AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.     

AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.     

AlGaN器件欧姆接触的研究进展

作为制备光电子器件例如紫外光子探测器、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结场效应管等的一种宽禁带半导体材料, III V 族氮化物AlGaN器件近年来颇受关注.AlGaN与金属之间的低阻欧姆接触的实现问题阻碍了AlGaN(基)器件的发展.通过对相关文献的归纳分析,介绍了近年来AlGaN器件在欧姆接触形成、金属化方案、合金化工艺及表面处理等方面的研究进展.     

AlGaN/GaN界面特性研究进展

GaN是一种宽禁带半导体材料,由于具有优越的热稳定性和化学稳定性,使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中,并可用于大功率微波器件。本文主要介绍AlGaN/GaN有关界面特性,该特性反映了纵向纳米尺度下的能带特性;从AlGaN/GaNHEMT设计出发,给出了材料性质和结构参数对AlGaN/GaN异质结二维电子气特性影响的研究结果;讨论了AlGaN/GaN界面2DEG载流子的输运性质;分析了材料缺陷对AlGaN/GaN界面2DEG性质的影响;指出了有待研究的问题和方向。     

用InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触电阻

提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触.通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的InGaN/AlGaN,InGaN/GaN和GaN/AlGaN三种超晶格中Mg杂质离化率的空间分布.计算发现InGaN/AlGaN超晶格具有最高的Mg杂质离化率及最佳的空穴局域作用.最后,利用p-InGaN/AlGaN超晶格实验上实现了比接触电阻率为7.27×10-5Ω·cm2的良好欧姆接触.     

等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理

对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构AIGaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析AlGaN表面,等离子体干法刻蚀增加了AlGaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与AlGaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使AlGaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与AlGaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,AlGaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.     

肖特基金属对AlGaN/GaN二极管电学特性的影响

肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性。在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器件,基于电流电压(I-V)和电容电压(C-V)测试结果,计算得到了三者的沟道二维电子气(2DEG)密度。并通过薛定谔和泊松方程自洽求解计算得到了三者的肖特基接触势垒高度、导带底能带图和沟道2DEG分布情况。研究发现金属功函数越小,势垒高度反而越高,沟道2DEG密度越小,GaN侧的沟道三角形势阱变得越浅。这主要是由于金属功函数越小,电子能量越高,与AlGaN势垒层表面态的电子耦合作用越强所致。     

等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理

对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构AIGaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析AlGaN表面,等离子体干法刻蚀增加了AlGaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与AlGaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使AlGaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与AlGaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,AlGaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.     

表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理

研究了溶液表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸(HNO3+HF)、稀盐酸(HCl)和硫代乙酰胺(CS3CSNH2)溶液处理AlGaN表面后,Ti/Al/Ti/Au电极的比接触电阻率有显著的降低。样品表面Ga3d与O1s的X射线光电子能谱(XPS)测试结果显示:氧元素含量明显降低,表明这三种溶液可以有效地去除AlGaN表面氧化层,其中CS3CSNH2效果最佳;Ga3d峰位在表面处理后发生蓝移现象,相当于AlGaN表面处的费米能级向导带一侧移动,使电子在隧穿过程中的有效势垒高度降低。以上两个因素均对优化AlGaN/GaN欧姆接触有十分重要的意义。     

AlGaN材料的MOCVD生长研究

文章研究了AlGaN材料的MOCVD生长机制。在位监控曲线表明,AlGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于Al原子表面迁移率太小,随着TMAl流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着Al组分的增加而下降,AlGaN的表面形貌也变差。随着TMAl流量的增加,AlGaN材料的生长速率反而下降,这是由于Al原子阻止了Ga原子参与材料生长。实验还发现,由于TMAl与NH3 之间存在强烈的寄生反应,AlGaN材料中的Al组分远小于气相中的Al组分。文中简单探讨了提高AlGaN材料质量的生长方法。     

智能语音操控在广电端到端的系统设计及应用

在数字化中国的大背景下,在公司个人宽带与互动电视在线交费用户均突破300万户的情况下,为解决我们的用户总找不到自己喜欢看的节目,记不住频道名称和喜欢的节目,提升公司竞争力。通过对前端的点播系统、AAA系统、EPG系统、PORTAL系统、ISMP系统、媒资系统、机顶盒终端的功能进行剥离、整合和详细设计,最后完成终端用户语音操控电视直播、点播、时移、回看、页面操控、系统设置,并支持普通话和四川话方言的目的。达到提升用户体验,增加公司竞争力,促进业务的发展。系统试运行后,用户体验效果得到很大提升,完全达到预期设计目的。     

胆小管超微细胞酶学研究

以电镜细胞化学的方法,观察了小鼠胆小管酶的分布。观察的12种酶中,NDPase和G6Pase三种酶分布于胆小管微绒毛;AlPase、Na~+-K~+ATPase、Mg~(++)-ATPase、Ca~(++)-ATPase、CMPase、ACase和5＇-Nase等7种酶分布于胆小管微绒毛,也分布于肝细胞邻接面细胞膜和Disse间隙微绒毛;ACPase、细胞色素氧化酶以及线粒体ATPase不分布胆小管微绒毛,也不分布Disse间隙微绒毛和肝细胞膜。据信,胆小管微绒毛上的酶参与胆汁成份的转运,提供转运所需能量以及还可能与某些代谢过程有关。本实验中磷酸水解酶类使用的铈基法及亚铁氰化钾半还原的锇酸后固定法,效果优于铅法。     

现代机载光电探测系统的性能验证技术

机载光电探测系统，从光谱波段划分来讲，包括紫外、可见光、近红外、短波红外、中／长波红外等。现代战争所需要的机载光电探测系统，往往要求多光谱、同视场、同路经、同时段，多源探测模式。作为现代机载光电探测系统，由于其结构和技术的复杂性，按照以往传统的功能和性能考核方法，已不能满足要求。必须针对现代机载光电探测系统的特点，提出特定的考核指标，设计特定的试辁方案。对工作在中波红外和长波红外区域的探测系统，MRTD是使用得最广泛的综合性能指标参数，它考虑了系统各个环节及人机工效特性；对工作在可见光和近红外区域的探测系统，MRC表征了系统的最小可分辨对比度。     

用平衡树实现集合运算的研究之三

在上篇Search(f,r,a)函数基础上对平衡树的插入算法Inseart(r,a)进行了深入的研究.首先用Search(f,r,a)函数判别a是否在Tr中,若a已在Tr中插入结束,否则Search(f,r,a)函数给出a应插入于Tr中的位置f,据f的不同情况实施插入.在Inseart(r,a)算法中,引入了Inseartasleaf(f,a)过程,对该过程中的Inseartasleaf31(f,a)算法进行了详细论述,最后给出了Inseart(r,a)时间复杂度的证明.     

浅论雷达装备"双三化""三新"与"三性"

雷达装备的"三性"是装备战斗力最重要的组成部分,是使用方关注的焦点."双三化"和"三新"是"三性"的基础和动力.文中从雷达装备的"双三化"、"三新"和"三性"概念入手,深入分析了"双三化"与"三新"的相互关系,对雷达装备技术跨代的推动作用,与雷达装备"三性"的内在联系及影响,三者目前的发展动态及未来发展方向.     

FPGA技术在数字声波升级仪器中的应用

该文介绍了使用美国ACTEL公司的ProASICplus系列芯片来实现数字声波测井仪中编解码,采样参数控制,内部构造两个双端口 RAM作为模数转换器和DSP之间的数据缓冲器,以及波形数据上传等功能.该设计采用了单片FPGA芯片代替原先多DSP和多FPGA芯片,完成增益控制,采集控制,指令编解码等功能,同时使电路简单,器...     

面向智能配电的异构融合通信网络动态负载均衡

随着经济的发展,人们对信息的需求也就越来越多,电网公司也在不断发展起来.通过建立面向智能配电的网络动态模型,分析了模型的具体内容及其业务上的划分,另外,还分析了负载均衡的相关问题.同时,为了更好地研究智能配电的相关系统,需要对模型的仿真效果进行分析.本文主要从模型及业务划分、均衡分析、仿真分析三个方面加以展开.     

音圈电机稳速系统及图形化调试界面设计

传统像面扫描系统通常由旋转电机驱动,转动变平动,存在中间传动环节,引入摩擦、间隙、机械形变等问题,破坏系统高速运行时的稳定性。文章设计了由音圈电机驱动的像面扫描系统,具有无滞后、高响应、高加速度、高速度、控制方便等优点,实现了高精度往复运动,获得了高质量图像。在调试像面扫描控制器参数的过程中,开发了基于Labview和GEL语言的图形化调试界面,缩短了开发周期,可以推广到其他电机控制调试系统中。     

网格特征的进一步讨论

网格的本质特征主要是低成查高效能、安全性更可靠、异构整合调度；一般物理特征具有充分共享性、虚拟抽象性、有机集成性和合理协商性等。网格还具有分布复杂，规模巨大；资源汇集，充分共享；动态增减，异构多样；同构类似，管理多重等普通特征。网格的多方参与性特征体现在源于各方，差异性强；数据海量、．功能不同；多方建设、协同维护；用户众多、需求各异。分析、研究这些特征对网格技术研究、应用以及网格建设有重要意义。     

纳电子学的发展

进入21世纪,2004年集成电路的特征尺寸已进入90 nm节点,标志着微电子进入一个新的纪元,即进入了纳电子时代。介绍和总结了纳电子的新进展,包括纳电子的两条发展技术路线:其一是继续按自上而下的方法,以CMOS技术为基础,不断改变栅结构,改变沟道材料,增强控制电子的能力;其二是自下而上的新思路,采用新的器件结构,向自组装发展。此外,还介绍了"后CMOS"器件的工作原理、当前的实验以及和MOSFET相关的性能和面临的挑战。并预计了纳电子未来发展的趋势。