基于耦合式电平位移结构的高压集成电路

设计并实现一种耦合式C型(coupled)高压电平位移结构,避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线(HVI)跨过器件源侧及高压结终端时的两处高场区,以直接耦合式实现了高压电平位移和高低压隔离,且减小了芯片面积.借助Pwell,Nepi,P-sub所形成的JFET效应增加C型结构中隔离电阻;引入金属场板MFP,防止LD-MOS的栅、漏与高压结终端多晶场板短接.利用作者开发的高压SPSM CD工艺,成功研制出基于C型电平位移结构的1000V三相功率MOS栅驱动集成电路.结果表明,C型电平位移结构的最高耐压为1040V,较常用S型结构提高了62.5%,所研制的1000V电路可满足AC220V,AC380V高压领域的需要.     

单路LDMOS实现的高压电平位移电路及其应用

提出了一种HVIC中高端浮动电路的新的实现方式,该方式采用单路LDMOS,实现了高压电平位移的功能。分析了该方式的电路结构和工作原理,以此为基础,设计了功率MOS栅驱动集成电路。在主要电学指标相近的情况下,与目前常用电路相比,版图面积减小了约20%。采用6μm CMOS-LDMOS工艺,通过Hspice进行仿真验证,证明该方式正确可行。     

硅表面原子芯态能级的化学位移

本文以共价晶体硅的(100)面为例,直接采用原子波函数,在键轨道模型近似下计算了清洁和存在氧吸附的表面Si原子的2p能级结合能的位移,得到了与实验数据相吻合的结果,从而证明了利用这种方法研究芯能级结合能的位移是行之有效的.     

一种应用于高压电机驱动的电平移位电路

针对传统电平移位电路输出电压范围不理想和不稳定的缺点,设计了一种具有高稳定性、低功耗的两级电平移位电路。该电路第一级采用固定偏置电流结构,消除NMOS与PMOS电学参数的依赖性并提高稳定性。通过引入扩宽输出电压范围的第二级电路结构,为高端PMOS提供可靠的栅驱动电压。仿真结果表明,所设计的电平移位电路实现了低压转高压功能,且输出范围满足高边栅驱动要求。该电路能较好地应用于高压电机驱动电路,实现单极性和双极性两种驱动控制。     

基于耦合映象格子的混沌键控技术研究

提出一种基于耦合映象格子正反相同步的混沌键控方案,可利用系统提供的正反相同步信号提取出所传输信息,该方案有效地提高了信息的安全性。     

a－Si TFT LCD像素电压跃变效应及其补偿方法

ａ－ＳｉＴＦＴＬＣＤ技术的进展正在加快，但也仍然存在一些影响提高图像质量与拓宽应用领域的问题。最严重的问题之一是ａ－ＳｉＴＦＴ各个电极上电压的失真，本文旨在讨论其像素电极电压跃变效应及其补偿方法。     

一种新的混沌键控方案——分段移位混沌键控

为了进一步提高混沌通信系统的数据传输率,提出了一种新的混沌键控方案——分段移位混沌键控SSCSK,它是一种多进制调制方案。将SSCSK中的参考信号等分成M个信号段,根据传送的M进制数字码元,将M个信号段循环左移n（0≤n〈M）段,即形成信息携带信号。通过对其误码性能进行仿真分析可知,在相同的误比特率条件下,在信噪比要求上,二进制SSCSK比DCSK方案大约小3dB,四进制SSCSK的误比特率与DCSK方案接近,在混沌信号长度相同的条件下,四进制SSCSK的信息传输速率比DCSK提高了1倍。     

基于耦合三线结构的宽带功分器研究*

由于传统的威尔金森功分器需要通过多级传输线的级联来拓展其工作带宽,增加了电路设计的复杂度。因此本文提出了一种基于耦合三线的宽带功分器结构。通过在四分之一波长传输线的两端分别引入一节耦合三线,使功分器实现了宽带特性。采用三线耦合器与阻抗变换理论,对影响功分器工作带宽、输入输出端口匹配度和隔离度参数进行了理论分析,并设计制造了基于此结构的宽带功分器。测试结果表明该功分器具有很好的端口匹配、传输损耗和端口隔离特性。     

a－SiTFT LCD象素电压跳变特性研究

ａ－ＳｉＴＦＴ栅源电容Ｃｇｓ不仅为栅源电极交叠所产生的寄生电容Ｃｇｓｐ，还应包括栅电极与源端沟道间的本征电容Ｃｇｓｉ．用缓变沟道近似模型推导了Ｃｇｓｉ的表达式。通过对象素电极电压跳变公式的修正，圆满解释了先前的公式所不能解释的几个实验结果，从而澄清了对电压跳变机理的模糊认识。     

声表面波陷波器与纵向耦合结构相结合

为了消除声表面波纵向耦合谐振式滤波器高端带外邻近通带处的肩膀,该文提出将纵向耦合谐振式滤波器与声表面波陷波器相结合,用来改善其近阻带抑制。文中给出了理论模拟及实验结果。实验结果与理论模拟基本一致,验证了方案的可行性。