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一种压电陶瓷执行器动态驱动电源 总被引:2,自引:1,他引:1
针对压电陶瓷执行器呈现强容性负载的特性,该文研究了基于误差放大原理的压电陶瓷执行器动态驱动电源,提出采用高压运算放大器结合准互补对称功率放大电路构成的输出级以提高驱动电源的输出电压范围的方法和采用多组准互补对称功率放大电路构成的输出级并联以提高输出峰值功率的方法。通过对实际电路的测试表明,采用上述方法开发的压电陶瓷执行器动态驱动电源不仅输出功率达270 W,且具有良好的静态性能。 相似文献
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本文采用高压大带宽MOSFET运放PA92和高精度运放OP07设计了一种基于电压控制型的可动态压电陶瓷驱动电源。该驱动电源由放大电路、功率放大电路、过流保护电路和负反馈环节组成。克服了目前常用的压电陶瓷驱动电源所存在的成本高、驱动能力不足、静态纹波大等缺点。最后对实际电路的各项性能进行了测试和分析,结果表明:该电路具有良好的动态和静态性能,能够很好的满足驱动压电微位移平台的要求。 相似文献
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基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源 总被引:6,自引:0,他引:6
压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移器应用中关键部件.PA85是一种高压、高精度的MOSFET运算放大器.文章介绍了一种基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源,详细介绍了电源复合放大电路部分的设计原理和并对其稳定性进行了分析.该电源具有精度高,驱动能力强,结构简单,稳定性好的特点. 相似文献
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压电陶瓷驱动器电源温度控制系统研究 总被引:2,自引:0,他引:2
性能良好的驱动电源是实现压电陶瓷驱动器高精度定位的关键.基于集成高压运算放大器的直流放大式压电陶瓷驱动电源,具有集成度高,体积小,可靠性好等突出优点;但运放的发热问题,是影响其应用和发展的一个重要因素.对一种基于PA93功率运算放大器的压电陶瓷驱动电源,进行了实验性的研究,采用半导体制冷片和ALT-PT100贴片式温度传感器构成温度闭环控制系统,通过改变制冷片外加电源的极性和电压大小,将集成高压运算放大器的工作温度控制在一定范围内,可有效降低压电陶瓷驱动电源输出电压的纹波到7.8 mV,提高了电源输出电压的精度.找到了温度对电源输出电压精度影响的规律,为如何进一步提高压电陶瓷驱动电源输出电压的精度,实现压电陶瓷驱动器高精度的定位控制,提供了科学的方法和依据. 相似文献
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在0.35μm射频CMOS工艺下,设计了一种可应用于发射终端的1.6 GHz驱动放大器.该放大器采用两级结构,第一级采用共源共栅结构,其中共源输入由两个分别工作在AB类和B类状态的并联放大管构成,提高了放大器的线性度和效率.第二级采用工作在B类状态的共源放大结构,进一步提高了驱动放大器的性能.仿真结果显示,放大器的最大输出三阶交调点为17.3 dBm,功率增加效率为57%,输出饱和功率为18.5 dBm,功率增益为26 dB,在3.3 V电压下总的电流消耗为5.4 mA. 相似文献
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采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一款应用于便携式UHFRFID阅读器的射频发射前端电路。所设计的有源I/Q上混频器通过开关控制Q支路的信号输入,实现了EPC Global Class-1Gen-2协议中所要求3种调制方式;驱动放大器通过实现增益7级数字可调有效地预放大混频器的输出信号。在1.8V的电源电压下,测得阅读器前端电路的主要性能参数如下:上混频器的输入端P1dB,达到-14.9dBVrms,转换增益和噪声系数分别为3.18dB和13.20dB;驱动放大器的输出端P1dB在50Ω阻抗上达到3.5dBm,转换增益可调范围和噪声系数变化范围,分别为7.90~16.30dB和3.10~5.00dB。 相似文献
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利用0.2μmGaAsPHEMT工艺研制了40Gb/s光通信系统中的光调制器驱动放大器。该放大器芯片采用有源偏置的七级分布放大器结构,工作带宽达到40GHz,输入输出反射损耗约-10dB,功率增益14dB,功耗700mW,最大电压输出幅度达到7V。两级芯片级连后,功率增益约27dB,在40Gbit/s速率下得到清晰的眼图。 相似文献
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本文介绍了采用Foundy线单元库进行专用ICX920的设计过程,并给出了产品的研制结果,阐述了X920的设计思想、设计要点及加工技术。 相似文献
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本文介绍了用于单片集成IEEE 802.11a发射前端的5.2GHz可变增益放大器和前置功率放大器。本设计采用50GHz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,芯片面积为1.12×1.25mm2。可变增益放大器由5个控制字控制,可变增益范围为34dB,并在-30°C 到 85°C范围内具有较好的温度补偿效果。前置功率放大器采用差分输入、单端输出的结构,负载采用5.2GHz电感电容并联谐振电路。两个电路的总增益最大为29dB,OIP3为11dBm。在2.85V供电条件下,总功耗电流为45mA。 相似文献