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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 66 毫秒
1.
用CO2红外激光诱志化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大,则SiH4受热温度越高,纳米Si的成核率越高,纳米Si核的密度越大,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值,则SiH4温度太低,不能裂解。SiH4的流速越快,则纳米Si成核后生长期越短,纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值,则SiH4受热时间太短,升不到裂解所需的高温。以上2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H,3440cm^-1光谱带红移并增强,2150cm^-1光谱带形状变化,1100cm^-1光谱带形状变化,1100cm^-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中,从低于300℃的温度开始退火。  相似文献   

2.
对激光化学气相沉积纳米硅的红外光谱进行了研究,结合红外光声光谱考察了退火处理对其红外光谱吸收峰位置的影响,对纳米硅的红外吸收峰进行了标识和讨论。  相似文献   

3.
激光诱导化学气相沉积纳米硅的红外光谱   总被引:1,自引:0,他引:1  
对激光化学气相沉积纳米硅的红外光谱进行了研究,结合红外光场光谱考察了退火处理对其红外光谱吸收峰位置的影响,对纳米硅的红外吸收峰进行了标识和讨论。  相似文献   

4.
多孔硅发强可见光的新物理模型   总被引:18,自引:1,他引:17  
秦国刚  贾勇强 《半导体学报》1993,14(10):648-651
本文提出一个关于多孔硅发强可见光的物理模型:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒中的电子-空穴对能量增高与电子-空穴对通过纳米硅粒以外的发光中心复合而发光。在用阳极氧化刚制备或用HF酸刚处理过的多孔硅中,硅-氢键特别是多硅烷可能是主导的发光中心,而在经过适当氧化处理后发光比较稳定的多孔硅中,发光中心可能是氧化层中的点缺陷或杂质。  相似文献   

5.
多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射   总被引:2,自引:0,他引:2  
林军  姚光庆  段家  秦国刚 《半导体学报》1995,16(12):947-950
对特定工艺制备的多孔硅进行干氧氧化处理,观察到光致发光峰位波长为370nm左右的紫外光发射.紫外光强度与高温氧化温度有关,当氧化温度为1000℃时,多孔硅紫外光发射最强,而在1150℃温度下氧化5min,多孔硅纳米硅粒消失后,紫外发射变得很弱.紫外光峰位与氧化温度无关,但在1000℃氧化的多孔硅光致发光谱中出现附加的位干360nm的发光峰.如认为光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,而光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅的SiOx层中的两种(或多种)发光中心上,则本文的实验能被很好解释.  相似文献   

6.
Triode PECVD氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积(TriodePECVD)系统,适当选取硅烷(SiH4)和氢气(H2)流量比制备纳米硅(nc-Si:H)薄膜.保持栅极偏压为-100V,改变SiH4、H2流量比可以得到薄膜从非晶硅(a-Si:H)到nc-Si:H的结构转变,其氢气流量比例[H2]/([H2]+[SiH4])的阈值为93.3%.随着流量比进一步增大,晶化比例从12%增大至50%,但晶粒尺寸基本保持不变,nc-Si晶粒的平均尺寸约2.5nm,这是不同于常规二极管PECVD、氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果,并从实验上验证了电导率和电子迁移率的渗流现象.  相似文献   

7.
0626019阳极氧化中烧损行为及防止〔刊,中〕/王平//西华大学学报(自然科学版).—2006,25(4).—41-43(G)0626020利用热退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅粒〔刊,中〕/薛清//量子电子学报.—2006,23(4).—565-568(L)报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法。氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。实验结果表明:在快速升温条件下所形成的nc-Si在薄膜中的分布是随机均匀的,直径在1.6~15nm范围内,硅粒大小随退火过程中升温快慢而变化。参70626021脉冲电沉积Ni-W合金镀层的摩擦磨损性…  相似文献   

8.
利用等离子体增强化学气相沉积方法.在SiH4/N2O反应气体中掺入PH3和B2H6制备了用于硅基SiO2平面光波导的硼磷硅玻璃覆盖层.分析了磷掺杂和硼掺杂对折射率的影响,提出了选择掺杂气体流量匹配折射率的方法.研究了退火温度和气氛对膜层性能的影响.高温退火使膜层的折射率趋于稳定,对光的吸收损耗减小;采用氧气退火可以抑制和消除氮气退火时膜层中出现的下透明的微晶粒,改善膜层质量.采用多步沉积退火方法,消除了台阶覆盖层出现的空洞和气泡,得到了台阶的覆盖性和覆盖平坦度都较好的硼磷硅玻璃膜层.  相似文献   

9.
硅炼分子是激光合成纳米氯化硅的重要原料。搞清楚硅烷分子化学反应中的发光行为是很有必要的。我们用交叉分子装置,研究了硅烧分子与氟原子反应的化学发光光谱,在可见光范围内,记录了SiH(A-X),SiF(A-X)HF泛频谱等清晰的光谱。光谱随实验条件而变化。真空室气压为2.  相似文献   

10.
以硅-二氧化硅复合靶作为溅射靶,改变靶上硅与总靶面积比为0%,7%,10%,20%和30%,用射频磁控溅射方法在p型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜.所有样品都在300℃氮气氛中退火30分钟.通过X射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出:随着硅在溅射靶中面积比的增加,所制备的氧化硅薄膜中纯硅(纳米硅)的量在增加,纳米硅粒的平均光学带隙在减小;但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于1.9eV,随硅在溅射靶中面积比增加,发光峰有很小的红移,其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量.  相似文献   

11.
刘启能 《激光技术》2008,32(3):327-327
为了研究杂质的吸收对光子晶体滤波器设计的影响,引入复折射率并利用特征矩阵法,计算了滤波透射峰的峰值和半峰全宽。滤波透射峰的峰值随杂质的消光系数增加而迅速减小,滤波通道透射峰的半峰全宽随消光系数增加而增大,滤波透射峰的峰值和半峰全宽都随吸收杂质的光学厚度的增加而减小。结果表明,设计光子晶体滤波器时,必须考虑杂质吸收这一重要因素,应选择消光系数小于0.002的掺杂材料,并且杂质的光学厚度应设计在2(λ0/4)左右。  相似文献   

12.
近红外光谱技术在水果品质无损检测中应用的研究与现状   总被引:6,自引:0,他引:6  
付兴虎付广伟  毕卫红 《红外》2006,27(2):33-37,48
简单概述了我国水果产业的发展现状,着重阐述了国内外利用近红外光谱技术进行水果品质无损检测的最新研究进展,分析了当今研究中存在的问题,并对利用近红外光谱技术进行水果检测的前景进行了展望,提出了一些建议。  相似文献   

13.
近年来,在线学习掀起了一场席卷全球的教育革命,MOOC/SPOC、翻转课堂、混合式教学对高等教育带来了前所未有的冲击。电子技术基础实验课程地位特殊,传统教学方式已无法满足创新性人才培养的需要,文章从其教学特点出发,提出了“线上教学+自主实验+翻转课堂”的混合式教学模式,同时还阐述了与此密切相关的集约化线上教学资源平台、智能化翻转教学环境以及多元化过程性考核评价机制三个重要环节。经研究发现,学生的课堂主动参与度、自主学习能力、创新思维能力、动手实践能力以及教师的教学创造力得到全面提升。教学环境支持课堂互动和全周期教学行为数据采集,体现了教学过程的信息化、教学实施的精准化和教学评价的客观化,实现了信息技术与实验教学的深度融合。  相似文献   

14.
Sn-Zn-Ag系无铅钎料焊接性能研究   总被引:8,自引:1,他引:7  
讨论了电子软钎料的钎焊性能及其影响因素,并采用铺张面积法对Sn-Zn-Ag系钎料钎焊性能进行评估。钎料的钎焊性能很大程度上取决于钎料对基板的润湿性能,而润湿性能与液态钎料在基板上的液、固、气三相界面的界面张力有关。对润湿角(θ)与铺展面积(S)之间的关系进行了探讨。  相似文献   

15.
严佳婷 《电子测试》2013,(20):119-120
上市公司为了增强市场竞争力,不断扩大生产规模,追求规模经济,但是由于我国较低生产力水平、政府干预、体制等原因,上市公司的规模经济效果并不明显。同时,20世纪90年代以来,科学技术的日益发展,改变了企业发展的外部环境和条件,使得规模经济的实现方式发生了新的变化。在信息化时代下,规模经济理论需要进一步创新和拓展,企业按照新形势来选择合适的经济规模。  相似文献   

16.
介绍了将Authorware用于制作《电工学》课件过程和方法,该软件制作的课件具有良好的动态画面及特技效果、体系完整、操作方便、易学易用。  相似文献   

17.
汉语中,协同发音主要取决于相邻前一音节末尾的元音,以及相邻后一音节首的辅音。主要考察在汉语普通话双音节中,第一音节元音韵母和不同第二音节声母组合时对第一个音节元音共振峰轨迹的影响。元音韵母选用元音三角形的3个顶点的元音,总结了轨迹变化的规律。  相似文献   

18.
Ne原子2P_j能级寿命的测定   总被引:1,自引:0,他引:1  
周达君  程捷  李润华 《中国激光》1994,21(9):739-744
提出了一种测量原子高激发态能级寿命的简单方法,该方法采用与能级寿命同数量级的光脉冲二步激励样品,测量光电流信号与探针脉冲延时的关系,在四能级模型基础上,通过计算机模拟,求得结果,与其他方法所得结果一致。  相似文献   

19.
基于压电双晶片本构方程,采用机电耦合系数的一种新的“更为合理的定义方法,分析了动态情况下悬臂梁式双晶片执行器或换能器的机电耦合特性,仿真了分析了机电耦合特性与器件材料,几何尺寸以及信号频率之间的关系,结果表明,机电耦合系数随双晶片几何尺寸及信号频率起伏变化,起伏幅度随信号频率的增大而减小,随双晶片长度厚度比的增大而减小。  相似文献   

20.
中文电子签名认证的预处理技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
中文电子签名认证的预处理技术包括阈值技术、字切分和规范化。文章对这几种技术进行了全面的分析,并给出了相应的实验结果。  相似文献   

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