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相似文献
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1.
《红外技术》2013,(8):463-466
针对红外探测应用开展了长波GaAs/AlGaAs量子阱材料技术研究。系统地介绍了量子阱红外探测器材料的材料设计、生长和表征。基于一维薛定谔方程的求解获得量子阱材料的能带结构,进行量子阱材料的设计。采用分子束外延技术进行量子阱材料的生长研究。对量子阱材料的室温光荧光谱和高分辨率X射线衍射测试结果表现出材料高度晶格完整性以及平整界面。基于布鲁斯特角配置的傅立叶红外光谱测试获得了量子阱材料子带间跃迁吸收产生的红外吸收谱。采用该材料制备出高性能的量子阱红外焦平面探测器。  相似文献   

2.
超晶格材料与量子阱器件的发展提供了一条实现8~12μm红外探测的新途径,作者曾分绍过GaAs-GaAlAs n型光导多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga1-xInxSb应变超晶格材料和器件及HgTe-CdTe超晶格材料,本文将补充GaAs-GaAlAs p型光导多量子阱和光伏(或称Kastalsky)型红外探测器;以GaAs或InGaAs为基极的红外热电子晶体管(IHET);Ga1-xAlxSbAlGb超晶格材料和GexSi1-x-Si量子阱材料与内光电子发射红外探测器。这些都是目前研制长波红外材料与器件的热点。  相似文献   

3.
汪忆桦 《半导体光电》1991,12(4):357-362
量子阱结构作为新一代微电子器件材料而迅速崛起。文章在阐述能带工程基本原理的基础上,重点介绍多量子阱红外探测器的进展情况。  相似文献   

4.
半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。本文在简要综述其单元探测器的基础上,着重介绍这种材料用于红外探测器列阵和焦平面的新成果。  相似文献   

5.
GaN基量子阱红外探测器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了实现GaN基量子阱红外探测器,利用自洽的薛定谔一泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应,通过设计适当的量子阱结构,利用自发极化和压电极化的互补作用,设计出了极化匹配的GaN基量子阱红外探测器,为下一步实现GaN基量子阱红外探测器做好了准备。  相似文献   

6.
首次采用不同偏压下的光伏谱方法无损测量到双势垒量子阱红外探测器结构的量子阱带间跃迁光伏谱响应.分析结果支持探测器有源区存在内建电场的说法:量子阱区存在由生长不对称引起的指向衬底的内建电场,同时势垒区存在相反的内建电场.  相似文献   

7.
本文利用分子束外延(MBE)技术成功生长了GaAs/AlGaAs 非均匀量子阱红外探测器材料,并对相关微结构作了细致表征。分析比较了非均匀量子阱结构和常规量子阱红外探测器性能差异,并对比研究了不同势阱宽度下非均匀量子阱红外探测器的性能变化。通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)结合能谱仪(EDS)对非均匀量子阱红外探测器材料微结构进行了分析,并利用二次离子质谱仪(SIMS)对非均匀势阱掺杂进行了表征。结果表明,该量子阱外延材料晶体质量很好,量子阱结构和掺杂浓度也与设计值符合较好。对于非均匀量子阱红外探测器,通过改变每个阱的掺杂浓度和势垒宽度,可以改变量子阱电场分布,而与传统的均匀量子阱红外探测器相比,其暗电流显著下降(约一个数量级)。在不同阱宽下,非均匀量子阱的跃迁模式发生改变,束缚态到准束缚态跃迁模式下(B-QB)的器件具有较高的黑体响应率以及较低的暗电流。  相似文献   

8.
量子级联红外探测器   总被引:1,自引:0,他引:1  
半导体基中远红外探测器在成像、传感、国家安全以及国防领域具有广泛的应用背景.目前,在这个领域最主流的技术之一是量子阱红外探测器( QWIPs).传统的量子阱红外探测器往往存在较大的暗电流和较低的工作温度等限制.量子级联探测器( QCDs)是一种新型的光伏型量子阱红外探测器.其工作原理基于电子吸收光子后在量子阱的子带间跃...  相似文献   

9.
本文综述了超晶格和量子阱红外探测器的发展。文章简要地阐明了超晶格和量子阱的原理,详细地介绍了业已发展的各种超晶格和量子阱红外探测器的原理、结构和性能等。还介绍了几种最有希望用于探测器制造的超晶格材料。  相似文献   

10.
采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器外延材料。通过对量子阱红外探测器材料特性和器件特性的实验测试及理论分析,研究了量子阱红外探测器的响应光谱特性,并通过薛定谔方程和泊松方程的求解,对掺杂对量子阱能级的影响做了研究。结果表明,由于应力导致的能带非抛物线性使得阱中能级发生了变化,从而引起吸收峰向高能方向发生了漂移,而阱中进行适度的掺杂没有对量子阱能级造成影响,光致发光谱实验结果与之吻合较好。在光电流谱的实验分析基础之上,分析了量子阱阱宽、Al组分与峰值探测波长λ的关系,为量子阱红外探测器的设计优化提供了参考。  相似文献   

11.
GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器实用性探讨   总被引:1,自引:1,他引:0  
通过长波GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器线列在红外像机上的应用演示及其成像效果与传统HgCdTe探测器的比较,直接地显示了GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器在红外焦平面应用领域具有很强的竞争力。  相似文献   

12.
大面积多元PbS探测器均匀度研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了研制的大面积多元PbS红外探测器的各项技术指标,叙述了PbS膜的微区分析、PbS光敏膜的制备、PbS光敏图形的刻蚀等几个关键工艺技术的研究情况,说明了大面积多元PbS探测器的研制水平。  相似文献   

13.
马飞  刘琦  樊奔  王鹏 《红外》2014,35(8):10-14
针对InGaAs短波红外探测器的配置需求,提出并设计了基于现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)的短波红外探测器配置方法。以FPGA作为核心处理器,利用VHDL语言实现了短波红外探测器的配置功能。通过RS-232接口,可与上位机进行通信和在线发送及调整探测器输出数据的顺序等参数,并通过指令切换探测器的积分之后读出(Integrate Then Read,ITR)工作模式和积分同时读出(Integrate While Read,IWR)工作模式。实际应用表明,本文的配置方法能够使短波红外探测器正常工作,能够灵活调整工作模式和配置参数,满足短波红外探测器的实际应用需要。  相似文献   

14.
通过对SPR制冷型InSb红外光伏探测器相对光谱相应的测试及滤光片透过率谱的测试,发现了场镜、滤光片、红外探测器组合件的光谱响应同滤光片技术条件的关系和差别.  相似文献   

15.
运用光调制光谱方法测量了GaAs/AlxGa(1-x)As多量子阱红外探测器材料的调制反射谱,结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Al组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数,结合实验结果,采用Kronig-Penny模型对材料能带结构进行了理论计算,与实验结果相符.  相似文献   

16.
提出了高温超导晶界结型红外探测器在液氮温区可能同时存在测辐射热和光致非平衡两种效应的工作原理,给出了两种效应的响应率计算式,并在实验上研制了性能指标较高的YBa_2Cu_3O_(7-x)红外探测器。  相似文献   

17.
智能化红外焦平面探测器的出现,依赖于先进的红外材料、器件技术和工艺水平以及集成电路技术和工艺的飞速发展;其能够针对不同的场景对探测器的工作状态进行自适应调整,而且在探测器上能够实现部分信号处理功能。智能化红外探测器的出现,大大提高了红外系统的灵活性,同时为日益复杂的探测场景提供了更加精准的探测能力。本文从智能化红外探测器应用的背景需求作为切入点,阐明发展智能化探测器的必要性;最后介绍了智能化红外探测器发展状况及未来发展趋势。  相似文献   

18.
提出了一种由基于红外上转换原理的短波红外阵列探测器设计方案,即利用电子俘获材料薄膜与普通CCD摄像机耦合组成复合式短波红外阵列探测器,通过电子俘获材料的波长转换功能,间接实现对短波红外激光的探测.分析和研究了复合式探测器的薄膜制备、泵浦光源设计、滤光装置设计、耦合方式设计及图像处理系统等关键技术问题,并对样机进行了短波红外激光探测实验.结果表明,复合式探测器在对1060 nm、1310 nm、1550 nm等短波红外波长激光的探测上均有良好表现.  相似文献   

19.
在用于封装长波QWIP-LED量子阱探测器的杜瓦研制中,详细阐明了一种用于封装长波QWIP-LED量子阱红外探测器的结构,结构采用侧罩式设计,光信号从红外窗口进入,近红外窗口透出,提出了一种探测器胶接在管座上,管座整体再螺接在冷头的方法,提高探测器的互换性,通过热适配设计,降低低温应力对探测器影响,选择低冷损的TC4材料,降低杜瓦漏热,基本解决了长波QWIP-LED量子阱探测器杜瓦组件的关键技术,性能指标达标,成像效果良好,达到工程封装要求。  相似文献   

20.
凝视型红外焦平面组件的军事应用   总被引:7,自引:3,他引:4  
随着军事技术的发展,对用于侦察和制导的红外探测 器的要求也越来越高。目前,红外探测器已发展到了第三代--红外焦平面列阵。文中着重讨论了凝视红外焦平面的概念,并介绍了其与机械扫描系统相比应用于军事目的的优点,如提高了信噪比和热灵敏度、结构紧凑、更好地发挥探测器的快速 性、易于信号处理和可批量生产等。针对各个波长范围内的应用情况,对如何利用现有技术发展红外凝视系统提出了几点建议。  相似文献   

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