C/H_2O复合微粒子的光学截面及发射率光谱计算

使用A.L.Aden和M.Kerker理论计算了C/H_2O复合微粒子在1.0～10.0μm红外波段的吸收、散射、消光截面及发射率光谱,给出了吸收、消光截面与碳粒子半径和水层厚度关系曲线,研究了发射率与碳粒子半径和水层厚度的关系。     

电源技术

0500196全固态碱性 Cd/Ni 二次电池的制备及其性能〔刊,中〕/陈国平//中南大学学报(自然科学版).—2004,35(4).—604-608(L)用溶液浇铸法制备含有聚乙烯醇(PVA)/羧甲基纤维素(CMC)聚合物、KOH 和水的复合碱性固态聚合物电解质 PVA/CMC/KOH/H_2O。采用扫描电镜,循环伏安和交流阻抗技术研究 PVA/CMC/KOH/H_2O 的     

含微粒子的半无机高聚物复合陶瓷膜的红外辐射特性

研究了Mn-Fe-Co-Cu陶瓷基上的一种含微粒子的半无机高聚物复合陶瓷膜的红外辐射特性。实验发现,在Mn-Fe-Co-Cu和Zr-Ti-Si-Ni陶瓷表面上制成含有微粒子的半无机高聚物复合陶瓷膜后,比辐射率在400～800cm~(-1)和3000～46000m~(-1)区间分别得到提高。还讨论了在介质膜中微粒子的无序散射、吸收和辐射效应对基底辐射特性的影响。利用红外光谱和扫描电镜研究了不同温度下这种复合陶瓷膜的汽化和固化过程。     

As~+沟道注入硅(100)的损伤、二次缺陷及载流子分布特征

用电容及电流DLTS方法测量了B~+、P~+离子注入掺硼p-Si中引进的空穴缺陷能级及其退火行为.在两种离子注入样品中都测到的空穴陷阱有七个,除了常见的辐照缺陷V.O.C受主H_4(0.35)、V.O.B复合团H_5(0.29)及V_2~+双空位单受主H_(72)(0.21)外,还测到其它四个能级H_0(0.56)、H_3(0.47)、H_6(0.25)、H_(73)(0.15).此外,在注B~+样品中还测到H_1(0.57)、H_2(0.53),在注P~+样品中有三个能级H_2~＇(0.61)H_(71)~＇(0.20)、H_8~＇(0.11),其中H_8~＇浓度很小.在600℃退火后,缺陷浓度均在10~(13)cm-~(-3)以下或者完全消失.与已有的工作比较,本文所测得的各种缺陷有较高的退火温度.     

仿生合成CoO/Co/C复合电极材料及其超级电容性能研究

以松木作为生物模板和碳源,以Co(NO_3)_2·6H_2O作为钴源,煅烧制备多孔CoO/Co/C复合电极材料。通过X-射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),N_2等温吸附-脱附(BET)对复合材料的结构和形貌进行表征。结果表明,复合电极材料遗传了木材模板的生物形貌特点和多级孔道结构,BET表面积为369.2 m~2/g。CoO/Co/C电极具有较好的电化学性能,在1 A/g电流密度下比电容达760 F/g,在电流密度5 A/g下循环充放电500次后,电容保持率为73.7%。     

含微粒子的半无机高聚物复合陶瓷膜的红外辐射特性

研究了Mn-Fe-Co-Cu陶瓷基上的一种含微粒子的半无机高聚物复合陶瓷膜的红外辐射特性，实验发现，在Mn-Fe-Co-Cu和Zr-Ti-Si-Ni陶瓷表面上制成含有微粒子的半无机高聚物复合陶瓷膜后，比400-800cm^-1和3000－4600cm^-1区间分别得到提高，还讨论了在介质膜中微粒子的无序散射、吸收和辐射交效应对基底辐射特性的影响，利用红外光谱和扫描电研究了不同温度下这种复合陶瓷膜的汽化和固化过程。     

GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定

用椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪(AES)和X-光电子谱仪(XPS)等对经pH=7±0.05的H_2O_2-NH_40H溶液化学腐蚀或用NH_4OH:H_20=1:10和HCl:H_2O=1:1进行清洗后的GaAs表面残余氧化层厚度、折射率、纵向组分分布和Ga(3d)与As(3d)结合能变化等进行测定.三者实验结果对应很好.化学腐蚀后的GaAs表面有一层氧化物层,然后是氧化物与GaAs混合的过渡层,直至GaAs衬底.从NH_4OH:H_2O=1:10清洗后GaAs表面残余氧化层厚度,表面C吸附量和Ga/As的波动看,它均比用HCl:H_2O=1:1清洗为优,故用它作为GaAs在化学腐蚀后的清洗是可取的.     

CM-CTS-PANI/Fe_3O_4磁性纳米材料的制备

在已有的无机/有机复合纳米粒子制备的基础上,以Fe(NO_3)_3·9H_2O和FeSO_4·7H_2O混合均匀作为母盐溶液,氨水溶液作为沉淀剂,在无需通氮气保护的空气条件下采用化学共沉淀法制备Fe_3O_4磁性粒子,将其制备成Massart磁性液体,熟化后通过原位聚合完成铁氧体-聚苯胺复合材料的制备,并用羧甲基壳聚糖掺杂,制备羧甲基壳聚糖掺杂聚苯氨基碳包覆磁性纳米材料。通过用SEM、红外对其进行了表征,该磁性纳米复合呈片状,平均粒径约15 nm。     

激光气相法研制Fe/C/Si超微粒子

本文采用150W连续波CO_2激光器为光源,以Fe(CO)_5,SiH_4,C_2H_4等为原料,制备出Fe/C/Si超微粒子。测定了反应火焰的瞬时温度与激光功率密度、反应压力、原料气配比等反应参数之间的关系。分别用EDTA容量法和氟硅酸钾法分析了产物中Fe,Si的百分含量,并用X射线衍射、电子衍射、透射电镜、红外光谱、激光荧光光谱等技术对超微粒子的性能进行了表征。     

硅基光纤表面微裂纹生长的化学热力学和动力学研究

本文应用化学热力学和动力学的理论描述并探讨光纤表面微裂纹生长的机理和特性。提出了导致微裂纹生长并遵守热力学规律的光纤表面热缺陷形成模型。根据Van't Hoff化学平衡原理及判别反应变化的方向,认为OH~-基团或H_2O与SiO_2玻璃体反应是可能的,其反应的平衡常数分别为K_(C(OH~-))=C_(OH~-)和K_(P(H_2O))=P_(H_2O)。研究表明,光纤表面微裂纹生长速率不仅与外界施加的应力有关,而且与环境温度成正比并能符合Arrhenius方程。用不同温度下测定的光纤断裂时间和断裂应力值可计算H_2O与SiO_2反应的活化能。对于一般硅基玻璃光纤,反应活化能E_a=4.33kcal/mol。同时发现,在相同温度和施加相同断裂应力的情况下,不同光纤的裂纹生长系数(n)与反应活化能(E_a)成线性关系。     

TaN wet etch for application in dual-metal-gate integration technology

Wet-etch etchants and the TaN film method for dual-metal-gate integration are investigated. Both HF/HN O_3/H_2O and NH_4OH/H_2O_2 solutions can etch TaN effectively, but poor selectivity to the gate dielectric for the HF/HNO_3/H_2O solution due to HF being included in HF/HNO_3/H_2O, and the fact that TaN is difficult to etch in the NH_4OH/H_2O_2 solution at the first stage due to the thin TaO_xN_y layer on the TaN surface, mean that they are difficult to individually apply to dual-metal-gate integration. A two-step wet etching strategy using the HF/HNO_3/H_2O solution first and the NH_4OH/H_2O_2 solution later can fully remove thin TaN film with a photo-resist mask and has high selectivity to the HfSiON dielectric film underneath. High-k dielectric film surfaces are smooth after wet etching of the TaN metal gate and MOSCAPs show well-behaved C-V and J_g-V_g characteristics, which all prove that the wet etching of TaN has little impact on electrical performance and can be applied to dual-metal-gate integration technology for removing the first TaN metal gate in the PMOS region.     

用于悬浮纳米结构制作的氢氟酸气相刻蚀研究

针对纳米悬浮结构的制作,对不同温度和不同气相条件下的氢氟酸(HF)气相刻蚀进行了研究.利用自制的研究装置,使用HF/水混合气体和HF/乙醇混合气体分别进行了HF对PECVD SiO_2的气相刻蚀实验,同时测量了不同衬底温度下刻蚀速率的变化.研究结果表明,在常温常压下,HF/乙醇混合气体气相刻蚀速率约为7.6 nm/s,而HF/水混合气体气相刻蚀速率约为11.5 nm/s.在衬底温度分别为35,40和50℃时,HF/水混合气体的气相刻蚀速率分别为10.25,7.95和5.18 nm/s.利用HF气相腐蚀进行SiO_2牺牲层释放,得到了悬浮的纳米梁结构,梁与衬底的间距为400 nm.     

H2O对OLEDs寿命影响的探讨

根据Alq3+的不稳定性模型,通过水分子的电离产生OH-,然后在Alq3层中引入Alq3+陷阱的方法,分析了器件中水气的存在对器件寿命的影响,表明当OLEDs内水浓度达到一定值时,才会对OLEDs寿命产生显著影响,而且寿命与H2O的浓度成反比,与电场强度的指数成反比.     

Yb~(3+),Er~(3+)共掺磷酸盐铒玻璃光谱性质研究

研究了Yb3+ ,Er3+ 共掺磷酸盐铒玻璃的吸收光谱和荧光光谱性质。通过测定和计算各种Yb3 + ,Er3 + 共掺磷酸盐铒玻璃光谱参数 ,初步探明了Yb3+ 离子浓度、碱金属氧化物R2 O(R =Li,Na ,K)和碱土金属氧化物MO(M =Zn ,Mg ,Ca,Ba)的引入及网络生成体P2 O5 的含量对Yb3 + ,Er3 + 共掺磷酸盐铒玻璃光谱性质的影响。在Yb3+ ,Er3+共掺磷酸盐铒玻璃中实现了Er3+ 荧光寿命达 7 5ms,受激发射截面为 0 8× 10 - 2 0 cm2 的光谱特性 ,为今后该玻璃的激光实验提供了重要参数     

硅基SiO2平面光波导中硼磷硅玻璃覆盖层的制备和研究

利用等离子体增强化学气相沉积方法．在SiH4／N2O反应气体中掺入PH3和B2H6制备了用于硅基SiO2平面光波导的硼磷硅玻璃覆盖层．分析了磷掺杂和硼掺杂对折射率的影响，提出了选择掺杂气体流量匹配折射率的方法．研究了退火温度和气氛对膜层性能的影响．高温退火使膜层的折射率趋于稳定，对光的吸收损耗减小；采用氧气退火可以抑制和消除氮气退火时膜层中出现的下透明的微晶粒，改善膜层质量．采用多步沉积退火方法，消除了台阶覆盖层出现的空洞和气泡，得到了台阶的覆盖性和覆盖平坦度都较好的硼磷硅玻璃膜层．     

ZBLAN-Pr非晶中Pr~(3+)离子光谱参量的测量与计算

测量和计算了ZBLAN-Pr(1％)非晶材料中Pr~(3+)离子的光谱跃迁强度参量,从而计算预言了此材料中Pr~(3+)的各激发态之间的自发辐射跃迁速率,荧光分支比和积分发射截面。     

Er~(3+)离子及ErP_5O_(14)晶体的光谱性质

根据ErP_5O_(14)的吸收和荧光光谱,用Judd—Ofelt理论计算了在此晶体中Er~(3+)的强度参数Ω_λ(或τ_λ),由此计算了激光能级辐射跃迁速率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数。提出了在Peap与强度参数的总和之间存在直线关系的经验公式。讨论了ErP_5O_(14)作为激光材料的可能性。     

乙醇/水混合团簇的多光子电离质谱研究

利用激光器(输出波长355nm)激发乙醇和水二元混合团簇中的离子-分子反应,运用飞行时间质谱技术检测反应后生成的团簇离子.实验观测到多个序列的质子化团簇离子:(C2H5OH)nH 和(C2H5OH)n(H2O)mH (n=1-12,m=1-4),其产生是通过团簇内的质子转移反应.通过对团簇离子的峰强度同乙醇数目n和水分子数目m的关系的研究发现,团簇离子(C2H5OH)8(H2O)H 是幻数结构.     

多孔硅层湿法腐蚀现象的研究

阳极氧化法制备的多孔硅层分别经 1% HF、 1% NH3 / H2 O2 和 0 .0 5 % Na OH三种溶液在室温下进行湿法腐蚀 ,并用傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和扫描电子显微镜 (SEM)对其变化进行了研究。腐蚀后多孔硅的表面形貌出现明显的刻蚀现象。红外吸收光谱表明 ,在用 1% NH3 / H2 O2 溶液腐蚀时 ,多孔硅层中 Si- O键和 Si- H键的强度增加 ,H- O键的强度下降 ;用 1% HF溶液和 0 .0 5 % Na OH溶液的腐蚀结果正好相反。 0 .0 5 %Na OH溶液对多孔硅层的腐蚀现象类似于强碱性溶液对单晶硅腐蚀表现出的各向异性 ,对多孔硅层厚度的腐蚀速度比 1% HF溶液的高