MLX75307：CMOS图像传感器

MLX75307 CMOS图像传感器是为汽车前向视觉应用所设计,对于潜在危险会给驱动器提供预警。器件具有高动态范围像素矩阵,能够扩展输入和输出动态范围,表现出超越分段线性响应。此外,器件具有低亮度响应提升,在低亮度环境下增加了图像亮度和对比度。对于目前每个EMVA1288标准,12-bit传感器能够以150fps帧速率检测低于每个像素500光子的NIR发光亮度。相当于检测距离大于250m的拉住和一个典型的夜视镜头。     

CMOS图像传感器的多斜率积分线性恢复方法

针对CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器成像系统中普遍存在的动态范围小和响应线性度差的问题,提出了一种兼顾图像传感器动态范围及响应线性度的方法——多斜率积分线性恢复.该方法在固定复位电压值的多斜率积分基础上,通过测得传感器的分段响应临界值,得出分段响应与线性响应映射关系,根据该映射关系对实测图像数据进行线性恢复.通过采用具体成像系统,对比使用该方法前后的成像质量和直方图统计后得出:不同的分段积分参数对线性恢复的影响不同,在合适的参数下,该方法能够有效地提高CMOS图像传感器的动态范围及响应线性度.     

CMOS图像传感器4T像素本底噪声分析

为了抑制本底噪声,提高图像动态范围,首先给出CMOS图像传感器的4T像素结构,分析该结构下的基本噪声源.然后,分别讨论了各本底噪声分量的形成及对信号的影响,并以噪声电子数的形式对各噪声分量进行了定量分析,提出了相应的噪声抑制措施,且进行了仿真验证.     

基于时间域读出的大动态范围CMOS图像传感器

设计了一款基于时间域读出的大动态范围CMOS图像传感器。传感器基于一种新型的结构,其可在时间域下探测高输入光强,在模拟域下探测低输入光强。该设计在传统电容反馈式跨阻放大器(CTIA)的基础上,新增了时间域测量电路,在不改变原有积分过程的同时可实现连续的大动态范围。基于0.35μm,5V-CMOS工艺进行了256×1线列CMOS图像传感器流片,光电二极管面积为22.5μm×22.5μm,并对器件的光电特性进行了后仿真验证。仿真测试结果表明,基于时间域读出的图像传感器可实现96dB的大动态范围,且时间域和模拟域的两路输出信号可同步输出,功耗为7.98mW。     

CMOS图像传感器面临噪音问题挑战

随着数字相机市场的快速增长和消费者对新功能的需求,CMOS图像传感器迎来迅速发展时期。过去,大多数这类电子产品都使用电荷耦合器件(CCD)作为图像传感器。现在,人们要求产品必须拥有更大的带宽和更低的功耗,而CCD在结构上的缺陷使它难以满足这种需求。正因为如此,CMOS图像传感器才有了取代CCD的可能。     

深亚微米CMOS有源图像传感器技术

在深亚微米CMOS技术，传统CMOS图像传感器像素结构如PD、PG等受到极大挑战，为了获得良好摄像质量，需要一些CMOS生产工艺的改变和像素结构的革新。     

新型CMOS图像传感器及其应用

主要介绍CMOS图像传感器的发展现状、最新进展、市场前景及其在医学上的应用。     

CMOS图像传感器的研究新进展

随着超大规模集成技术的发展,CMOS图像传感器显示出了强劲的发展趋势.简要介绍了CMOS图像传感器的发展历程,在分析CCD和CMOS图像传感器工作原理的基础上,对比了CMOS图像传感器与CCD的特点.重点描述了国外CMOS图像传感器的最新商业化产品状况,同时给出了一些产品的性能参数,最后展望了CMOS图像传感器的未来发展趋势.     

一种新型CMOS图像传感器的设计

为了提高CMOS图像传感器的图像质量,通过对图像主要的噪声源以及图像失真的分析,提出一种新型的CMOS有源像素图像传感器.该CMOS图像传感器使用4T有源像素,大大提高了图像传感器的灵敏度.通过在传感器中集成图像预处理功能,对改善图像的质量起到了很好的效果.     

CMOS图像传感器的最新进展及其应用

主要介绍CMOS图像传感器的发展现状，最新进展，市场前景及其在医学上的应用。     

CMOS图像传感器赶超CCD图像传感器

比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点，分析了CMOS图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。提出了随着CMOS图像传感器技术的发展，CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器，并对其发展趋势作了预见。     

一种新型大动态范围CMOS图像传感器

提出了一种具有新型像素结构的大动态范围CMOS图像传感器,通过调整单个像素的积分时间来自适应不同的局部光照情况,从而有效提高动态范围。设计了一种低延时、低功耗、结构简单的新型pixel级电压比较器及基于可逆计数器的时间-电压编码电路。采用0.6μm DPDM标准数字CMOS工艺参数对大动态范围像素单元电路进行仿真,积分电容电压Vcint与光电流呈良好的线性关系,其动态范围可达126dB。在3.3V供电电压下,单个像元功耗为2.1μW。     

全局快门CMOS图像传感器研究进展

全局快门CMOS图像传感器广泛应用于高速运动物体的成像,包括机器视觉、工业测量、航空航天,以及军事应用等领域.介绍了全局快门CMOS图像传感器的主要类型,具体分析了灵敏度、寄生光灵敏度、读出噪声、动态范围和帧频等性能参数的研究进展.最后对国内外有代表性的全局快门CMOS图像传感器产品进行了介绍.     

CMOS图像传感器

<正> 图像传感器是传感技术中最主要的一个分支,是PC机多媒体大世界今后不可缺少的外设,也是保安监控产业中最核心的器件。在知识经济和信息社会已经到来的今天,它在我们的社会生活和个人生活中会有数不胜数的应用。 CMOS图像传感器和CCD摄像器件在20年前几乎是同时起步的。由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点,所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反,CMOS图像传感器过去存在着像素大、信噪比小、分辨率低这些缺点,一直无法和CCD技术抗衡。但是随着大规模集成电路技术的不断发展,过去CMOS图像传感器制造工艺中不易解决的技术难关现已都能找到相应解决的途径,从而大大改善了CMOS图像传感器的图像质量。目前CMOS单元面积的像素数已可与CCD单元面积的像素数相     

一种基于电荷泵的CMOS图像传感器

提出一种基于电荷泵的CMOS图像传感器.使用一个基本的电荷泵电路提高重置脉冲信号的幅值至5.8 V,使像素单元中的充电节点电压在充电周期可以达到电源电压;同时调整像素单元中的源极跟随器的参数,降低充电节点电压在积分周期的摆动范围下界,充电节点电压的摆幅提高了53.8%,传感器的动态范围提高了3.74 dB.这种方案也减小了充电时间常数,使充电周期减小到10 ns,有效地提高了传感器的图像采集帧率.     

CMOS图像传感器简议

数码相机和可拍照式便携设备的兴起，使得CMOS图像传感器这个名词进入大众的视野，而这种产品也成为了半导体产品中增长最快的一种。其实，在几年前，CMOS传感器还没有今天这样耀眼的地位，那时的它还只能仰望强大的对手CCD传感器。但是，仅仅是几年的功夫，它就可以同CCD分庭抗礼了。     

新型CMOS图像传感器

本文简要介绍日本东芝公司的数码照相机所采用的CMOS图像传感器并将之与CCD图像传感器作了对比。     

CMOS图像传感器研究

结合CMOS图像传感感器的研究背景,从5个方面对CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点进行了比较,重点分析了CMOS图像传感器的结构、工作原理以及影响传感器性能的主要因素,并给出了相应的解决方法。最后,预测CMOS图像传感器的技术发展趋势。