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设计并实现一种耦合式C型(coupled)高压电平位移结构,避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线(HVI)跨过器件源侧及高压结终端时的两处高场区,以直接耦合式实现了高压电平位移和高低压隔离,且减小了芯片面积.借助Pwell,Nepi,P-sub所形成的JFET效应增加C型结构中隔离电阻;引入金属场板MFP,防止LD-MOS的栅、漏与高压结终端多晶场板短接.利用作者开发的高压SPSM CD工艺,成功研制出基于C型电平位移结构的1000V三相功率MOS栅驱动集成电路.结果表明,C型电平位移结构的最高耐压为1040V,较常用S型结构提高了62.5%,所研制的1000V电路可满足AC220V,AC380V高压领域的需要. 相似文献
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本文以共价晶体硅的(100)面为例,直接采用原子波函数,在键轨道模型近似下计算了清洁和存在氧吸附的表面Si原子的2p能级结合能的位移,得到了与实验数据相吻合的结果,从而证明了利用这种方法研究芯能级结合能的位移是行之有效的. 相似文献
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针对传统电平移位电路输出电压范围不理想和不稳定的缺点,设计了一种具有高稳定性、低功耗的两级电平移位电路。该电路第一级采用固定偏置电流结构,消除NMOS与PMOS电学参数的依赖性并提高稳定性。通过引入扩宽输出电压范围的第二级电路结构,为高端PMOS提供可靠的栅驱动电压。仿真结果表明,所设计的电平移位电路实现了低压转高压功能,且输出范围满足高边栅驱动要求。该电路能较好地应用于高压电机驱动电路,实现单极性和双极性两种驱动控制。 相似文献
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a-SiTFTLCD技术的进展正在加快,但也仍然存在一些影响提高图像质量与拓宽应用领域的问题。最严重的问题之一是a-SiTFT各个电极上电压的失真,本文旨在讨论其像素电极电压跃变效应及其补偿方法。 相似文献
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为了进一步提高混沌通信系统的数据传输率,提出了一种新的混沌键控方案——分段移位混沌键控SSCSK,它是一种多进制调制方案。将SSCSK中的参考信号等分成M个信号段,根据传送的M进制数字码元,将M个信号段循环左移n(0≤n〈M)段,即形成信息携带信号。通过对其误码性能进行仿真分析可知,在相同的误比特率条件下,在信噪比要求上,二进制SSCSK比DCSK方案大约小3dB,四进制SSCSK的误比特率与DCSK方案接近,在混沌信号长度相同的条件下,四进制SSCSK的信息传输速率比DCSK提高了1倍。 相似文献
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a-SiTFT栅源电容Cgs不仅为栅源电极交叠所产生的寄生电容Cgsp,还应包括栅电极与源端沟道间的本征电容Cgsi.用缓变沟道近似模型推导了Cgsi的表达式。通过对象素电极电压跳变公式的修正,圆满解释了先前的公式所不能解释的几个实验结果,从而澄清了对电压跳变机理的模糊认识。 相似文献