注入锁定振荡器相位拖延的研究

本文首次提出对ILO(注入锁定振荡器)进行相位拖延的研究.通过理论分析、计算机模拟、实验,证明了ILO存在有相位拖延效应,并提出采用淬息的方法来解决ILO的相位拖延问题.经过证明,此方法是解决ILO相位拖延的一种简单有效的手段.ILO相位拖延问题的解决为将ILO用作快速提载打开了大门,为突发方式的通讯系统提供了一种结构简单的快速提载电路.     

约瑟夫森阵列振荡器的相位锁定分析

系统地研究了超导亚毫米波阵列振荡器的相位锁定问题。为使超导振荡器达到高工作频率、窄线宽和高稳定的性能，约瑟夫森结与结之间的相位必须相互锁定。相位锁定可以通过结与结之间的耦合电路得以实现。通过对振荡器的各种耦合电路的比较表明，蝴蝶领结天线结构是一个比较适合约瑟夫森振荡器相位锁定的耦合电路。本文提出了一种超导亚毫米波阵列振荡器模型并对其进行了模拟计算与分析，仿真得出了振荡器各项参数值，并给出了相位锁定的条件。     

一种基于注入锁定环形振荡器的时钟产生电路

提出了一种基于谐波注入锁定数控环形振荡器的时钟产生电路。采用注入锁定技术,极大地抑制了环形振荡器的相位噪声。在频率调谐环路关断的情况下,数控式振荡器可以正常工作,与需要一直工作的锁相环相比,大大节省了功耗。分析了电路的参考杂散性能。在65 nm CMOS工艺下进行流片测试,芯片的面积约为0.2 mm²。测试结果表明,设计的时钟产生电路工作在600 MHz时,1 MHz频偏处的相位噪声为-132 dBc/Hz,在1 V的电源电压下仅消耗了5 mA的电流。     

一种S波段压控振荡器级联的注入锁定

针对压控振荡器(VCO)阵列注入锁定电路复杂和规模受限问题,提出一种S波段VCO阵列级联的新方法。通过在多个VCO之间加入耦合网络,将传统的单级注入改进为级联注入锁定,并通过网络级联方式实现级联级数的扩展。各级VCO之间通过耦合网络实现级联,首级VCO通过信号源参考信号进行锁定,次级VCO耦合前级VCO射频输出端信号进行锁定,每级均通过VCO电压调谐端进行注入。注入信号可锁定VCO输出频率,改善每级VCO输出相位噪声。通过级间耦合的形式,实现了一个微波源锁定多个VCO的输出。设计加工了2种级联注入VCO阵列,VCO的输出频率与注入信号频率相同,各级VCO相噪保持一致,当源相噪为-107.28 dBc/Hz时,各级VCO的输出相噪保持一致,为-105 dBc/Hz。该注入锁定方式电路简洁且成本低,未来有望应用在相控阵中。     

新型注入锁定光电振荡器高频率稳定性研究

为了深入研究光电振荡器(OEO)的单模振荡以及提 高频率稳定性,提出一种电注入锁定(OEO模型。从注入锁定理论出发,理论分析了此模 型对于提高稳定度和边模抑制的优越性,以及硬件 实验方案的可行性。实验结果表明,在电滤波器带宽60MHz的条件下 ,注入锁定方案实现了光纤长为2.776km的OEO单环单模 振荡,边模抑制比(SMSR)大于50d B,得到载波为10GHz,相位噪声为－100dBc/Hz@10kHz(注入源信号 的相位噪声－86dBc/Hz@10kHz);以注入源信号为参考,把锁定信 号与注入信号鉴相,通过阿伦方差计算,得到×10－13的短 期稳定度和×10－16的长期稳定度。     

75～115GHz相位锁定固态源

介绍了采用体效应管压控振荡器的Ｗ波段相位锁定系统，该系统在紫金山天文台１３．７ｍ毫米波射电望远镜中作为本地振荡器，可复盖７５～１１５ＧＨｚ的频率范围，输出功率大于５ｍｗ．用伺服放大器的输出信号控制体效应振荡器的偏压得到锁定带宽大于１００ＭＨｚ．     

数字电路设计中实现相位锁定

提供了应用可编程逻辑、经纯数字电路设计的方法实现相位锁定的一种方法。     

六毫米波段注入锁定振荡器

本文描述一种六毫米波段注入锁定振荡器.该振荡器由耿管振荡器、环行器、锁相参考源组成,耿管振荡器采用背腔式稳频和谐振帽电路结构,输出端经环行器与高稳定度锁相源连接.注锁振荡器的输出功率大于60mW,振荡频率为46.1GHz,偏离载频10kHz处,单边带(SSB)相位噪声≤-71.7dBc/Hz,杂波≤-40dB.     

一种S波段基于注入锁定技术高效的MOSFET大功率微波源

本文提出了一种利用不平衡耦合谐振器的反馈电路,实现高效率的S波段基于注入锁定技术高效的MOSFET振荡器,在2.45GHz可以获得203 W的输出功率和54.18%的漏极效率,其注入信号为输出信号的1/1000,锁定带宽为2.0MHz。相对于传统的大功率微波源,基于注入锁定技术高效的MOSFET振荡器,工作电压低,相位和频率可控性有明显优势,更有利于实现微波化学实验中的均匀加热以及精确的温度控制。     

一种毫米波宽锁定范围的注入锁定倍频器设计

为提高毫米波段倍频器在低功耗下的工作带宽,采用IHP130 nm SiGe BiCMOS 工艺,设计了一种采用双端注入技术的毫米波宽锁定范围注入(DEI)锁定倍频器。该注入锁定倍频器主要由谐波发生器和带有尾电流源的振荡器构成,由巴伦产生差分信号双端注入振荡器的形式提高三次谐波注入强度,使其在E、W 等波段输出宽锁定范围和良好相位噪声性能的三倍频信号。仿真结果表明,注入锁定倍频器在工作电压为1.2 V,输入信号功率为0 dBm时,其锁定范围在57~105 GHz 内。在相同工作电压和输入信号功率下,输入频率为32 GHz 时,一次、二次和四次谐波抑制大于20 dBc,功耗为9.1 mW。