双波长Nd：YAG脉冲激光器的实验研究

根据多波长同时振荡条件，我们建立了大能量１０６４ｎｍ和１３１８ｎｍ同时运转的双波长脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光器。得到了１０６４ｎｍ和１３１８ｎｍ的激光输出能量分别为０．５９４Ｊ和０．８６１Ｊ，效率分别为０．３１％和０．４５％。实验结果说明了该双波长激光器有较好的时间和空间重选性。     

扫描激光波长计

本文报道一台适用于连续可调谐激光器自动扫描控制的激光波长计．它由两组游标标准具ＶＥＴ（ＶｅｒｎｉｅｒＥｔａｌｏｎ）和一旋光单色仪ＯＡＭ（ＯｐｔｉｃａｌＡｃｔｉｖｉｔｙＭｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｏｒ）组成，波长测量重复精度优于±５０ＭＨｚ，测量波段为０．４～１．２μｍ。文中给出了在０．９３μｍ附近实验结果。     

0.9～0.95μm波段钛宝石激光器波长自动调谐实验

利用自制的激光波长计和相应的接口电路，在ＣＲ８９９－２１激光器上实现了钛宝石激光器０．９￣０．９５μｍ波段的波长自动扫描控制。实验结果表明，连续扫描宽度可达２００ＧＨｚ，波长连接精度好于±２００ＭＨｚ。这为０．９μｍ以上的分子高分辨光谱研究提供了必要的实验手段。     

波长扫描光纤干涉仪扫描模型的建立及分析

介绍了一种新的可用于绝对距离测量的波长扫描光纤干涉仪，建立了测量系统及波长扫描的模型，分析了波长扫描的随机漂移对测量的影响，提出了对光源扫描性能的要求．实验结果表明，测量系统的精度可达到０．０５μｍ．     

0．9～0．95μm波段钛宝石激光器波长自动调谐实验

利用自制的激光波长计和相应的接口电路，在ＣＲ８９９－２１激光器上实现了钛宝石激光器０．９～０．９５μｍ波段的波长自动扫描控制。实验结果表明，连续扫描宽度可达２００ＧＨｚ，波长连接精度好于＋２００ＭＨｚ。这为０．９μｍ以上的分子高分辨光谱研究提供了必要的实验手段。     

1053nm波长光纤激光器

１０５３ｎｍ波长左右的光纤激光器由于其特殊用途受到了国内外科技界的广泛重视和研究。本文介绍了１０５３ｎｍ波长光纤激光器的原理和构成,光纤激光器主要性能指标：谱宽（ＦＷＨＭ）为０．１ｎｍ,光泵阈值为１５ｍＷ,输出光功率达１ｍＷ。     

全介质硬膜窄带滤光片中心波长的变化特性

报道了全介质窄带波光片中心波长的变化特性，给出了探测氧分子谱线的０．７６３ｎｍ，窄带滤光片的制备和中心波长的变化结果。     

大面积1.54μm波长测距用InGaAs雪崩光电二极管

设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的ＩｎＧａＡｓ雪崩光电二极管（ＡＰＤ）。器件直径为２００μｍ，工作在２１℃，１５４０ｎｍ波长时响应为０．６４Ａ／Ｗ，典型暗电流和噪声因子分别为３０ｎＡ和６．５。介绍了该器件的工作原理，设计和制作工艺。     

温控FBG式4通道波长可调准OADM研究

实现了一种带温度控制的基于FBG的4通道波长可调准光分插复用器(OADMs)。对用悬臂粱法调谐的FBG中心波长温度稳定性进行了研究,设计了一种灵巧的温度控制装置,解决了FBG中心波长可调谐和温度稳定性间的矛盾。测试结果表明,实现的OADMs在环境温度范围-20℃～ 60℃,中心波长变化小于0．004nm／℃,与未经温度补偿的悬臂梁调谐光栅相比温度稳定性提高了6．75倍。利用悬臂梁方法实现了FBC;中心波长的微调,调谐范围为1nm。4路OADMs的信道间隔为0．8m,上下路3dB通道带宽小于0．3nm,符合ITU-TG．692的要求。利用自制的FBG实现OADMs的邻道隔离度大于35dB。     

波长参考FBG波长解调系统分析与设计

对利用波长标记法布里-珀罗标准具作为波长参考计算FBG波长的方法进行分析,设计了基于数据采集卡的FBG波长解调系统硬件电路及软件系统.测试结果表明,所设计的硬件电路与光路解调系统配合,可获得高质量法布里-珀罗标准具及FBG光谱信号,在15℃～60℃测量区间内,系统测量误差小于1.6667pm.     

基于威布尔分布的某半导体器件贮存寿命分布规律初探

对有机电致发光二极管（Organic Light-Emitting Diode,OLED）微型显示器件进行90℃、80℃、70℃的高温贮存试验,获得产品的失效数据。基于威布尔分布模型,采用最小二乘法进行参数估计,对失效数据分析,获得OLED微型显示器件失效分布函数。应用经典可靠性理论,计算产品在90℃、80℃、70℃的特征寿命、可靠寿命及平均故障间隔时间（Mean Time Between Failure,MTBF）。采用Arrhenius模型,依据90℃、80℃、70℃的贮存特征寿命,获得常温下产品的贮存特征寿命。分析结果表明,该方法合理、简便、有效,数据结果可以进一步应用到推导产品常温贮存寿命。     

快速热处理对磁控溅射VO2薄膜光电特性的影响

采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500℃快速热处理10、15、20s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20℃～80℃温区内,应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术(THz-TDS)测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性。结果表明,经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上;THz波的透射率在半导体-金属相变前后的最大变化达到了57.9%。同时发现,热处理500℃,10s时VO2的电学和光学相变幅度相对要大,当热处理时间达到15s左右时薄膜的相变幅度变化不再明显。快速热处理时间的长短对热致相变温度点的影响较小,但热致电学相变和光学相变的相变温度点不同:光学相变的温度为60℃左右,电学相变温度则在56℃附近。     

地源热泵系统在天津市某办公楼中的应用

为适应节能减排政策,天津市华北地质勘查局科研楼的空调冷热源选择地源热泵系统。通过分析及运行记录数据可以看出,整个系统具有较好的经济性,能够满足夏季室温24℃±2℃和冬季室温20℃±2℃的设计及使用要求,运行状况良好。     

半导体激光器特性测试中温度控制技术的研究

温度特性是影响半导体激光器(LD)特性测试准确性的重要因素,对LD温度控制技术的研究有着重要的意义.在分析了LD的温度特性的基础上,提出了一种高稳定温度控制的设计方案,并从几个方面讨论了保证LD高稳定温度控制和保证温度信号检测、传输精度的方法.实验结果表明,在10℃～40℃范围内温度稳定度为±0.01℃,在25℃时稳定度达到士0.005℃,从而为LD的准确测试提供了有效的保证.此系统稍加改动即能广泛应用于各类LD的控温系统.     

连续可调恒流的SLED恒温控制

为了解决大功率半导体超辐射发光二极管(SLED)的恒流、恒温驱动问题,使这类光源可以在恒定温度条件下,实现驱动电流连续调节的工作模式,设计了一种控制器,使用单片机MSP430作为其主芯片,采用脉宽调制和比例-积分-微分算法及半导体制冷器实现对光源温度的精密控制。实验中,控制器可以使光源在环境温度为10℃～40℃范围内稳定工作,温度稳定性可达到0.1℃,而其驱动电流则在0mA～200mA范围内连续可调,且恒定驱动电流可在全程范围内稳定在0.1mA。结果表明,所设计的控制器完全可以满足SLED的工作要求,满足了白光干涉系统对于光源的稳定性的需要。     

链式氧化制备SiO2膜的研究

研究了应用链式扩散设备对经过制绒、清洗、扩散和刻蚀处理后的单晶P型硅片进行热氧化SiO2膜的生长。采用准稳态光电导衰减法(QSSPC)在室温条件下对氧化前后硅片的少子寿命进行测试,探讨了氧化工艺条件对少子寿命、SiO2薄膜质量的影响机理,并对氧化工艺进行了优化。实验结果表明:在氧气流量为20L/min,带速为13i/m,氧化工艺区阶梯式温度设置为600、800、800、800、800、800、850和900℃时,链式氧化后硅片少子寿命达到42.5μs,SiO2膜的厚度适合,结构致密;在不影响减反效果的情况下,获得了良好的钝化效果。     

pnp高频高反压沟道基区全温晶体管设计与制造

耗尽基区晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数h_(FE)具有负的温度系数。双极结型晶体管(BJT)的h_(FE)具有正温度系数,将BSIJ与BJT并联,采用BJT常规工艺制造了pnp高频高反压沟道基区全温晶体管。 本文描述了这一器件的结构,工作原理,设计与制造。该器件的特点是:当温度T变化时,h_(FE)漂移较小。 测试结果表明,环境温度从25°升到180℃时,器件的h_(FE)随温度T变化率小于35％,优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20％。当温室从25°降到-55℃时,器件的h_(FE)变化率小于或等于30％     

无热电恒温的小型重频二极管抽运板条激光器

为了研制一种能在-40℃～+65℃环境下适用于机载吊舱的小型风冷重频二极管抽运Nd∶YAG板条激光器,克服采用热电恒温二极管抽运源的一系列问题,采用了无热电恒温二极管抽运源的方法,并进行了实验验证。结果表明,该激光器能在-40℃～+65℃环境下,以20Hz～30Hz脉冲重复频率稳定可靠的工作,激光输出能量100mJ～150mJ,激光脉宽6ns～7ns,激光束散角经4倍天线扩束后约1mrad。该激光器能适用于多种机载或车载激光测距/指示仪。     

大功率半导体激光器高精度温控系统研究

为了减小温度对半导体激光器输出光波长和功率稳定性的影响,设计了由恒流模块驱动半导体制冷器,通过改变恒流模块的电流来控制半导体制冷器的制冷量,利用分段积分的比例-积分-微分控制算法,选择最优控制参量,实现大功率半导体激光器的精密温控系统。系统包括高精度测温电路、控制核心DSP F28335、半导体制冷器控制电路、人机交互及通信模块。在5℃~26℃环境下对系统进行测试,实现50W大功率半导体激光器的恒温控制,温控范围为15℃~45℃,温控精度达到0.02℃。结果表明,该系统温控范围广,控制精度高,满足大功率半导体激光器的温控要求。     

In2O3纳米粉体的制备及其气敏性能研究

以In2(SO4)3为原料,通过sol-gel法制备了立方晶系的In2O3粉体。利用X射线衍射仪、透射电镜对材料的组成、晶粒的大小、结构进行了表征。结果表明,产物为平均粒径30 nm左右的圆球形颗粒。将前驱体分别在不同温度下进行热处理,对其气敏性能研究发现,900℃热处理的元件,在工作温度245℃时,对50×10–6 Cl2表现出较好的灵敏度(1.5×104)和选择性。600℃热处理的元件,在工作温度245℃时,对50×10–6 NO2的灵敏度高达2.5×105。最后,对其气敏机理进行了分析。