双单量子阱材料的调制光谱研究

本文采用光调制光谱方法测量了GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs双单量子阱材料的光调制反射光谱(PR),同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁,采用电场调制线形可以拟合出激子跃迁的能量,与简单的有限方势阱模型的计算结果符合。并且由调制反射光谱中的Franz-Keldysh振荡,计算得到材料表面内建电场约为29.3kV/cm。     

GaAs／AlxGa1—xAs多量子阱红外探测器的光调制光谱研究

运用光调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱红外探测器材料的调制反射谱，结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Ａｌ组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数。结合实验结果，采用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型对材料能带结构进行了理论计算，与实验结果相符。     

佛克脱光谱线型半高宽的理论研究

根据我们利用傅里叶变换方法得到的精确佛克脱线型的表达式,利用泰勒级数计算了佛克脱线型、高斯线型和洛伦兹线型半高宽之间的关系.画出了三者之间的关系曲线,并对结果进行了讨论.通过进一步讨论,发现佛克脱线型与高斯线型半高宽之比和洛伦兹线型与高斯线型半高宽之比的关系为第一象限的四分之-椭圆.此方法对于实际应用非常方便而且具有很好的准确性.     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱红外探测器的光调制光谱研究

运用光调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ多量子阱红外探测器材料的调制反射谱，结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Ａｌ组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数，结合实验结果，采用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型对材料能带结构进行了理论计算，与实验结果相符．     

红外光谱的微分自消卷积

从理论上获得了高斯线型、洛伦兹线型的微分消卷积算符,对洛伦兹线型还给出了实用的消卷积算符。借助样条函数,利用获得的算符可分辨出Eu~(3+)的~7F_0→~5D_1跃迁在水溶液中的谱带结构,提高了原始光谱的分辨率。     

高灵敏度半导体激光吸收光谱技术

以可调谐外腔半导体激光器为光源,结合光外差调制技术、浓度调制技术建立了一套高灵敏度半导体激光光谱测量系统,可用来开展对瞬态分子的高分辨光谱研究.还在实验和理论上研究了不同解调相位下信号的线型,给出了较好的解调相位.     

GaAs/AlGaAs量子阱空间差分光调制反射光谱研究

本文报道了空间差分光调制反射光谱,指出了它与常规光调制反射谱的区别,与常规光调制反射光谱相比较,它具有更好的信噪比和灵敏度。利用该光谱方法对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱的实验测量结果表明,空间差分光调制反射光谱具有丰富的光谱结构。     

调制光谱的新进展——半导体及其超晶格的调制光谱研究

简要阐述调制光谱方法、重点是光调制反射光谱的基本原理。讨论电场调制反射光谱和光调制反射光谱在半导体混晶、离子轰击-激光退火过程和超晶格、量子阱研究方面的应用。现有结果表明,光调制反射光谱方法已经成为研究量子阱中子能级间跃迁过程和检测超晶格微结构等的简便而有效的手段。     

基于红外检测的甲烷传感器中光谱吸收理论的研究

分子光谱理论是光谱吸收式光纤气体传感器的理论基础,对于光纤红外法检测有毒气体的浓度具有重要意义。根据朗伯-比尔(Beer-Lambert)理论,首先从甲烷(CH4)气体浓度的定量分析以及分子参数的理论进行研究,再通过分析CH4气体的吸收线得出其吸收系数α(v)的一般方法。由分析得当气体压强P<0.02 atm时多普勒展宽占优势,用高斯线型拟合吸收线;当P>0.l atm时碰撞展宽占优势,用洛仑兹线型拟合吸收线;当0.02 atm相似文献   

频率-振幅调制相位差对TDLAS 2次谐波线型的影响

为了研究频率-振幅调制(FM-AM)间相位差对TDLAS 2次谐波信号及线型的影响,采用考虑残余振幅调制的波长调制光谱技术计算方法,推导出了考虑FM-AM相位差的2次谐波信号的理论计算公式,并模拟计算了FM-AM相位差对谐波信号线型造成的影响。结果表明,2次谐波信号正峰值、左右负峰值、基线值均随FM-AM相位差发生变化,而左右负峰的间距不受其影响,保持不变。该计算结果对TDLAS气体检测有重要的意义。     

洛伦兹光束通过一阶轴对称光学系统的传输变换特性

从广义惠更斯-菲涅耳衍射积分出发,导出了洛伦兹光束通过一阶轴对称光学系统传输变换的解析公式.给出了洛伦兹光束的束宽、瑞利长度和发散角的表达式,讨论了这些参量通过自由空间的变换规律.结果表明,洛伦兹光束的瑞利长度大于高斯光束的瑞利长度,洛伦兹光束光斑半径的扩展速度慢于高斯光束,洛伦兹光束的远场发散角小于高斯光束的远场发散角.结果还表明,自由空间中洛伦兹光束的束宽、瑞利长度和发散角的变化规律与高斯光束相应参量的变化规律相同.     

抛物反射镜对高斯束变换特性的研究

在准光技术的研究和应用中,利用解析公式设计准光系统具有方便快捷的优点。采用解析公式设计透镜和椭球反射镜组成的准光系统都得到与实际吻合的良好结果。但在使用解析公式计算抛物反射面对高斯束的变换特性时存在较大误差,不满足设计抛物面组成的准光系统的要求。为解决此问题,在Ka波段利用CST 全波分析软件对高斯束经抛物面镜的变换特性进行大量仿真并进行相关的数据处理,对经典解析公式进行了校正。校正后的公式对于在Ka波段和W波段的高斯束斜入射抛物面镜问题上的计算结果与全波仿真结果有较好吻合,可以用于设计相关准光系统,同时也消除了使用全波仿真软件带来的耗时长及占用计算机空间大等问题。     

高斯光束的复数变换与几何光学方法

从高斯光束复参数的三角形式和菲涅耳数出发,利用复数分式线性变换方法,推导出高斯光束参数变换的类几何光学公式;并利用共轭、互易、反演点对变换方法图解高斯光束传输变换特性。     

用频域Collins公式和Hankel变换研究光束的传输特性

用频域Collins公式和汉克尔变换研究了平顶高斯光束、贝塞尔超高斯光束以及拉盖尔高斯光束的传输特性,并与空域Collins公式计算结果作了比较,同时讨论了该方法的优点。     

五种失真因素综合作用下的EVM

 数字调制信号通常遇到的5种失真因素,包括I/Q增益不平衡、相位不平衡、外加连续波干扰、相位噪声、加性高斯噪声.通过数学推导,得到一个完备的数学解析式,以计算上述五种失真因素综合作用下的误差矢量幅度值.然后进行了两组实验,配合数值仿真来验证公式,计算和测量结果吻合,表明了公式的准确性.     

数值积分的校正公式研究

讨论了积分校正公式的一般形式,利用代数精度的概念给出了确定了校正公式中的参数方法。给出了左矩形公式、梯形公式、辛甫生公式、一点高斯公式、二点高斯公式的校正公式,其它公式可类似处理。通过数值实例进行了比较。     

高斯光束通过光阑——透镜分离系统的焦移

本文根据Ｃｏｌｌｉｎｓ衍射积分公式分析了高斯光束通过光阑－－透镜分离系统后的焦移情况，得到在不同的分离状况下，其焦移可能反向或被消除，对它的两种极限情况也做了分析。     

Convergence analysis of constrained joint adaptation in recording channels

Partial response (PR) equalization employing the linearly constrained least-mean-square (LCLMS) adaptive algorithm is widely used for jointly designing equalizer and PR target in recording channels. However, there is no literature on its convergence analysis. Further, existing analyses of the least-mean-square (LMS) algorithm assume that the input signals are jointly Gaussian, an assumption that is invalid for PR equalization with binary input. In this paper, we present a novel method to analyze the convergence of the LCLMS algorithm, without the Gaussian assumption. Our approach accommodates distinct step sizes for equalizer and PR target. It is shown that the step-size range required to guarantee stability of LCLMS with binary data is larger than that with Gaussian data. The analytical results are corroborated by extensive simulation studies.     

高斯反射率方形平凹腔激光模场的有限元分析

利用柯林斯公式和边界有限元方法，将方形球面镜腔的衍射积分方程转化为矩阵方程，并对高斯反射率方形平凹腔的模场分布进行了数值计算。研究结果表明，高斯反射率方形平凹腔具有较好的选模性能，可以应用于高功率激光器以获得高质量的激光光束。     

Study on Surface States of Zinc Sulfide Electroluminescence Thin Films

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＺｉｎｃｓｕｌｆｉｄｅｉｓａⅡ－Ⅳｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｃｏｍｐｏｕｎｄｗｉｔｈｗｉｄｅｂａｎｄｇａｐ．Ｔｈｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓｈａｖｅｅｘｃｅｌｅｎｔｃｈａｒａｃｔｅｒｓｏｆｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ...