CRT管颈击穿分析

ＣＲＴ的生产和使用中，因高压打火而造成管颈击穿，主要有三种类型，纵向炸裂，径向击穿和横向炸裂。本文分析了这三种管颈击穿的失效机理及其对策。     

真空开关管电极面积对老炼效果的影响

为研究电极面积对老炼效果的影响，采用３种不同表面积的铜电极进行试验，它是真空间隙绝缘击穿的一个特点，老炼的过程随电极面积而变；电极面积越小，老炼完成的越快。一的击穿电压也取决于电极面积，；电极面积越小，击穿电压越高。     

彩管会聚漂移的原因分析及对策

彩管在出厂之前 ,都要经过ＩＴＣ调整工序 ,即 :将偏转线圈装在彩管的管颈上 ,通过调节偏转线圈的前后位置、摆头 ,结合调整磁组件的张角 ,把彩管的画质参数 (色纯、会聚、白场、失真等 )调整到最佳状态。ＩＴＣ调整完成后的彩管就可直接供电视机厂家使用。由于ＩＴＣ调整是一项技术性很强的工作 ,一般都在彩管厂进行。但在实际工作中 ,经彩管厂家ＩＴＣ调整会聚良好的彩管 ,在彩电厂使用时也经常发生会聚不好的现象 ,此种现象在彩管行业中称为“会聚漂移” ,它会对彩电厂的生产造成很大的影响。造成会聚漂移的原因很多 ,例如 :在出厂前 ,Ｉ…     

开断对真空开关管绝缘性能的影响

本文论述了“无电流关合／无电流开断”，“无电流关合／额定电流开断”以及“无电流关合／额定短路电流开断”三种操作对真空开关管绝缘强度的影响。为此目的，我们对商品化的ＣｕＣｒ触头横向磁场的两种类型的真空开关管进行了试验。我们用实验的方法测定了开关操作前后出现的击穿电压和发射电流。其相应的特性是在老炼后测定的。老炼采用直流电压老炼，其点火脉冲电压为１．２／５０μｓ和５０Ｈ２的交流电压老炼。我们对得到的结     

老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO薄膜二次电子发射系数的影响

在Paschen定律基础上,使用计算出的表面放电型ACPDP的击穿电压数据,拟合实验测得的ACPDP显示屏内Ne Xe混合气体的击穿电压特性曲线(Ub～pd),从而确定了击穿电压(Ub)和MgO介质保护膜有效二次电子发射系数(γeff)之间函数关系式中的相关参数,并由此关系研究了老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO介质保护膜γeff的影响.结果表明,老炼开始时,击穿电压随着老炼时间的延长迅速降低,2 h后击穿电压逐渐趋于稳定.与此对应,MgO介质保护膜的γeff会随着老炼时间的延长迅速增大并在2 h后趋于稳定.当Xe的含量从0.5%升高到4%时,击穿电压会随着Xe的含量升高而升高,而γeff会随着Xe的含量升高而降低.本文使用的计算γeff的方法可以用于计算ACPDP屏内介质保护膜的γeff.     

真空中的电击穿

評論了真空击穿的理論及試驗情况。在极間距离为0.015时情况下进行的測量表明,在管內压强約10~(-5)～10~(-7)乇及所加电压頻率在0～6兆赫之間击穿无变化或很少变化。改变电极材料、几何形状及表面处理沒有提供显著的改进,但高压老炼或处理改善击穿特性1～2倍。阴极表面鬚形突出所增高的場致发射,致使場发射的預击穿电流的个別注流从阴极流向阳极。預击穿的电流,能使突出部分发生电阻加热及局部的电子轰击阳极加热,两者所产生的蒸发及毁坏效应能导致击穿。     

真空间隙中经臭氧化水处理的铜电极的表面状况及电击穿特性

氧化水处理有一优点，即可除去有机污染，从而在表面上产生一钝化氧化膜，且经处理的表面状况可在空气中保持。这一技术已被应用在无氧铜电极的表面处理中。实验结果表明：在无任何防护下，首次电压施加时，击穿场并不总是提高的，但在击穿处得到显著的老炼效应。此外，在经臭氧水处理的表面上附加的溅射净化提高了首次击穿场，表面分析证明，在经臭氧化水处理后，电极表面覆盖了一层氧化膜（CuO)，经过由脉冲电压产生的500次重复击穿的老炼后，这一薄膜被去除，暴露出大部分铜，这些结果是根据处理后的表面能在空气中保持的特点得出的。     

电子束器件、阴极射线管

9907254老炼激活规范对彩管耐压性能的影响[刊]/郑凯奇//真空电子技术.—1998,(6).—56～58(C)本文概述了彩色显像管跳火的机理,介绍和分析了生产过程各类耐压不良管的阴极表面状态以及老炼激活规范的针对性调整。参4     

电压瞬变对高压固态开关的影响

对于高压放电回路,高压开关是一个关键器件。高压放电回路中高压固态开关上电压可能出现瞬变,这种瞬变会引起高压固态开关的误触发或者击穿。开关的工作异常将导致整个放电回路的失效。本文从原理上分析了这种失效产生的原因,并且进行了电路仿真,通过仿真分析提出了如何去避免这种失效的发生,给出了相应的防护措施,最后通过实验验证了保护措施的有效性。     

真空灭弧室并联电容老炼的试验研究

真空灭弧室在排气台上的老炼是提高真空间隙的耐压水平的重要手段。目前在生产过程中我们一般是将电流和是 老炼分两步进行,这样生产效率相对较低。基于对目前真空灭弧室的电压,电流老炼工艺参数及其晰分析研究,我们提出了在灭弧室上并联电容春进行老炼,目的是提高灭弧在电压老炼后的击穿电场强度,适当地电压老炼的工艺过程,提高生产效率及产品的质量,降低生产成本。     

非对称束形成区的静态像散设计分析

作为改善彩色显示器件屏边缘聚焦性能的一种措施，电子枪束形成区静态像散设计被各种高质量彩管所采用，由于其结构的非轴对称性，其定量的模拟计算和设计必须使用CAD手段。本文分析了彩管像散的形成原因，并用我们自行开发的CAD软件对两种彩管电子枪的静态像散结构进行了定量的计算。     

电真空器件中的高压击穿现象分析

本文介绍了电真空器件高压击穿的机理,产生的原因,以及防止电子管高压击穿应采取的措施。     

印刷碳纳米管薄膜场发射失效行为研究

对基于印刷碳纳米管（CNT）薄膜的场发射器件的失效行为进行了研究。微观分析结果表明，器件失效主要是由真空击穿对CNT和导电衬底造成损坏所引起的。印刷CNT薄膜中存在的CNT团聚颗粒所造成的正反馈的发热和电流增加导致了真空击穿的发生。通过在真空室中对印刷CNT薄膜进行场发射条件下的老炼处理，有效地预防了真空击穿的发生，并使薄膜的场发射均匀性得到提高，证实了真空老炼对预防真空击穿和提高器件工作可靠性的作用。     

非对称束形成区的静态像设计分析

作为改善彩色显示器件屏边缘聚焦性能的一种措施，电子枪束形成区静态像散设计被各种高质量彩管所采用，由于其结构的非轴对称性，其定量的模拟计算和设计必须使用ＣＡＤ手段。本文分析了彩管像散的形成原因，并用我们自行开发的ＣＡＤ软件对两种彩管电子枪的静态像散结构进行了定量的计算。     

电极的脉冲电子束处理对真空击穿的影响

本文提出了一种用微秒低能强度电子束对电极进行了预处理的方法。它表明，这种电子束能使电极表面熔化并除去表面层的杂质和气体。接着，对真空间隙进行小电流脉冲放电老炼处理，即可获得较高的击穿电场强度。     

电极表面形态对真空击穿特性的影响

真空击穿是影响许多电子器件性能的一个重要因素,引起真空击穿的原因很多,其中电极的表面形态在真空击穿的起始阶段发挥着重要的作用。采用有限元法分析了不同电极表面形态对电极间电场的影响,研究表明当电极表面有凹凸缺陷时易引起击穿的发生,其中凸缺陷将导致电场强度几十倍增加,且圆锥形凸起引起的最大电场强度和尖端角度成线性关系;并进一步模拟研究了老炼对真空击穿特性的改进,结果表明老炼可将峰值电场强度降低70%以上。     

DSP芯片动态老炼系统设计与实现

在集成电路的可靠性筛选试验中，老炼试验是最重要和最有效的试验。针对静态老炼和传统动态老炼方式的局限性，提出了一种DSP芯片动态老炼系统的设计与实现方法。该动态老炼系统实现了老炼程序自动加载，可以实时监测每个工位老炼试验情况，将老炼过程中发现的失效电路及时剔除，试验结果可以自动存储，便于后期进行试验结果分析。相比静态老炼和传统动态老炼方式，该系统测试覆盖率更高，提高了产品可靠性。     

单断口和双断口真空灭弧室的绝缘强度

本文描述了对高压的真空灭弧室进行的绝缘实验。实验是在两种设计不同的真空室中进行的。两种实验对象的不同之处是其内部的开断单元的数量不同，另外，其屏蔽结构也有微小差异。在此基础上讨论在灭弧室相同的情况下，单、双断口结构绝缘性能的差异。实验显示由老炼作用的绝缘强度会提高，实验分别在交流电压和雷电冲击电（HIV）进行。     

片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究

根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因。据此提出改进措施。通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右。     

彩色显像管的跳火及其高压工艺

本文叙述了彩色显像管跳火的基本原理和抑制跳火的方法，详细讨论了彩管生产中高压处理工艺。