中脑导水管周围灰质支配桥脑Barrington‘s核内骶髓投射神经元的 …

本文研究采用电镜双标记技术对大鼠中脑导水管周围灰神经元投射到桥脑Ｂａｒｒｉｎｇｔｏｎ’ｓ核的轴突与该核内投射到骶髓的神经元的胞体和树突触关系进行了探讨。将生物素标记的葡聚糖胺（ＢＤＡ）注射于中脑导水管周围灰用来标记它发出的轴突终末,将辣根过氧化物酶（ＨＲＰ）注射于脊髓的骶髓部分,用来标记Ｂａｒｒｉｎｇｔｏｎ’ｓ核内投射至骶髓的神经元。显色后透射电镜观察发现,ＢＤＡ标记的轴突终末与ＨＲＰ标记的胞体和     

大鼠内侧视前区支配Barrington氏核内骶髓投射神经元的光电镜研究

下丘脑内侧视前区 ( Medial preoptic area,MPO)在神经内分泌和生殖活动中起重要作用 [1,2 ]。Barrington氏核是一个与排尿反射有密切关系的核团 ,又称为脑桥排尿反射中枢。众所周知 ,性行为 (如射精 )与排尿活动密切相关 ,性活动时常伴随排尿的抑制。近来的研究表明 MPO神经元发出的轴突投射至 Barrington氏核[3,4 ] 。但这些投射纤维是否与 Barrington氏核内投射至骶髓神经元形成直接突触的联系尚缺乏证据。因此 ,本研究在光镜及电镜水平采用双标技术对上述问题进行了探讨。材料和方法　实验用体重为 2 0 0～ 2 5 0 g的成年雄性 SD大…     

大鼠侧脑室及其脉络丛室管膜上皮的超微结构观察

采用扫描和透射电子显微镜研究大鼠侧脑室及其脉络丛室管膜上皮的超微结构特征,并探讨其功能。扫描电镜观察结果：侧脑室壁室管膜上皮细胞游离端呈不规则多边形,可见纤毛及微绒毛,偶见分泌泡,脉络丛上皮细胞游离端微绒毛及分泌泡丰富,纤毛光见,可见、丛上细胞”。透射电镜观察发现,侧脑室壁及脉络丛上皮均由单层立方上皮组成,但二类上皮细胞的超微结构明显有别,室管膜上皮表面可见纤毛及微绒毛,分泌泡少见,脉络丛上皮游离端微绒毛丰富,常吻合成迷路样网,微绒毛的顶端膨大,形成微顶浆分泌小泡,胞浆内细胞器丰富,大鼠侧脑室壁及脉络丛上皮超微结构的差异反映二者功能的不同,本研究认为侧脑室脑脊液分泌的主要部位是脉络丛,其分泌的方式除脉络丛上皮细胞的主动运输功能外,可能微顶浆分泌法是侧脑室脑脊液形成的主要方式。     

抗变链菌IgY防龋作用的形态学观察

目的：了解抗变链菌IgY(抗变形链球菌鸡蛋黄抗体IgY)及膏体IgY(抗变链菌IgY被包裹于牙膏体)对体外培养变形链球菌形态的影响和对大鼠口腔病原菌的抑制作用。方法：(1)分别用抗变链菌IgY(浓度为0．015％、0．08％和0．15％)和膏体抗变链菌IgY处理体外培养的变链菌,应用透射电镜和扫描电镜观察其超微结构;(2)选10只大鼠．将膏体抗变链菌IgY涂抹于大鼠牙齿及牙龈表面,一周后取样作光镜和扫描电镜观察。结果：实验组部分变链菌细胞壁及荚膜层结构模糊;涂抹膏体抗变链菌IgY大鼠的牙龈、牙齿表面、窝沟和龈沟内细菌和菌班数量明显减少。结论：抗变链菌IgY和膏体抗变链菌IgY可导致变链菌细胞壁及荚膜变化;膏体抗变链菌IgY可抑制大鼠口腔病原菌生长。     

Microstructural properties of thermally stable Ti/W/Au ohmic contacts on n-type GaN

We have investigated the microstructural and electrical characteristics of Ti/W/Au ohmic contacts on n-type GaN (4.0 × 10¹⁸ cm⁻³) using Auger electron spectroscopy (AES) and transmission electron microscopy (TEM) after annealing at 900 °C. It is shown that the electrical properties are improved upon annealing at 900 °C for 1 min in nitrogen ambient. The 900 °C annealed contact produced a specific contact resistance of 8.4 × 10⁻⁶ Ω cm². It is further shown that the contact exhibits thermal stability during annealing at 900 °C. Based on the Auger electron microscopy and transmission electron microscopy studies, the formation of TiN layer results in an excess of N vacancies near the surface of the GaN layer, which could be the reason for the low-resistance of the Ti/W/Au contact.     

68例脑胶质瘤透射电镜和扫描电镜观察及其鉴别诊断意义

收集人脑原发性胶质瘤标本68例,其中星形细胞瘤9例,间变性星形细胞瘤22例,胶质母细胞18例,少突胶质细胞瘤3例,间变性光突胶质细胞瘤4例,少突－星形胶质细胞肿瘤12例。另有上皮型和纤维母细胞型脑膜瘤6例。采用透射电镜和扫描电镜观察瘤细胞和间质的超微结构特点。结果显示,各型星形细胞肿瘤瘤细胞共同特点是胞浆及胞突内含有多少不等的胶质细丝;胞膜皱折不平,有多少不一的胞突,这些胞突相互交织在一起。Rosenthal纤维由密集排列的细丝状物围绕不规则的嗜锇性团块构成。脑膜瘤瘤细胞有很多指状突起,细胞间可见桥粒连接,胞膜表面缺乏星形细胞瘤细胞表面的那种皱折。结果表明,透射电镜和扫描电镜可以做为脑胶质瘤病理诊断、鉴别诊断的辅助手段。在普通光镜观察的基础上,结合免疫组化结果,应用扫描电镜还可以比较直观地观察到瘤组织内各种成分之间的相互关系。     

高精度测量电子全息中的位相变化

本文好一种能够高精度测量电子全处民位相变化的新方法。     

Correlative microscopy analyses of thin-film solar cells at multiple scales

In the present work, a brief overview is given on how to apply transmission (TEM) as well as scanning electron microscopy (SEM) and their related techniques (electron diffraction, energy-dispersive X-ray spectrometry, electron energy-loss spectroscopy, electron holography; electron backscatter diffraction, electron-beam-induced current, cathodoluminescence) for the analysis of interfaces between individual layers or extended structural defects in a thin-film stack. All examples given in the present work were recorded on Cu(In, Ga)Se₂ thin film solar cells, however, the shown experimental approaches may be used on any similar thin-film semiconductor device. A particular aspect is the application of various techniques on the same identical specimen area, in order to enhance the insight into structural, compositional, and electrical properties. For (aberration-corrected) TEM, the spatial resolutions of such measurements can be as low as on the subnanometer scale. However, when dealing with semiconductor devices, it is often necessary to characterize electrical and optoelectronic properties at larger scales, of few 10 nm up to even mm, for which SEM is more appropriate. At the same time, these larger scales provide also enhanced statistics of the analysis. In the present review, it is also outlined how to apply SEM techniques in combination with scanning-probe and optical microscopy, on the same identical positions. Altogether, a multiscale toolbox is provided for the thorough analysis of structure-property relationships in thin-film solar cells using correlative microscopy approaches.     

透射电镜电学测试样品杆与扫描电镜联合系统的搭建

透射电子显微镜电学测试样品杆是用于透射电子显微镜中测试样品外场加载下电学性能的专用仪器。本文介绍通过对法兰及其它对接接口的系列设计,使该系统可应用于扫描电子显微镜中。该系列设计改造,能够大大拓展该电学测试系统的应用范围。以单根Si纳米线为例,在扫描电子显微镜中利用该电学测试系统实现Si纳米线弯曲变形下电输运性能的研究。     

准一维半导体纳米结构的电子显微学研究

本文总结了近年来我们在功能准一维纳米结构材料研究方面所获得的一些有意义的结果。借助于现代电子显微镜技术,不仅研究了硅、氮化稼、氧化锌等一维纳米材料的形貌和显微结构,还研究了其一维择优生长机理及小尺度效应。尤其是利用高能量分辨电子能量损失谱、高角环形暗场探头等先进技术,解决了一个传统X－光等结构分析手段所不能解决的难题,分析了一种SiOx/SiC复合纳米电缆的成份与结构。     

用空间域相减法提高电子全息图再现像的分辨率

研究了在数字电子全息记录和再现过程中利用空间域相减法消除自相关项影响的实验和数据处理方法。通过适当改变电子棱镜的电压实现同一样品的离轴电子全息图和像强度分布图的实验记录;在图像相减的数据处理过程中,同时使零级衍射谱的总能量趋于最小值的迭代算法来消除记录过程中全息图和像强度图之间可能存在的能量和位置偏差。给出了有关的实验和数据处理结果。实验结果表明,该方法是可行的。