基于高阶模干涉的光纤应变传感器

介绍一种利用光纤内的高阶模干涉原理实现对应变测量的新型光纤应变传感器.在采用相同光纤的条件下,该应变传感器具有与光纤布拉格光栅(FBG)相反符号的应变系数,其温度灵敏度与FBG传感器相同,而应变灵敏度约为FBG传感器的2倍,非常适合与FBG结合实现应变与温度的同时测量,并具有结构简单、制作方便和成本低等特点.     

分布式光纤测温技术在天馈线维护中的应用

分布式光纤测温系统基于光纤的背向拉曼散射温度效应和光时域反射理论,采用连续分布的光纤对大范围的设备进行温度监测,具有结构简单、安装方便、抗干扰能力强等特点,适合于广播电视天馈线设备温度监测的应用.     

光纤高温传感器的研究进展及应用

对高温光纤温度传感器的最新研究进展做了简单的归纳和总结,阐述了几种典型的光纤高温传感器,对各种光纤传感器的工作原理和特点进行了详细的论述,最后对其应用前景进行了展望.研究表明:高温光纤温度传感器具有优良的特性,能够在恶劣环境下测量极高的温度.     

基于法布里-珀罗干涉的光纤倾角传感技术研究

提出一种基于法布里—珀罗(Fabry Perot,F P)干涉的光纤倾角传感器,该传感器由单模光纤和毛细管组成。首先,分析光纤干涉原理和倾角传感原理;然后,制作封装光纤倾角传感器;最后,完成光纤F P传感器倾斜实验,通过对采集得到的数据分析得到传感器倾角的响应特性,并进行温度实验探究温度对传感器波长漂移的影响。实验结果表明:在0°～10°测量范围内,测量角度和反射波长呈线性关系,倾角灵敏度为02031nm/°,线性度为099707;在45～49℃温度范围内,温度灵敏度为4777nm/℃,线性度为099934。该传感器具有结构简单、成本低、灵敏度高等特点,具有广阔的应用前景。     

基于荧光衰减测量的蓝宝石光纤温度计

用激光加热基座法生长出了端部掺Cr^3 的蓝宝石光纤荧光温度传感头,其具有结构紧凑、耐高温等特点：研究了掺Cr^3 的蓝宝石光纤荧光温度特性,并制得蓝宝石光纤荧光温度计,其测温范围为室温到450C,分辨率1C。     

应用于特殊环境的光纤光栅温度压力传感器

目前,光纤光栅温度压力传感器在航空航天、土木工程、复合材料、石油化工等领域的应用非常广泛。由于其可以实现对温度、应变等物理量的直接测量,因此针对光纤光栅温度压力传感器的开发更多的集中于在特殊环境下的应用研究。本文以高温高压油井的特殊环境为例,对光纤光栅温度压力传感器进行了温度补偿式光纤光栅温度压力双参量传感系统的设计,并结合环境的特点进行了传感器相关器件的选择和调整。通过实验测试明确了该设计提高了光纤光栅温度压力传感器的适应性,完全能满足在特殊环境下的工作需求。     

光纤温度传感器

本温度测量装置包括光温度探头和控制模块。将来自光纤末端部分槽口的热辐射传到光纤远端，由控制模块探测。槽口有高光敏度，可保持恒定热辐射率和快速响应时间。槽口适用于单昌体光纤和具有纤芯－涂层结构的光纤。     

基于半导体吸收原理的光纤温度传感器研究

利用半导体GaAs材料对光的吸收随温度变化而变化的原理,设计了一种光纤温度传感系统。该系统具有结构简单、体积小、全光纤化、易实现远程测量及使用方便等特点。实验结果表明,测量系统的精度好于±0.5℃。     

拉锥空心光纤的温度与应力传感特性研究

该文设计并制作了一款简易的拉锥空心光纤的高灵敏度传感器,通过实验测量了其温度与应力特性。首先利用光纤熔接机在两段标准单模光纤之间熔接一段空心光纤,再对准空心光纤中间位置进行放电,同时运用两个步进电机在单模光纤两端施加一定的拉力,这导致法布里-珀罗干涉仪转换为马赫-曾德尔干涉仪。实验结果表明,此拉锥过程使光纤传感器的温度灵敏度从理论值0.85 pm/℃提升到69.1 pm/℃,约提升了81.3倍,轴向应变灵敏度最高可达3.6 pm/με。该器件具有体积小、结构简单和灵敏度高等特点,在航空航天、医疗监测等领域具有广阔的应用前景。     

DBR光纤激光器拍频传感及其组网技术研究

研究了基于单纵模分布Bragg反射(DBR)光纤激光器的拍频解调传感技术,并对其组网技术进行了探讨。由于光纤本身的固有双折射,DBR光纤激光器能够产生两种正交偏振模式的激光,而这两种偏振模式的频率差拍会在射频域形成对温度变化极为敏感的拍频(beatfrequency)。实验结果表明:在20～100℃的温度范围内,激光器拍频随温度的增加呈线性减小,其线性拟合度高达0.99981,拍频灵敏度为0.51063MHz/℃。这种偏振式光纤激光器具有高输出功率、高信噪比、低解调成本和窄输出线宽等特点,有助于构建大规模的光纤有源传感网络。参考近年关于光纤传感网络的报道,提出一种有源光纤环形传感网络的构想。     

卡式红外光学系统光机分析及结构优化

光学仪器通常都工作在一定的温度环境中,温度变化将造成光机系统的结构尺寸以及光学介质的特性等参数发生变化。针对卡式红外光学系统工作环境温度变化范围大的特点,进行了热补偿结构设计。并利用有限元方法,对主镜及其支撑结构进行了分析,明确了导致镜面变形和结构参数变化的主要因素为大范围的温度变化。在此基础上,对支撑结构进行了改进和参数的优化设计。研究结果表明:改进后的结构是合理可行的。     

基于单片机的单总线多点温度测控系统

本课题主要介绍基于AT89C52单片机和DS18B20数字温度传感器的多点温度采集系统.该系统利用AT89C52单片机分别采集各个温度点的温度,实现温度显示、报警等功能.它以AT89C52单片机为主控制芯片,采用数字温度传感器DS18B20实现多路温度的检测,测量精度可以达到0.5℃.该系统采用了LCD1602A液晶显示模块,LCD1602A作为显示器,形象直观的显示测出的温度值.基于AT89C52单片机的单总线多点温度采集系统具有硬件组成简单、多点温度检测、读数方便、精度高、测温范围广等特点,在实际工程中得到广泛应用.     

An Integrated Temperature Sensor-Controller

The temperature sensor-controller (TSC) and its associated circuit is a multifunctional or systems oriented linear monolithic integrated silicon device. It is designed for low cost (i.e., high yields) and high functional utility. The device has the capability of temperature stabilizing its own environment and that of an associated circuit over a wide temperature range. It can also measure and provide temperature control as well as function as a stable voltage reference. By utilizing several metallization masks the TSC is combined with an operational amplifier, a linear wide range voltage controlled oscillator, an active filter, and other linear circuit functions.     

三代半导体功率器件的特点与应用分析

以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。     

Low-power SITL IC

The SITL (static induction transistor logic), which operates in the bipolar mode, has the smallest PD (power delay) product in silicon technology because of the use of an extremely pure epitaxial layer. In this paper, as SITL device is which the gate and drain are self-aligned is described, centering on the DC characteristics and operation limit. It is concluded that the drain current of SIT is limited by the thermionic emission mode in a low-current region of about 1 nA over a wide temperature range, and that logic operation is limited by the effective current gain /spl beta//SUB eff/ in the low-power region. Designing SITL suitably for wide temperature and power range, the authors have developed a monolithic watch IC having an oscillation frequency of 2 MHz and a current consumption of 3.5 /spl mu/A, and including bipolar circuitry on the same chip.     

6H-SiC Schottky二极管的正向特性

提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的Si C Schottky二极管( SBD)正向特性模型,势垒的不均匀性来自于Si C外延层上的各种缺陷,而界面层上的压降会使正向Schottky结的有效势垒增高.该模型能够对不同温度下Si C Schottky结正向特性很好地进行模拟,模拟结果和测量数据相符.它更适用于考虑器件温度变化的场合,从机理上说明了理想因子、有效势垒和温度的关系.     

400V系列宽温铝电解电容器

着重探讨了焊针式引出４００Ｖ系列宽温（－４０～＋１０５℃）铝电解电容器研制过程中所遇到的主要难题，提出了高压１０５℃彩电用产品的一些设计思想。经过大量实验，在几乎全部采用国产原材料的基础上，研制成功了性能良好的宽温产品，耐久性试验通过１０００ｈ，高温贮存５００ｈ     

Characteristics of static induction transistors: Effects of series resistance

It is established experimentally that the I-V characteristics of a static induction transistor (SIT) and their temperature dependence are consistent with a major current transport mechanism of majority-carrier injection control plus the effect of series channel resistance. The I-V characteristics follow an exponential behavior in the low-current region and change to approximately a linear-or square-law relation in the high-current region where the negative feedback effect of the series channel resistance becomes pronounced. That the series channel resistance is small in the SIT and satisfies the condition that the product of series channel resistance and dc intrinsic transconductanee is less than unity is experimentally verified. The voltage amplification factor in the SIT has been confirmed to be almost constant for wide variations of drain current and ambient temperature.     

Novel BIFET composite unit and its applications

A new integrable BIFET composite unit comprising two BJTs, one JFET and one passive resistor is described and as a unit shown to exhibit FET-like characteristics with much improvement in thermal stability and transfer curve linearity over a wide range of input bipolar voltage and temperature variations. The forward transfer admittance of the unit may easily be adjusted over a wide range. Amplifier circuits using the proposed unit are also described.     

Influence of Wavelength and Temperature Changes on Optical Performance of Fiber Joints With Small Gap

We have investigated the characteristics of optical fiber joints with a small gap over wide wavelength and temperature ranges. When there is a small air gap between fiber ends, the insertion loss increases between 0.0 and 0.6 dB over a wide wavelength range of 0.7–1.7$mu$m and a wide temperature range of$-$40$^circ$C to$+$80$^circ$C. The return loss varies greatly and the worst value is about 9 dB. The return loss depends on temperature with fiber end joints that employ index matching material. The value varies from more than 50 dB to a worst value of 35 dB at low temperature.