共查询到10条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
4.
随着技术的不断发展,舰用雷达与电子对抗设备已越来越多地采用功率行波管作为发射源,以适应快速变频的需要.目前,功率行波管正向着更大功率和更宽频带的方向发展.由于新型功率行波管价格昂贵、数量较少,所以设备研制单位在开发和试用时不得不采取各种保护措施.其中,撬棒保护能有效地防止行波管发生意外损坏.随着撬棒的不断小型化,此项保护技术正在更多地引起设计人员的重视. 相似文献
5.
本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。 相似文献
6.
为了在5 V片上输入输出端进行静电放电(ESD)防护,提出了一种新型的LVTSCR结构。使用Silvaco 2D TCAD软件对此器件进行包含电学及热学特性的仿真。此新型器件交换了LVTSCR中N-Well的N+、P+掺杂区并引入了一个类PMOS结构用来在LVTSCR工作前释放ESD电流。器件仿真结果显示,与LVTSCR相比,该器件获得了更高的维持电压(10.51 V),以及更高的开启速度(1.05×10-10 s),同时触发电压仅仅从12.45 V增加到15.35 V。并且,如果加入的PMOS结构选择与NMOS相同的沟道长度,器件不会引起热失效问题。 相似文献
7.
本文研究了通过脉冲等离子源触发的真空触发时(简称TVS)的起动特性,等离子源通过辅助RL线路与TVS的主阴极连接,相对于流过放电电流的主阴极,R线路调节了等离子源了电位。等离子(通过触发装置产生的)与阴极间出现的击穿现象的条件已确定。根据获得的数据,完成了TVS起动特性作为RL线路参数的函数,当起动的范围从1变到12KV,放电电流上升率为5.10^10A/S,电流达4KA,触发电流为90A时,测得 相似文献
8.
对于工作电压为5 V的集成电路,低压触发可控硅(LVTSCR)的触发电压已能满足ESD保护要求,但其较低的维持电压会导致严重的闩锁效应。为解决闩锁问题,对传统LVTSCR进行了改进,通过在N阱下方增加一个N型重掺杂埋层,使器件触发后的电流流通路径发生改变,降低了衬底内积累的空穴数量,从而抑制了LVTSCR的电导调制效应,增加了维持电压。Sentaurus TCAD仿真结果表明,在不增加额外面积的条件下,改进的LVTSCR将维持电压从2.44 V提高到5.57 V,能够避免5 V工作电压集成电路闩锁效应的发生。 相似文献
9.
10.
研制100kHz调制器,既要满足其设计指标,又要满足多注管特定的工作环境,给设计和调试带来难度。重点叙述了研制调制器过程中遇到的问题及其解决方法。最后给出了主要参数的计算和调制器测试结果。 相似文献