纳米锗颗粒膜的结构与拉曼散射

用直流磁控溅射方法制备的纳米Ge颗粒膜．通过XRD表征和LRS谱分析，发现沉积态颗粒膜主要为无定形态的Ge团簇，同时在溅射沉积过程中有少量Ge被氧化成非晶态的GeO．颗粒膜经过真空退火处理，形成纳米级的Ge晶和GeO晶体．退火态的膜层结构比沉积态的疏松．对于薄膜纳米颗粒的结构，提出Core—Shell结构模型。解释了Raman散射谱中新出现的150cm^-1和215cm^-1的Raman散射峰．     

基于拉曼散射的分布式光纤测温主机设计与应用

介绍了一种适用于温度缓变场合的分布式光纤测温主机的设计方案,该方案基于拉曼散射原理,采用波分复用、时分复用和空分复用技术进行设计,适用于温度缓变环境。试验结果表明,采用该分布式光纤测温主机能够准确快速地对温度进行监测和预警。     

基于拉曼散射的光纤测温系统在煤矿井下电缆温度监测中的应用

由于煤矿井下作业场所的特殊性,电缆着火引发的重大事故会严重威胁煤矿的安全生产,介绍了煤矿井下电缆火灾事故的主要原因和特点,提出了基于拉曼散射的光纤测温技术对井下电缆温度进行实时监测预警,并给出了分布式光纤测温系统的原理、硬件组成。     

纳米多层膜的研究进展

综述了纳米多层膜的研究进展,包括多层膜超硬的原因、多层膜的种类、制备方法及结构和成分的检测手段,并提出纳米多层膜今后的研究方向和应用前景.     

颗粒群的分散压与流膜选矿机理

流膜选矿发生在浓密的液固两相流中，它与稀疏的液固两相流有质的区别。本文考虑到流膜中浓度分布的不均匀性，应用拜格诺实验的结果，计算斜面溜槽和离心选矿机流膜中颗粒分散压与有效重力的比值。以此比值分析流膜分选机理，所获得的结果与实验数据完全一致。表明拜格诺剪切分散效应在流膜选矿中起关键作用。     

环境和纳米颗粒的挑战

矿物加工产业面临一系列的环境法规.为了适应现有的标准,了解将来新增加的限制是十分重要的,同时还要制定相应的计划.将来会产生新法规的领域是:1)日益紧迫的空气传播的微粒标准,尤其是颗粒小于2.5μm(PM2.5);2)关于纳米颗粒的排放;3)温室气体的新标准(尤其是二氧化碳);4)包含在气体排放物中汞的标准;5)"零废弃物"的推进.本文对以上领域进行了探讨,并且就目前和可预见的未来,为矿物加工产业应对这些排放标准提供对策.     

纳米多层膜的研究进展

综述了纳米多层膜的研究进展,包括多层膜超硬的原因、多层膜的种类、制备方法及结构和成分的检测手段,并提出纳米多层膜今后的研究方向和应用前景.     

水热法制备SnO_2纳米颗粒的放电等离子体烧结

以金属锡粉先合成锡配合物,再进行水热反应得到无氯离子污染的纳米二氧化锡粉体。以该粉体进行放电等离子烧结制备二氧化锡陶瓷,于850℃获得理论密度值90.5%,但当进一步提高烧结温度至900℃时,由于SnO2颗粒的蒸发和还原未能达到更高密度。     

水热制备SnO2纳米颗粒的放电等离子体烧结

以金属锡粉先合成锡配合物,再进行水热反应得到无氯离子污染的纳米二氧化锡粉体。以该粉体进行放电等离子烧结制备二氧化锡陶瓷,于850℃获得理论密度值90.5%,但当进一步提高烧结温度至900℃时,由于SnO2颗粒的蒸发和还原未能达到更高密度。     

Surface enhanced raman scattering spectroscopic studies of the adsorption of flotation collectors

Surface enhanced Raman scattering (SERS) spectroscopy at surfaces under electrochemical control has been applied to elucidate the adsorption of thiol collectors. Voltammetry has shown that charge transfer chemisorption of ethyl, isopropyl, isobutyl and isoamyl xanthates occurs on silver surfaces at potentials below the reversible value for the formation of the silver xanthate. SERS spectroscopy has identified the species formed at underpotentials to be xanthate bonded to silver atoms through the sulfur atoms. Application of this technique has also shown that the adsorption of O-isopropyl-N-ethylthionocarlpamate on copper involves a charge transfer process and rest potential measurements indicate that this adsorption occurs at underpotentials. SERS spectra also establish that 2-mercaptobenzothiazole undergoes charge transfer chemisorption on copper, silver and gold over a wide potential range by bonding through the exocyclic sulfur atom.     

CrTiAlCuN多元硬质薄膜的制备及其性能

采用离子束辅助磁控溅射技术制备CrTiAlCuN薄膜,利用扫描电镜(能谱仪)、X射线衍射仪、硬度计、划痕仪及磨擦磨损试验仪分析检测膜层的结构及主要力学性能.结果表明:所制备CrTiAlCuN膜层厚度约2.0μm,膜层细腻致密,呈典型的柱状晶生长;膜层中的主要元素是Cr,其含量占40%左右;膜层呈现出与CrN相近的晶体结构和晶格常数,晶格中部分Cr原子被Ti和Al替代;膜层的显微硬度达3255Hv,结合力为74N,而Cu的引入使摩擦系数降低至0.366,薄膜具有优良的综合性能.     

优质纳米晶硅薄膜的低温制备技术及其在太阳能电池中的应用进展

纳米晶硅薄膜是集晶体硅材料和氢化非晶硅薄膜优点于一体,可望广泛应用于薄膜太阳能电池、光存储器、发光二极管和薄膜晶体管等光电器件的一种新型功能材料.本文综述低温制备优质纳米晶硅薄膜技术的研究进展及其在薄膜硅太阳能电池上的应用.     

c轴取向钒酸铋铁电薄膜的制备及电学性能

采用旋涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi2VO5.5铁电薄膜,研究退火温度对薄膜物相结构、表面形貌、电学性能的影响.500,550,600,700℃退火所得薄膜均表现出c轴取向,且c轴取向度随温度升高而增加,同时薄膜的介电常数增加,介电损耗略有降低,低频色散现象略有减弱.700℃退火所得Bi2VO5.5薄膜剩余极化值约为1.71 μC/cm2,矫顽场为127.8 kV/cm,且薄膜在可见光区有较好的吸收,光学带隙约为2.41 eV.     

Visualization of ferromagnetic domains in vanadium-doped topological insulator thin films and heterostructures

Magnetically doped topological insulator(TI) thin films and related heterostructures have been extensively studied for years due to their exotic quantum transport properties and potential applications in low-dissipation electronic devices and quantum computation.The selection of magnetic dopants is crucial to realize a high-quality magnetic TI with a robust ferromagnetic ordering and a preserved topological band structure.In this paper,we briefly review the recent magnetic domain imaging works i...     

软化学法制备VO2热色薄膜的研究进展

综述了采用软化学方法制备VO2薄膜的工艺技术特点,以前驱物的划分为主线,着重探讨了前驱物的选择、氧分压和热处理温度等工艺条件对其物相结构与性能的影响,对反应热力学进行了初步的探讨.我们认为,热处理温度和气氛的调节控制是获得单一相热色VO2薄膜的技术关键.     

B-C-N薄膜的制备及其红外光谱表征

采用射频磁控溅射方法,以石墨和六方氮化硼(h-BN)为复合靶,在氩气和氮气的氛围中,在室温和673 K的条件下,分别改变N2流量,沉积BCN薄膜.经傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,在1000～1800 cm-1和2200 cm-1处分别出现了C=N键和弱的C≡N键的特征吸收峰,表明沉积的薄膜组分当中,少量碳原子与氮原子结合.而分别溅射石墨和h-BN靶,红外光谱分析显示1100 cm-1处不是B-C键.说明采用射频磁控溅射方法得到的薄膜倾向于相分离.     

B-C-N薄膜的制备及其红外光谱表征

采用射频磁控溅射方法,以石墨和六方氮化硼(h-BN)为复合靶,在氩气和氮气的氛围中,在室温和673 K的条件下,分别改变N2流量,沉积BCN薄膜.经傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,在1000~1800 cm-1和2200 cm-1处分别出现了C=N键和弱的C≡N键的特征吸收峰,表明沉积的薄膜组分当中,少量碳原子与氮原子结合.而分别溅射石墨和h-BN靶,红外光谱分析显示1100 cm-1处不是B-C键.说明采用射频磁控溅射方法得到的薄膜倾向于相分离.