联想网御SOC实践——走中国特色的SOC之路（3）

联想网御公司2009年提出＂贴近用户,深入研究客户需求,不断为客户创造价值＂的经营理念和＂巩固网络安全、发展应用安全、布局管理安全＂的业务战略。在此战略的指导之下,公司把安全管理平台的发展提升到公司未来业务提升的关键一环,并给予了充分重视。     

统一安全管理，完善安全保障体系——走中国特色的SOC之路（1）

十多年来,随着信息化建设的不断深入,中国的信息安全建设也得到了飞速的发展。在历经了网络基础建设、数据大集中及网络安全基础设施建设等阶段后,各行各业逐步建立起了大量不同的安全子系统,如防病毒系统、防火墙系统和入侵检测系统等,国家主管部门和各行业也出台了一系列的安全标准和相关管理制度。但随着安全系统越来越庞大,安全防范技术越来越复杂,相关标准和制度越来越细化,相应的问题也随之出现：     

从实际出发，走中国特色的三网融合之路

进入二十一世纪，世界各国在信息领域的竞争日趋激烈．信息资源日益成为重要的生产要素、无形资产和社会财富．信息网络更加普及并日趋融合，三网融合成为不可逆转的潮流。许多国家纷纷把推进三网融合作为加速经济发展，推进信息产业、抢占发展主动权的重要举措，北美、欧洲以及日韩等国家相继出台了推进本国三网融合的法案及政策措施。我国政府对三网融合工作高度重视，2006年．国家《国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要》明确指出．     

做强基础软件走中国特色软件发展道路

基础软件包括操作系统、数据库管理系统、中间件、办公套件等，其是基础性、平台性的软件，是软件产业的上游和制高点，也是中国软件产业的软肋。最近发生的“黑屏”事件突出显示了基础软件对信息安全的重大影响，可以说，没有自主可控的基础软件就不可能保障信息安全。     

加强基础能力建设,走可持续发展之路——在中国集成电路设计业2012年会暨重庆集成电路创新发展高峰论坛上的报告

尊敬的各位领导、各位代表、女士们、先生们、朋友们,大家上午好!受理事会委托,我现在向大会报告过去一年中国集成电路设计产业的发展状况。我的报告题目是：加强基础能力建设,走可持续发展之路。2012年是中国集成电路设计产业在进入新世纪后走过的最艰苦的一年,也是在内外部环境压力下继续取得进步的一年。在党和各级政府的高度重视和持续支持下,     

坚持走中国特色新型工业化道路加快推进信息化与工业化融合——在2008中国通信业发展高层论坛上的讲话

很高兴参加2008中国通信业发展高层论坛。在当前全国贯彻落实十七届三中全会精神,全党学习实践科学发展观的新形势下,这次论坛以信息化与工业化融合的机遇与对策为主题,组织工业、通信业以及信息化领域的领导、专家、学者,共同探讨有关理论和实践问题。我觉得现实性很强,很有意义,相信对于坚持走中国特色新型工业化道路,加快推进信息化与工业化融合,将起到积极的促进作用。     

论传导抗扰度测试配置模型的充要条件(下)

2．6对电平设置回路的重新认识 输出电平值的设置，规定为50Ω测量仪上的电压是输出电动势的1／6V。电平设置等效图和Z（L）≥150Q，Z（C）≤150Ω情况下的简化图如图5和图6所示。     

Tuning the Dimensions and Periodicities of Nanostructures Starting from the Same Polystyrene‐block‐poly(2‐vinylpyridine) Diblock Copolymer

The controlled tuning of the characteristic dimensions of two‐dimensional arrays of block‐copolymer reverse micelles deposited on silicon surfaces is demonstrated. The polymer used is polystyrene‐block‐poly(2‐vinylpyridine) (91 500‐b‐105 000 g mol^–1). Reverse micelles of this polymer with different aggregation numbers have been obtained from different solvents. The periodicity of the micellar array can be systematically varied by changing copolymer concentration, spin‐coating speeds, and by using solvent mixtures. The profound influence of humidity on the micellar film structure and the tuning of the film topography through control of humidity are presented. Light scattering, atomic force microscopy, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and X‐ray photoelectron spectroscopy were used for characterization. As possible applications, replication of micellar array topography with polydimethylsiloxane and post‐loading of the micelles to form iron oxide nanoparticle arrays are presented.     

美国“星战”计划(SDI)前景如何(下)

美国"星战"计划要真正取得成功,必须重点发展几项关键技术,只有这些关键技术突破了,"星战"计划也许就能实现了.     

( NH4) 2Sx 溶液改善GaAs MESFETs 击穿特性的机理研究

使用（NH4）2Sx溶液对GaAs MESFETs进行处理。处理后，器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了，栅漏击穿电压有了显著提高。我们认为负电荷表面态影响着栅边缘的电场，负电荷表面态密度的增大会提高器件的击穿电压，这就是（NH4）2Sx溶液处理可改善GaAs MESFET击穿电压的原因。     

三腔分离腔振荡器高频特性分析

本文详细研究了三腔分离腔振荡器的高频特性,从圆柱坐标系下的Borgnis位函数的齐次标量Helmholtz方程出发,引入慢波驻波概念及其场表达式,利用Borgnis位函数的边界条件及相邻子区公共界面上的场匹配条件,导出了三腔分离腔振荡器内角向均匀TM模的色散关系及场分布,求得的谐振频率与实验中测得的微波频率一致.     

三腔分离腔振荡器高频特性分析

本文详细研究了三腔分离腔振荡器的高频特性,从圆柱坐标系下的Borgnis位函数的齐次标量Helmholtz方程出发,引入慢波驻波概念及其场表达式,利用Borgnis位函数的边界条件及相邻子区公共界面上的场匹配条件,导出了三腔分离腔振荡器内角向均匀TM模的色散关系及场分布,求得的谐振频率与实验中测得的微波频率一致.     

A Procedure for Calculating Fields Inside Arbitrarily Shaped, Inhomogeneous Dielectric Bodies Using Linear Basis Functions with the Moment Method (Comments)

The above paper recently described the use of a linear basis with polyhedral cells, which is a significant modification from previous block model solutions [1] which have used a pulse-function basis (PFB) with cubical cells (PFBC). It is reasonable to expect greater accuracy when the same number of cells is used with the new procedure, but some of the comments regarding earlier PFBC models maybe misleading.     

一种可计算包含色散媒质和集总元件电路的(FD)2TD方法

现有的计算集总元件的时域有限差分方程要求电容率和电导率是不随频率变化的量。而实际上,大多数媒质的这些参数随频率显著变化。Extended FDTD方程^[1-6]在分析色散媒质中含有集总元件(电阻、电容、电感)的混合电路时遇到了困难。本文给出的Extended (FD)^2TD方法可以解决这个问题,途径是将集总参数(R、C、L)包含到与频率相关的介电常数中。这种方法可以对实际的混合电路进行全波分析,同时通过一次仿真可获得宽频域的参数。