发电子文档.在该协议工作下,共享域内每个用户合法获得的电子文档可以在域中各设备间无缝地流动,实现资源共享.不同的域之间电子文档的传输有严格的限制,需要经服务器认证,确保电子文档的安全管理与防泄密.     

An initial growth of a small-signal two-dimensional domain in a bulk effect device

This paper presents a small-signal theory of a two-dimensional domain initiation in a bulk effect device, and discussions are focused on a transverse extension of the initial domain. It is introduced that the transverse extension velocity is not so fast as compared with the longitudinal propagation velocity in a stage of the domain initiation. This is because the longitudinal propagation velocity is much faster than the stable domain propagation velocity, although the transverse extension velocity is also faster than the mature domain velocity. It is necessary to estimate a marginal distance for an immature domain to travel in a domain growth time when a logic element utilizing the transverse extension of the high field domain is designed.     

Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟

本文讨论在GaAs n~+-n-n~+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时阴极凹口仍不能形成新畴,则准静态畴将进一步调整成为真正的静止畴,而畴外电场也将由最大值下降到一个与偏压无关的固定值.经过理论分析,得到了静止畴所固有的与外加偏压无关的畴外电场与有源区掺杂浓度的关系式,并和计算机模拟的结果相比较,得到很好的符合.如果偏压的增加使准静态畴所对应的畴外电场最大值已经足够使阴极凹口形成新的畴,则静止畴将转变为渡越畴.如果偏压继续增加,使积累层尾部覆盖了阴极凹口,则畴会再次静止下来,直到偏压增加到畴发生雪崩为止.计算和实验表明,后一个静止区的电压变化范围要比前一个大得多.本文还讨论了两个转变电压和温度的关系及扩散系数对静止畴的影响.     

一种领域合成词的抽取方法

构建领域本体的首要任务是获取领域相关的概念,这些概念很多是由常用词典库中没有收录的领域合成词组成,因此抽取领域合成词对于领域本体的构建至关重要.本文基于语言规则和统计技术,提出一种结合改进互信息和语言模板的领域合成词抽取方法.首先利用改进的互信息算法抽取由多字词单位构成的高频次候选领域合成词,在此基础上,利用语言模板匹配抽取低频次候选领域合成词,最后由专家进行检验,得到领域合成词集.实验结果表明,该算法的领域合成词提取准确率达到88.22%,适用于从大规模网页文本中自动高效地抽取领域合成词.     

转移电子器件中静止畴四种模式的特点及其稳定性研究

本文讨论了在转移电子器件中静止畴的四种模式的形成原因、特点及共稳定性。这四种静止畴的模式是:1.畴从阴极产生,向阳极渡越,然后静止在阳极的阴极触发静止畴;2.畴直接也阳极产生,没有渡越,然后在阳极静止的阳极静止畴;3.在外加偏压增高以后,畴展宽到整个样品以后产生的静止畴;4.由于大的非均匀有源区引起的静止畴。前两种模式已有作者报导,后两种模式是本文重点讨论的内容。另外,还对这四种静止畴的稳定性、负阻与频率的依赖关系、开态电流降落及畴承受电压能力等进行了讨论,并作了比较,认为第四种静止畴模式优点较明显。     

超宽带超低副瓣相控阵天线时域远场辐射特性研究

本文首先研究了天线时域辐射远场的基本原理,建立了计算公式.在此基础之上,分析了相控阵天线工作在窄脉冲条件下的时域辐射场,发现其时域方向性(如:时域远场峰值方向图、时域远场平均功率方向图)与频域方向性(频域远场方向图)并不一致,这种不一致性随着天线口径的增大或脉冲宽度的变窄而愈加明显,并且在天线注满时间之内表现得尤为突出.文章由此指出:对于超宽带超低副瓣相控阵天线来说,其性能用时域指标去衡量胜于用频域指标去衡量的新观点.     

基于词汇注释的层次化领域标注

This paper proposes a hierarchical word domain assignment algorithm to automatically build domain dictionaries from Machine-Readable Dictionary (MRD). The process for word domain assignment can be divided into three steps: 1) Hierarchical structure constructing; 2 ) Classifier training; 3 ) Word domain assigning. Compared with the traditional methods, the hierarchical word domain assignment algorithm enhances the accuracy of word domain assignment while reducing human efforts on collecting corpus. Experiments on WordNet 2.0 show that 62.53% of the first domain labels are matched with the WordNet Domains 3.0 by using gloss-based word domain assignment, and the performance can be further improved by utilizing the hierarchical relationships among the domain sets.     

与傅里叶变换有关的线性空间和代数

与三维欧氏空间一样,信号时域和频域都是希尔伯特空间。采用类比方法,将信号看作矢量,信号基函数看作基矢量,能建立时域空间和频域空间的几何直观性。可通过三维欧氏空间性质来直观理解时域空间和频域空间,而傅里叶系数本质上是信号在其基函数上的正交投影分量。信号的时域空间和频域空间是环同构,同构映射是傅里叶变换。根据希尔伯特空间性质和环同构,还可得出傅里叶变换的一些性质。     

Influence of carrier diffusion on an anode trapped domain formation in a transferred electron device

This paper presents an influence of the electric field dependence of the diffusion coefficient of electrons (D(E) relation) on a formation of a stable domain at an anode contact in a transferred electron device. The stable domain (anode trapped domain) has been observed in a planar Gunn device experimentally, and it has been shown that a large trigger voltage is needed to launch a new domain if a preceding domain has been trapped. Computer simulations have been carried out in order to find a condition to form the trapped domain. Various D(E) relations of GaAs presented by many authors have been adopted to the simulation, and it is shown that one of these D(E) relations is suitable to describe the dynamic behaviors of electrons in GaAs. Simulated results have indicated that the trapped domain occurs in a certain range of doping density.