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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 171 毫秒

1.  一种改进的用于SiGe HBT的焊盘模型参数提取技术  
   王永利  孙玲  高建军《固体电子学研究与进展》,2007年第27卷第4期
   提出了一种适用于Si基器件的焊盘寄生参数的提取方法,并将此方法提取的焊盘寄生参数结果与用近似法提取的焊盘寄生参数结果的精度作了比较。比较结果表明,文中提出的线性拟合法精度较高。焊盘寄生参数提取并剥离后,对AMS 0.35μm BiCMOS工艺加工的SiGe HBT的小信号等效电路进行参数提取,其中,外部电阻用基极"过驱动电流"法提取,本征参数用分析法提取,将参数提取结果代入模型进行仿真,仿真得到的S参数在整个测试频率范围内均与测试结果吻合良好。    

2.  用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程  
   何佳  孙玲玲  刘军《半导体学报》,2007年第28卷第Z1期
   介绍了Agilent HBT大信号模型参数提取方法,继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术,并对单指InP HBT器件进行了测量和仿真.实验结果表明,该模型对InP HBT直流特性及50MHz~25GHz频率范围内的交流小信号特性都能进行较好的表征.    

3.  用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程  
   何佳  孙玲玲  刘军《半导体学报》,2007年第28卷第Z1期
   介绍了Agilent HBT大信号模型参数提取方法,继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术,并对单指InP HBT器件进行了测量和仿真.实验结果表明,该模型对InP HBT直流特性及50MHz~25GHz频率范围内的交流小信号特性都能进行较好的表征.    

4.  用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数  被引次数:8
   石瑞英 刘训春 等《半导体学报》,2002年第23卷第9期
   将遗传算法用于HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进,改进后的遗传算法自动优化遗传,杂交和变异算子,节省了寻找最佳遗传,杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度,在1-26.5GHz频率范围内,用改进的遗传算法提取了Ga0.49In0.51P/GaAs HBT交流小信号等效电路模型的全部16个参数,得到了令人满意的模拟与测量S参数的比较结果。    

5.  用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数  
   石瑞英  刘训春  钱永学  石华芬《半导体学报》,2002年第23卷第9期
   将遗传算法用于HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度.在1~26.5GHz频率范围内,用改进的遗传算法提取了Ga0.49In0.51P/GaAs HBT交流小信号等效电路模型的全部16个参数,得到了令人满意的模拟与测量S参数的比较结果.    

6.  110 GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法  
   张傲  张译心  王博冉  高建军《红外与毫米波学报》,2018年第37卷第6期
   介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法, 并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合, 将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2~110GHz频率范围内S参数吻合很好.    

7.  Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型直接提取方法  
   王储君  钱峰  项萍  郑惟彬《固体电子学研究与进展》,2014年第1期
   介绍了一种较为精确的Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型的直接提取方法。该方法中的HBT小信号等效电路拓扑结构采用混合PI型结构,并通过在不同偏置状态下的测量进行模型参数的提取。采用该方法对2μm工艺、叉指数为2、发射结面积为2μm×20μm的HBT模型管进行了提取,提取结果在DC-20GHz频率范围内具有较好的精度,提取误差小于6%。    

8.  SiGe HBT非准静态小信号等效电路的参数提取  
   钮维  王军《通信技术》,2011年第44卷第4期
   提出了一种硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)非准静态效应的小信号等效电路模型的参数提取方法。整个参数提取过程建立在由非准态效应的小信号等效电路推导出的一系列泰勒级数解析公式并结合参数直接法,该方法依赖于测量的S参数,不使用任何的数值优化法,参数提取结果使用CAD仿真验证。结果表明该参数提取方法简单易行,较为精确,该方法能够用到不同工艺SiGe HBT参数提取。    

9.  HBT小信号等效电路参数解析提取  
   汪洁  孙玲玲  刘军《固体电子学研究与进展》,2005年第25卷第2期
   提出一种求解异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路模型的解析方法。在提取过程中,采用集电极开路测量和直流测量相结合的方法,精确提取到了具有物理意义的唯一的外部串联电阻值,并在精确提取非本征参数的基础上,直接提取本征参数。较大频率范围S参数的计算值与测量值有很好的吻合。    

10.  SiGe HBT小信号等效电路的参数直接提取  被引次数:1
   温佐阳  王军《微电子学》,2009年第39卷第3期
   提出了一种求解硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效电路模型的参数直接提取方法.整个提取过程使用由小信号等效电路推导出的一系列解析表达式,不使用任何数值优化方法.参数提取结果使用ADS软件仿真验证.结果表明,该方法简单易行,较为精确.    

11.  针对新型HfO_2栅介质改进的四元件电路模型  
   刘红侠  蔡乃琼《西安电子科技大学学报(自然科学版)》,2008年第35卷第6期
   针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的GV曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式.实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度.    

12.  InP/InGaAs HBT的频率特性分析  
   马晓晖  黄永清  黄辉  吴强  任晓敏《光电子技术》,2008年第28卷第3期
   频率特性是异质结双极型晶体管(HBT)设计中应首先考虑的因素,而fT,fmax则是HBT最主要的频率性能指标.首先基于InP/InGaAs HBT器件的物理结构构建了小信号等效电路模型,对该模型进行了理论分析,随后基于提取的有效参数结果,对该等效电路模型的频率特性进行了详细的计算和仿真,分析了影响fT,fmax的一些主要因素,得出的结论对于InP/InGaAs HBT的设计制作和性能优化具有一定的指导作用.    

13.  微波HBT建模技术研究综述  被引次数:8
   孙玲玲  刘军《电子学报》,2005年第33卷第2期
    本文对微波异质结双极型晶体管(HBT)发展及其应用现状、用于HBT器件的等效电路模型,以及HBT器件大、小信号建模技术、模型参数提取方法及研究进展进行述评.    

14.  HEMT小信号等效电路参数提取  被引次数:2
   李洪芹  孙晓玮  夏冠群  程知群  王德斌《功能材料与器件学报》,2000年第6卷第1期
   本文用HEMT小信号等效电路模型,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点,肉体分析了HEMT小信号等效电路中串电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取和这些方法,提取了HEMT器件32-39GHZ八个频率点的S参数值。实验结果表明,该方法简单有效,具有可操作性。    

15.  一种新颖的HBT小信号模型参数直接提取方法  
   时红娟  何国荣《信息技术》,2013年第6期
   提出了一种改进了的HBT小信号参数直接提取的方法。该方法中在提取极间寄生参数的基础上采用fly-back技术提取发射极和集电极电阻,降低了传统的采用集电极开路的方法提取全部电阻参数的复杂度,并且建立了一套完整的直接提取HBT小信号模型的新方法。与文献报道的小信号模型参数提取的方法相比,该方法的优点是,提取过程具有简明清晰的物理意义,提取速度快,并且具有较好的精度和较宽频带范围的可实用性。    

16.  一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型与提参方法  
   鲁净  王燕  祃龙  余志平《半导体学报》,2007年第28卷第4期
   为得到GaN HEMT器件的小信号等效电路,在传统的GaAs HEMT小信号模型的基础上引入了反应栅漏电流的反馈电阻Rlgs,Rlgd,并在此基础上引入分布式设计对小信号等效电路模型进一步改进,建立了19元件(20参数)的小信号等效电路拓扑结构.根据此模型提供了一套稳定的直接提参方法,结果表明新的模型系统具有简单、适应频率、偏压范围广、稳定性好和精度高等特点.相比于传统的集总模型能适应更高的频率范围,对器件品质和测量环境要求不高,有更强的稳定性.    

17.  改进的AlGaN/GaN HEMT小信号参数提取算法  
   徐鹏  杜江锋  敦少博  冯志红  罗谦  赵子奇  于奇《真空科学与技术学报》,2012年第32卷第5期
   制作了截止频率ft和最高震荡频率fmax分别为46.2和107.8 GHz的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,并针对该器件建立了包含微分电阻Rfd和Rfs在内的18元件小信号等效电路模型;在传统的冷场条件提取器件寄生参数的基础上,通过对不同栅压偏置下冷场Z参数进行线性插值运算,可消除沟道分布电阻和栅极泄漏电流对寄生电阻的影响;再利用热场S参数对寄生参数部分进行去嵌,可提取得到本征参数。分析表明,此模型和算法提高了模型拟合精度,S参数的仿真结果与测试数据在200MHz到40GHz的频率范围内均符合很好,误差不到2%。    

18.  基于电磁仿真和测试的表面贴装器件建模  
   王宜辉  高建军《电子器件》,2012年第35卷第1期
   为了建立表面贴装器件的计算机辅助设计等效电路模型,必须考虑到寄生效应和测试夹具带来的影响,因此必须对测试夹具进行去嵌。以表贴电阻为例介绍了基于数值分析法和测量法去除夹具效应和提取电阻等效电路模型的方法。所提取的等效电路模型能够在高达10 GHz的频率范围内表征器件。    

19.  一种用于InGaP/GaAs HBT的简化的VBIC模型  
   孙玲玲  王静  刘军《半导体技术》,2005年第30卷第10期
   提出一个应用于InGaP/GaAs HBT的简化的VBIC模型,描述了模型参数的提取方法,并把此模型应用于单、多指InGaP/GaAs HBT器件的建模.对器件的I-V特性及50MHz~15GHz频率范围内S参数进行了测量和仿真.结果表明,50MHz~9GHz频率范围内,简化后模型可对InGaP/GaAs HBT交流小信号特性进行较好的表征.    

20.  一种新颖的HEMT小信号模型参数直接提取方法  
   吕瑛  康星朝《信息技术》,2013年第9期
   建立了一套完整的直接提取高电子迁移率器件(HEMT)小信号模型等效电路参数的新方法.采用Open去嵌图形对器件寄生电容进行近似提取,避免了ColdFET方法提取的寄生参数为负值的现象;通过Yong Long方法对寄生源电阻进行提取,减少了模型参数提取复杂度.与其它文献报道的小信号模型参数提取方法相比,该方法物理意义简明清晰,提取速度快,并且对新材料、新器件结构有较强的实用性.    

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