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相似文献
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1.
一种压电陶瓷执行器动态驱动电源   总被引:2,自引:1,他引:1  
针对压电陶瓷执行器呈现强容性负载的特性,该文研究了基于误差放大原理的压电陶瓷执行器动态驱动电源,提出采用高压运算放大器结合准互补对称功率放大电路构成的输出级以提高驱动电源的输出电压范围的方法和采用多组准互补对称功率放大电路构成的输出级并联以提高输出峰值功率的方法。通过对实际电路的测试表明,采用上述方法开发的压电陶瓷执行器动态驱动电源不仅输出功率达270 W,且具有良好的静态性能。  相似文献   

2.
贺斌  陈华  谢红霞 《压电与声光》2012,34(2):253-256
设计了一种用于驱动数字共焦显微仪压电陶瓷物镜驱动器,实现数控电位器调节的压电陶瓷驱动电源,由单片机系统、前级高压稳压电路、数控电位器、功率放大电路、高压稳压电源和放电回路组成。采用前级高压稳压代替电压放大级作为输入,通过高分辨率的数控电位器调节,经功率放大和放电回路后驱动压电陶瓷驱动器。该驱动电源输出电压稳定,数控可调且随输入电压呈线性变化,可实现对电压精密控制,适用于驱动压电陶瓷等容性负载。  相似文献   

3.
选用压电陶瓷变压器升压,PWM开关IC控制,VMOS功率放大电路构成的一种新型霓虹灯电源,效率高,工作性能稳定,工作频率46kHz±5%,输出正弦波电压.  相似文献   

4.
本文采用高压大带宽MOSFET运放PA92和高精度运放OP07设计了一种基于电压控制型的可动态压电陶瓷驱动电源。该驱动电源由放大电路、功率放大电路、过流保护电路和负反馈环节组成。克服了目前常用的压电陶瓷驱动电源所存在的成本高、驱动能力不足、静态纹波大等缺点。最后对实际电路的各项性能进行了测试和分析,结果表明:该电路具有良好的动态和静态性能,能够很好的满足驱动压电微位移平台的要求。  相似文献   

5.
高速压电陶瓷驱动电源   总被引:1,自引:0,他引:1  
王元生  芦志强  王雨 《现代电子技术》2009,32(14):180-181,184
为了满足压电陶瓷致动器对驱动电源动态冲击特性的要求,提出一种新型的压电陶瓷驱动电源.用高速运放OP467作为核心芯片,搭建功率放大电路及恒流源泄放电路,并给出详细的电路原理图.实验表明,在输入为方波等动态信号时,该驱动电源可以良好地跟随输入波形变化,具有较高的上升和下降速率,频响范围可达到100 Hz~60 kHz.在同类型高压放大器中,其成本低廉,结构简单.  相似文献   

6.
压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷应用中的重要部件。采用分立元件组成高压放大电路,结合16位SPCE061A单片机,利用软件做数字式半闭环控制,研制开发了3自由度(3-DOF)并联机器人用压电陶瓷驱动器驱动电源,并介绍了驱动电源的组成及工作原理。通过软件算法实现了电源高精度可程控的设计目标,弥补了放大单元及压电陶瓷特性上的缺陷。  相似文献   

7.
基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源   总被引:6,自引:0,他引:6  
李福良  张辉 《电子质量》2004,(1):J014-J015
压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移器应用中关键部件.PA85是一种高压、高精度的MOSFET运算放大器.文章介绍了一种基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源,详细介绍了电源复合放大电路部分的设计原理和并对其稳定性进行了分析.该电源具有精度高,驱动能力强,结构简单,稳定性好的特点.  相似文献   

8.
压电陶瓷驱动器电源温度控制系统研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
性能良好的驱动电源是实现压电陶瓷驱动器高精度定位的关键.基于集成高压运算放大器的直流放大式压电陶瓷驱动电源,具有集成度高,体积小,可靠性好等突出优点;但运放的发热问题,是影响其应用和发展的一个重要因素.对一种基于PA93功率运算放大器的压电陶瓷驱动电源,进行了实验性的研究,采用半导体制冷片和ALT-PT100贴片式温度传感器构成温度闭环控制系统,通过改变制冷片外加电源的极性和电压大小,将集成高压运算放大器的工作温度控制在一定范围内,可有效降低压电陶瓷驱动电源输出电压的纹波到7.8 mV,提高了电源输出电压的精度.找到了温度对电源输出电压精度影响的规律,为如何进一步提高压电陶瓷驱动电源输出电压的精度,实现压电陶瓷驱动器高精度的定位控制,提供了科学的方法和依据.  相似文献   

9.
压电陶瓷致动器驱动电源的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
林伟  叶虎年  冯海  叶梅 《微纳电子技术》2006,43(3):138-140,149
根据压电陶瓷致动器对其驱动电源的要求,利用高压运放设计研制了一种新型的驱动电源,通过对压电驱动器的实验研究表明,其具有精度高、性能稳定、分辨率高、纹波小和电路结构简单等优点,能够满足微定位系统中压电陶瓷驱动器的控制需要。  相似文献   

10.
压电陶瓷驱动器线性动态驱动电源的研制   总被引:13,自引:3,他引:10  
根据压电陶瓷基本物理参数计算出压电驱动电源的最小基本性能参数,并利用高压运放研制了一种新型压电陶瓷驱动器的驱动电源,它具有高的输出电压范围(±200V),高输出电流(200mA,峰值电流300mA)。并且通过对反馈电路的波特图分析,讨论了自激震荡的产生和防止。在试验中通过对压电驱动器的正弦信号激励分析,表明驱动电源在带负载时有良好的输入跟随性能,能够满足复杂压电驱动器控制需要。  相似文献   

11.
声光调制器驱动器是脉冲光纤激光器中的重要部分,如何提高与完善驱动电路的性能指标成为决定输出激光品质的一个重要因素。该文提出了低功耗,输出功率稳定可调的声光调Q驱动器方案。它通过2ASK调制来控制射频功率的输出,进而控制声光Q开关的时间和重复频率;并具有2 W的射频功率输出、20~200 kHz的重复频率、10 ns(1个射频驱动振荡周期)内的声光Q开关响应时间的优良性能。  相似文献   

12.
工程应用需求声光Q开关的工作温度范围较宽,声光Q开关的器件受温度变化影响很小,可忽略,但驱动器受温度变化的影响较大,传统驱动器低温输出功率特性极不稳定.该文介绍了一种晶体管与场效应管相结合的方法,取得了良好的效果,解决了功率不稳定性问题.  相似文献   

13.
ADSL用户MODEM中驱动器的设计与实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
黄洁  杨英  梁陆萍 《电子工程师》2001,27(4):20-22,30
在分析用户MODEM驱动器特点的基础上,选定了驱动器的结构。说明了驱动器中各元件参数的设计方法,及各参数与驱动器性能的关系。最后给出了一种可实现的驱动器设计方案。  相似文献   

14.
在0.35μm射频CMOS工艺下,设计了一种可应用于发射终端的1.6 GHz驱动放大器.该放大器采用两级结构,第一级采用共源共栅结构,其中共源输入由两个分别工作在AB类和B类状态的并联放大管构成,提高了放大器的线性度和效率.第二级采用工作在B类状态的共源放大结构,进一步提高了驱动放大器的性能.仿真结果显示,放大器的最大输出三阶交调点为17.3 dBm,功率增加效率为57%,输出饱和功率为18.5 dBm,功率增益为26 dB,在3.3 V电压下总的电流消耗为5.4 mA.  相似文献   

15.
采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一款应用于便携式UHFRFID阅读器的射频发射前端电路。所设计的有源I/Q上混频器通过开关控制Q支路的信号输入,实现了EPC Global Class-1Gen-2协议中所要求3种调制方式;驱动放大器通过实现增益7级数字可调有效地预放大混频器的输出信号。在1.8V的电源电压下,测得阅读器前端电路的主要性能参数如下:上混频器的输入端P1dB,达到-14.9dBVrms,转换增益和噪声系数分别为3.18dB和13.20dB;驱动放大器的输出端P1dB在50Ω阻抗上达到3.5dBm,转换增益可调范围和噪声系数变化范围,分别为7.90~16.30dB和3.10~5.00dB。  相似文献   

16.
利用0.2μmGaAsPHEMT工艺研制了40Gb/s光通信系统中的光调制器驱动放大器。该放大器芯片采用有源偏置的七级分布放大器结构,工作带宽达到40GHz,输入输出反射损耗约-10dB,功率增益14dB,功耗700mW,最大电压输出幅度达到7V。两级芯片级连后,功率增益约27dB,在40Gbit/s速率下得到清晰的眼图。  相似文献   

17.
该文介绍了一种利用磷化镓(GaP)晶体制作的宽带声光偏转器。该器件采用准超声跟踪结构设计,大幅提高了换能器工作的总长度,实现了带宽与衍射效率的合理兼顾。制作出声光偏转器样品3dB带宽达900MHz,峰值衍射效率达8%@1W,衍射光在声光介质外的动态扫描角为5.2°。在试验过程中发现了异常现象,在1级衍射光斑与2级衍射之间出现了多余的衍射光斑("假点"),形成的机理还有待研究。  相似文献   

18.
从理论上对“驻波声光调制器”的调制特性进行了分析,提出了从器件的设计、加工上保证在器件的声光互作用介质内形成强的驻波声场,和增加声光互作用介质的长度,以及改进匹配网络等方法。保证器件具有较高的调制效率,从而获得了注入1W的声功率,对He-Ne激光束零级光的调制效率达50%的调制器件  相似文献   

19.
本文介绍了采用Foundy线单元库进行专用ICX920的设计过程,并给出了产品的研制结果,阐述了X920的设计思想、设计要点及加工技术。  相似文献   

20.
张雪莲  颜峻  石寅  代伐 《半导体学报》2009,30(1):015008-5
本文介绍了用于单片集成IEEE 802.11a发射前端的5.2GHz可变增益放大器和前置功率放大器。本设计采用50GHz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,芯片面积为1.12×1.25mm2。可变增益放大器由5个控制字控制,可变增益范围为34dB,并在-30°C 到 85°C范围内具有较好的温度补偿效果。前置功率放大器采用差分输入、单端输出的结构,负载采用5.2GHz电感电容并联谐振电路。两个电路的总增益最大为29dB,OIP3为11dBm。在2.85V供电条件下,总功耗电流为45mA。  相似文献   

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