直流宽束Mevva离子源的研制

作者正在研制一种在直流方式下工作,可输出离子束截面很大的金属气化真空弧(以下简称Mevva)离子源。在初步试验中,采用一组直径为18cm的多孔吸出栅极,在吸出电压为9kV(由于离子电荷状态的分布,离子能量约为18keV时,产生了束流约为0.6A的直流钛离子束。另外,作者还利用一个脉冲式等离子体枪,从直径为50cm(面积为2000cm~2)的栅极组获得离子束,这种配置方式能够非常有效地利用等离子体,在吸出电压为50kV(平均离子能量约为100keV)时,引出的束流可达7A,束的直径为33cm(FWHM),束脉冲的超调部份可达20A。本文将介绍Mevva研制规划中的直流宽束Mevva离子源的研制工作概况以及迄今所获得的研制成果。     

简易钛升华溅射离子泵的研制与应用

在多年中子发生器的研制中,中子管的排气一直使用半无油高真空系统,这样的排气系统,对没有放射性污染使用是很方便的,测量真空用的热偶规和电离规也能够反复的使用。但对含有放射性氘氚中子管来讲,排气检漏等都需要进行改进。改进的原则是,既要保证氘氚中子管排气和检漏质量,又要考虑排气、检漏所使用的仪器及材料成本是否低。因中子管排气中所使用的     

激光引发聚变的中子诊断

海军研究实验室的高功率（100焦耳,1毫微秒)钕玻璃激光器正被用于研究激光引发聚变的计划中。将要研究由强大的激光脉冲照氘化聚乙烯靶而产生的等离子体的特性。特别是等离子中氘-氘聚变反应的中子产额所表明的靶吸收激光熊量的能力。随激光功率而变的中子产量决定激光能量传输给等离子体中正离子的比率。本文总结了为这种测量而发展的中子诊断法。     

LY-3A型离子源

LY—3A型—永磁冷阴极电子振荡型离子源,是我们在一九八八年研制的最新科研成果,该离子源具有低耗高效、长寿命、束流品质好、多电荷离子产额高、气耗小、工作稳定可靠、结构简单,小巧轻便、真空性能好、离化元素广泛等优点。是离子注入机、材料改性机、加速器等设备理想的离子源。     

真空灭弧室用磁控真空计的研究

本文介绍了同轴场式脉冲磁控真空计测量的原理以及设计中的有关问题。给出了某型号的真空灭弧室的压强－离子电流曲线。测量结果表明，该磁控计的压强－离子电流曲线为幂指数函数，磁控放电的离子流与磁场强度无关，但磁场强度必须足以产生稳定的磁控放电。压强－离子电流曲线与灭弧室电极的几何构造和触头的状况有关。     

一种改进型弧放电离子源

文章介绍了一种改进型弧放电离子源,它是利用弧放电与溅射相结合的原理。源的结构是采用石英玻璃放电室,它里面又设了一个石英屏蔽。有一个环形阳极。两个LaB_6(或金属)阴极,其中一个作为引出极。专设有陶瓷法兰等。此源可以产生气体物质和金属材料的离子,并产生多电荷离子。离子流强度为1mA～14.5mA。引出系统可与高频离子源通用。这个源在北京师范大学400keV离子注入机上使用中,运行是稳定的。     

脉冲真空电弧离子能量的测量研究

离子能量是影响脉冲真空电弧离子镀镀膜质量的一个重要参数,因而测量真空电弧中离子的能量非常重要.本文介绍了一种测量脉冲真空电弧离子能量的装置-五栅网,分析了其测量离子能量的原理,并用它测量了脉冲真空电弧的离子能量.     

用于激光聚变的脉冲整形器

为使燃料小丸发生最佳向心爆炸，目前的激光聚变理论要求经过时间整形的比较短的激光脉冲。激光脉宽与波形的变化应该与靶的各种类型和大小相配。对于目前进行的实验，脉宽短到100微微秒是合乎需要的，它不需要选择较慢的电光快门整形脉冲，因为它们被限制到上升时间，同时脉宽大于几百微微秒。本文介绍的器件通过堆积一组30微微秒锁模脉冲，能产生多种形状及宽度的脉冲。这种多用途的脉冲堆积器目前用来对KMS钕玻璃聚变激光器系统作脉冲整形，自1974年5月1日起，该公司通过加热并压缩玻璃空心球靶内的氘或氘-氚燃料，己由这种玻璃激光器系统打出500个以上的中子产额。     

金属气化真空弧离子源

利用金属气化真空弧离子源(以下简称Mevva)形成金属等离子体,然后从中引出离子束是一种很有效的产生大束流金属离子束的技术。周期表上几乎所有的固体金属都可通过这种技术产生几安培的金属离子脉冲束流。最近进行的一些试验还证实利用这种技术还可获得金属离子的直流束流。它所采用的离子束引出电压可以高达100keV。由于真空弧等离子体产生的离子一般都带有多电荷,因此,离子能量实际上可高达几百keV。这种离子源可用于重离子同步加速器的注入装置、金属离子注入以及其它应用领域。美国的Berkeley大学和世界上其它国家的科研机构分别研制出了好几种结构不同的这种类型的离子源。它们具有下述特点:阴极数目多、能够很方便地迅速更换18种阴极材料,束的直径可以大到50cm,也可以小到姆指那么大,本文将根据Berkeley大学所承担的Mevva离子源研制规划的发展前景,对这种离子源的设计特点、使用性能和束的特性等作一综述性的介绍。     

基于SOS的高重频高压纳秒脉冲源设计

依据高重频高压纳秒脉冲输出的要求,基于半导体断路开关(SOS)的工作特点,设计了高重频高压纳秒脉冲源脉冲发生器线路。分析发生器线路的工作原理,对输出脉冲幅度50 kV/100 Ω、脉宽约10 ns~20 ns和重复频率100 kHz脉冲源的线路中关键器件的参数进行了计算。分析关键器件SOS、饱和脉冲变压器、副开关要求,给出了关键器件的选型参考。