电光调制的频谱特性—I.外腔调制

从外腔电光耦合调制输出光场振幅和光场强度的频谱展开出发,研究了外腔电光调制的调制方式.引入相对谐波畸变,得出了电光调制在不同直流偏压下,可近似为振幅调制和强度调制的条件,实验结果与理论分析相一致.     

电光调制系统设计

调制是光电系统中的一个重要环节.光辐射的调制是指改变光波振幅、强度、相位或频率、偏振等参数使之携带信息的过程.调制的目的是对所需处理的信号或被传输的信息进行某种形式的变换,使之便于处理、传输和检测.目前用得较多的是电光调制、声光调制等方法.文中介绍的电光调制系统主要是验证电光调制原理以及介绍电光调制在激光通信方面的应用,通过此系统了解晶体电光调制的原理和实验方法,以便在此系统中测量晶体的半波电压、电光系数和消光比等参量.     

周期相位调制光束的放大

为研究周期相位调制光束的放大特性,在分析激光放大介质跃迁谱线线型对损耗、受激辐射截面及饱和能量密度等参量影响的基础上,改进了原先的脉冲放大模型。以Nd∶YLF放大器为例,实验中获得的时间波形调制周期约为300ps,与计算结果330ps吻合较好;同时依据该模型计算分析了影响放大输出时间波形的主要因素,入射光场中心频率与跃迁谱线中心频率的匹配能有效降低相位调制-振幅调制(PM-AM)效应,为抑制该效应提供了依据。     

光调制平衡电光检测

介绍了一种新的电光检测方法 ,即光调制平衡电光检测技术 .它通过调制探测光信号 ,利用差分平衡 ,实现对样品电场的锁相检测 .这种方法不调制被测电信号 ,可彻底消除对被测电场的影响 ,而且方法简单 ,便于操作 .介绍了光调制平衡电光检测系统及检测原理 ,以 Ga P为样品 ,对静态电场进行了模拟测量 .将此方法应用于电光取样技术 ,测量了 Ga As共面波导在频率为 3GHz下的微波信号 .     

光调制平衡电光检测

介绍了一种新的电光检测方法,即光调制平衡电光检测技术.它通过调制探测光信号,利用差分平衡,实现对样品电场的锁相检测.这种方法不调制被测电信号,可彻底消除对被测电场的影响,而且方法简单,便于操作.介绍了光调制平衡电光检测系统及检测原理,以GaP为样品,对静态电场进行了模拟测量.将此方法应用于电光取样技术,测量了GaAs共面波导在频率为3GHz下的微波信号.     

内腔耦合电光调制光学多稳特性的理论分析

本文从F—P腔及电光调制器的基本特性出发,分析了具有光电反馈装置的内腔耦合调制输入与输出特性关系;数值计算表明,输出光强将呈现双稳、多稳及多双稳特性。     

GaP直接电光调制特性研究

对淡黄色透明电光晶体ＧａＰ衬底上的共面波导进行了直接电光调制测量．获得了ＧａＰ的输入电压与电光调制输出的线性曲线和２６ｍＶ·Ｈｚ－１２的电压灵敏度,并与ＧａＡｓ直接电光调制特性相对比,分析了ＧａＰ直接电光调制的输出特性     

固体激光高重复率电光Q开关研究

对光学晶体的电光效应进行了深入地分析,应用谐振腔原理研制出折叠循环腔式高重复率电光开关.在电光晶体上施加小振幅的调制电压,可获得高重复率窄脉冲光信号,调制频率可达到60～100 MHz.这种电光开关可应用于电光Q开关、电光调制器、计数器等.     

CdTe内腔耦合调制特性的研究

本文对CdTe内腔耦合调制进行了理论分析和实验研究。考虑类透镜介质的热透镜效应和CdTe晶体折射率对腔结构的影响,应用模象理论和等效腔镜处理,对耦合调制输出特性进行了理论计算,与实验测量获得了一致的结果。由此还得到一种可以方便地测量放电管小信号增益和连续调整腔内损耗的方法。文中对耦合调制在不同条件下的调制模式进行了分析,得出了可近似表为振幅调制和强度调制的条件,比较了不同直流偏压下两种模式的近似误差,     

电光调制的新方法

本文介绍了一种电光调制的新方法。与一般的电光调制过程相比较,具有半波电压低,通光孔径大等优点。实验结果与理论分析极其相符。