宽频高阻抗贫铁MnZn铁氧体的掺杂改性研究

采用传统陶瓷工艺制备了MnZn和NiZn铁氧体材料。研究了贫铁MnZn铁氧体、富铁MnZn铁氧体及NiZn铁氧体的电阻率和阻抗的频率特性。结果表明:CaCO3-SiO2联合掺杂能大幅度提高贫铁MnZn铁氧体材料的电阻率,在最大添加量w(SiO2)为0.005%,w(CaCO3)为0.04%时,有最大电阻率10246Ω·m;贫铁MnZn铁氧体材料综合了富铁MnZn铁氧体材料的低频高阻抗和NiZn铁氧体材料的高频高阻抗特性;Fe2O3、TiO2含量的增加都会提高材料的低频阻抗,降低材料的高频阻抗。     

三价铁源制备LiFePO_4的研究进展

介绍了近年来兴起的以三价铁化合物为铁源制备LiFePO4正极材料的碳热还原法,概述了FePO4、Fe2O3等三价铁源的性质、晶体结构、相结构、微观形貌及不同制备方法与工艺参数对三价铁源微观结构的影响等方面的研究进展。比较了不同碳源和不同三价铁源制备的LiFePO4正极材料的电化学性能。同时,指出了未来电池材料专用三价铁源制备的研发方向。     

铸造多晶硅中铁的磷吸杂和氢钝化机理

应用微波光电导衰减仪的方法研究了在不同温度情况下引入铁沾污后再分别进行磷吸杂和等离子体增强化学气相沉积钝化处理对铸造多晶硅片电学性能的影响．实验发现：在中、低温（低于900℃以下）情况下被铁沾污后的多晶硅材料经磷吸杂处理后再结合氢钝化可以显著地改善材料的电学性能；而对于高温（1100℃）情况下被铁沾污后的多晶硅材料经磷吸杂处理后其少子寿命降低，使接着进行的氢钝化也没有明显效果．这表明磷吸杂和氢钝化可以有效地改善被铁沾污后的多晶硅的电学性能，但是改善的效果与铁在硅体内的不同存在形态有关．磷吸杂和氢钝化中只对以间隙态或以其他复合体形态存在的铁有明显的吸杂作用，而对于以沉淀形态存在的铁却没有作用；氢钝化在金属杂质被吸杂移走之后才是最有效的．     

薄膜材料与器件

采用积分差分反射术和椭圆测量术对透明衬底上的纳米级介质膜的激光诊断；以斜入射角的高精度分光光度法测量光学薄膜；用椭圆测量术和X射线掠入射反射术表征多层介质膜；用射频溅射法精制的钇铁石榴石(YIG)薄膜的磁光特性；溶胶凝胶ZrO2薄膜的δn/δt测量；用溶胶凝胶工艺生产的掺铕YAG材料的结构和光学特征：粉末与薄膜；可调谐薄膜滤光片：回顾与展望；膜层全光厚度在解决设计问题中的作用；用汽相沉积法在耐热热塑元件上镀膜；具有宽截止带的可变透射滤光片的金属介质涂层；     

Pr和V掺杂的Bi_4Ti_3O_(12)铁电陶瓷的微结构及电性能

采用传统固相烧结法制备了Pr6O11和V2O5共同掺杂的Bi4Ti3O12铁电陶瓷。XRD分析表明,Pr6O11和少量V2O5的掺杂没有引起材料结构的改变。适当比例Pr6O11的掺杂会使材料的铁电性能有明显的改善,但其电输运特性明显不同于3价稀土离子的掺杂。实验表明,钒掺杂对材料铁电性能的影响主要体现在低电场下,不能简单地以氧空位的变化来解释。配比为Bi3.08Pr0.75Ti2.98V0.02O12的样品的电学性能稳定并且具有较大的剩余极化。     

不同介电层对HfxZr1-xO2薄膜铁电性能影响的研究进展

近年来,铁电Hf_xZr_1-xO₂(HZO)薄膜受到越来越多的关注,但是铁电层与电极材料层以及铁电层与半导体衬底层之间的界面问题并没有得到解决,阻碍了HZO薄膜的进一步应用。总结了通过引入不同介电层材料,如Al₂O₃、ZrO₂、HfO₂、Ta₂O₅等,调节HZO薄膜铁电性能的方法及其机理;详细介绍了各种介电层材料作为封盖层对HZO薄膜铁电性能的影响,如对HZO薄膜提供平面内应力、控制铁电层的晶粒尺寸及作为铁电层形核核心的作用;最后,总结并展望了利用介电层调控HZO薄膜铁电性能的一般规律,为后续相关研究的开展提供了指导。     

无线充电和近场通信兼用贫铁MnZn铁氧体材料

采用传统的陶瓷工艺制备贫铁MnZn铁氧体材料Mn0.61Zn0.41Ti0.02Fe1.96O4,并采用流延工艺制备出厚度为100~150μm的贫铁MnZn铁氧体薄片。研究了贫铁MnZn铁氧体材料的微观形貌和晶相结构,测试了贫铁MnZn铁氧体材料的磁性能。研究表明,贫铁Mn Zn铁氧体在低频区域的磁性能与富铁MnZn铁氧体相当,并在13.56 MHz的高频区域仍保持了较高的磁导率。通过运用仿真软件CST模拟NFC(近场通信)天线的场强分布并根据可读写距离测试了铁氧体薄片的屏蔽能力,讨论了贫铁MnZn铁氧体材料同时运用于无线充电及近场通信的可行性。     

0.6PMnS-0.4PZN压电陶瓷的性能及相变特点

研究了0.6PMnS-0.4PZN压电陶瓷的性能及相变特征,分析了Ba2 、Sr2 取代对材料性能及相变特性的影响。结果表明,0.6PMnS-0.4PZN陶瓷具有弥散性相变特点,在相变过程中存在明显的介电热滞。Ba2 、Sr2 取代使相变温度降低。Ba2 取代使相变弥散性增强,介电热滞增加;Sr2 取代使原胞间的相互作用增强,介电热滞减小,利于铁电相的稳定,有利于材料性能的提高。0.6PMnS-0.4PZN在150℃以下具有较好的谐振频率和铁电性能温度稳定性。     

弛豫铁电单晶热释电探测器读出电路的设计

以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT或PMNT)(PMN-xPT,或PMN-PT)为代表的弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、比较低的热扩散系数、比较稳定的化学性能,是一种综合性能优异的热释电材料.利用弛豫铁电单晶可以制备出高性能的红外光传感器,针对用这种新型热释电材料制成的红外...     

铁掺杂对氮化镓外延材料表面形貌的影响与改善

铁掺杂是获得高阻氮化镓外延材料的有效方法,但是在某些情况下,铁掺杂会导致材料的表面形貌恶化进而影响高电子迁移率晶体管中二维电子气的电学特性。本文主要研究铁掺杂对氮化镓外延材料表面形貌的影响。相关实验结果表面通过提高氮化镓材料的生长速率可以有效改善其表面形貌,而且电阻率也相应提高,获得了铁掺杂浓度为9×1019cm-3且表面形貌良好的氮化镓外延片,电阻率可以达到1×109Ω.cm。     

环境协调型压电铁电陶瓷

近年来,有关环境协调型材料的研究,在国际上已引起广泛的关注。因为环境材料的研究直接关系到世界社会和经济的可持续发展,压电铁电陶瓷以及相关材料是非常重要的功能陶瓷材料,环境协调型压电铁电陶瓷的研究已引起人们的注意。目前这方面的研究主要包括非铅基压电铁电陶瓷和压电铁电陶瓷的环境协调性制备技术,特别是软化学制备技术。     

脉冲激光沉积制备铁电薄膜材料研究进展

铁电薄膜是一类重要的功能材料,是近年来高新技术研究的前沿和热点之一。脉冲激光沉积(PLD)是制备铁电薄膜的一种重要方法。综述了脉冲激光沉积制备铁电薄膜的历史、工艺参数、特点和采用此方法制备出的某些材料的铁电性能。     

下期要目

<正>sol-gel法制备镉掺杂铁酸镧气敏材料Ni掺杂α-Fe2O3纳米材料的制备及气敏性能研究氧气浓度对ZnO薄膜形貌和结构的影响     

掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响

利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度.掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响.用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷.     

掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响

利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度.掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响.用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷.     

Ca~(2+)、Zr~(4+)共替代对YAlIG铁氧体性能的影响

采用固相烧结法制备旋磁铁氧体材料Y_(3-x)Ca_xAl_(0.33)Fe_(4.6-x)Zr_xMn_(0.02)O_(12)(摩尔分数x=0、0.2、0.25、0.3、0.35)。详细研究了Ca~(2+)、Zr~(4+)共替代对钇铝石榴石(YalIG)铁氧体性能的影响。研究表明,Ca~(2+)、Zr~(4+)替代对YAlIG铁氧体的介电常数影响微弱。随着替代量x的增加,YAlIG的饱和磁化强度起初呈上升趋势,但当替代量过多时,会使材料中产生另相,反而降低材料的饱和磁化强度(4πMs)。适量Ca~(2+)、Zr~(4+)共替代会明显降低YAlIG材料的铁磁共振线宽,随替代量x的增加,YAlIG材料的铁磁共振线宽(ΔH)先下降后上升,在无另相产生前的最大替代量x=0.3时,材料ΔH获得最小值。     

新型仿形多频谱复合伪装材料的研究

为满足信息化作战条件下多频谱兼容伪装的需求,采用多种材料合理匹配与多功能层结构组合的方法,研制了一种可见光、红外和雷达多频谱兼容的新型仿形复合伪装材料,研究了吸波材料中碳含量与铁含量的质量比对雷达波吸波性能的影响。采用雷达波屏蔽效能和反射率实验测试了伪装材料的吸波性能,采用成像法检测了伪装材料的可见光和热红外伪装性能。结果表明,当吸波材料中碳含量与铁含量的质量比为1∶2时,伪装材料的雷达波衰减性能最好,大于5 dB的吸收频宽最高可达4.7 GHz。研制的仿形伪装材料的表面纹理、颜色、亮度、热图与背景环境较为接近,隔热效果较好,具有良好的可见光和红外伪装效果。     

基于热敏电阻的发光二极管热阻测量

介绍了一种基于热敏电阻的发光二极管(LED)热阻测量方法.将微小尺寸热敏电阻植入LED内部,通过测量热敏电阻的阻值,计算得到发光二极管管芯结温和热阻.对铜材料支架和铁材料支架的LED热阻进行了对比分析.研究结果表明:铜材料支架φ5 LED的热阻为214.6 ℃/W,铁材料支架 5LED的热阻为305.8 ℃/W,其中铜支架热阻为585 ℃/W,铁支架的热阻为3 128.3 ℃/W,而环氧树脂的热阻为338.9 ℃/W.     

35CrMo激光熔覆铁基合金与镍基合金涂层性能比较

为了对35CrMo电机主轴激光熔覆铁基合金与镍基合金涂层进行对比研究,利用 CO2激光在35CrMo电机主轴表面制备3540铁基和Ni00镍基合金改性涂层,在初步满足工程应用的前提下,对两种材料改性涂层横截面横向和纵向上的硬度进行测试,并通过配备腐蚀液对其进行了金相研究。结果表明,在熔覆区和熔合区交界处附近,两种熔覆材料的显微硬度差别不大,均为640HV左右,都能满足工程应用;两种涂层材料的耐腐蚀性均较基体材料强,激光熔覆区域、熔合区的显微组织差异明显,晶粒的尺寸逐渐变小,且镍基材料的耐腐蚀更强。综合比较而言,选择Ni00熔覆材料较3540材料更能满足工程应用。     

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