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基于异质结双极晶体管(HBT)优良的微波特性,精确建模对使用该类器件进行电路设计具有重要的意义。介绍了HBT所具有的独特优越性,采用Gummel-Poon等效电路模型对常用HBT进行了小信号和大信号模型的建立,加入了寄生电感等效衬底寄生参数,测试了SiGe HBT在不同偏置下的S参数及I-V特性曲线,利用半解析方法分析了非线性模型的参数提取,讨论了本征参数和寄生参数的拟合优化。给出了关于HBT大信号和小信号等效电路模型,对比实测参数进行验证,建立模型在测试频率范围内拟合结果和测试结果吻合良好。 相似文献
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为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄生电容和电感的值,然后用截止状态和Z参数的方法提取外部电阻,再去掉这些参数以简化电路模型,本征部分的电路元件采用剥离算法来确定参数值。采用1μm×15μm的InP HBT对该算法的有效性进行验证,结果表明,在0.1~40 GHz频率范围内,模型仿真结果准确地拟合了器件测试结果。 相似文献
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提出一种求解异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路模型的解析方法。在提取过程中,采用集电极开路测量和直流测量相结合的方法,精确提取到了具有物理意义的唯一的外部串联电阻值,并在精确提取非本征参数的基础上,直接提取本征参数。较大频率范围S参数的计算值与测量值有很好的吻合。 相似文献
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提出了一种改进了的HBT小信号参数直接提取的方法。该方法中在提取极间寄生参数的基础上采用fly-back技术提取发射极和集电极电阻,降低了传统的采用集电极开路的方法提取全部电阻参数的复杂度,并且建立了一套完整的直接提取HBT小信号模型的新方法。与文献报道的小信号模型参数提取的方法相比,该方法的优点是,提取过程具有简明清晰的物理意义,提取速度快,并且具有较好的精度和较宽频带范围的可实用性。 相似文献
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简要介绍了异质结双极晶体管(HBT)的发展现状,对HBT器件性能进行了理论分析,设计并制作了功率HBT器件样品。器件性能达到:fT=40GHz,fmax=32GHz在8GHz工作频率下测量,输出功率为100mW,功率附加效率为31.3%,增益为9.4dB,f0=12GHz,输出功率为23.6mW,增益6.1dB,功率附加效率为23.4%。 相似文献
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提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路。在所采用的模型中考虑了分布式基极-集电极电容效应。与其他直接参数提取方法相比,该方法从外围寄生元件到内部本征元件依次进行参数提取,提取过程较为清晰。除寄生参数外,其余所有的参数计算均未经过任何简化近似。该方法依赖于S参数的测量,所有等效电路参数直接从S参数数据中提取,而无需任何基于初始值的近似。在0.1 ~ 40 GHz的频率范围内,直接提取法在InP HBT上得到了成功的验证,并在整个频率范围内得到了较好的测量结果与计算结果的一致性。 相似文献
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提出了一种适用于Si基器件的焊盘寄生参数的提取方法,并将此方法提取的焊盘寄生参数结果与用近似法提取的焊盘寄生参数结果的精度作了比较。比较结果表明,文中提出的线性拟合法精度较高。焊盘寄生参数提取并剥离后,对AMS 0.35μm BiCMOS工艺加工的SiGe HBT的小信号等效电路进行参数提取,其中,外部电阻用基极"过驱动电流"法提取,本征参数用分析法提取,将参数提取结果代入模型进行仿真,仿真得到的S参数在整个测试频率范围内均与测试结果吻合良好。 相似文献
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C. K. Hanish J. W. Grizzle H. -H. Chen L. I. Kamlet S. Thomas III F. L. Terry Jr. S. W. Pang 《Journal of Electronic Materials》1997,26(12):1401-1408
This paper discusses the development of a high-accuracy endpointing algorithm for the emitter etch of a heterojunction bipolar
transistor (HBT). Fabrication of high-performance HBTs using self-aligned base-emitter processes requires etching through
the emitter layer and stopping with very high accuracy on the base layer. The lack of selectivity in dry etching coupled with
the high etch rates possible in high density plasmas render the use of a standard timed overetch impractical, especially as
device layers continue to become thinner. The etch process under study requires the complete removal of an AlInAs emitter
while etching no more than 5 nm of the underlying GaInAs base layer. Etch products are monitored using optical emission spectroscopy
(OES) to determine etch endpoint. The process under study relies on the intensity of the 417.2 nm Ga emission line. The detection
of the Ga line indicates that the etch has reached the GaInAs layer. However, the presence of a time-varying Ga baseline signal
before endpoint and significant noise in the OES signal necessitate more than a simple threshold scheme for critical endpoint
detection. The algorithm presented here is based on a generalized likelihood ratio with a signature function. This algorithm
is robust to variance in the optical gains of the measurement equipment and is applicable to other etch processes. Experimental
results of automated endpointing using this algorithm are presented in the form of pre- and post-etch ex situ film thickness
measurements. 相似文献
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报道了由超薄基区负阻异质结双极晶体管(UTBNDRHBT)构成的非稳多谐振荡器,具有高速、可调控等优点。对其电压控制脉冲频率调制效应进行了实验研究,观察到了仅由基极电压(V_(BE))即可控制脉冲间距和脉冲宽度;对实验现象给出了相应分析,并指出了此电路的应用前景。 相似文献
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