Nb2O5掺杂对PZN-PZT压电陶瓷微观结构和电性能的影响

研究了施主掺杂离子Nb^5＋对Pb（Zn1/3Nb2/3）0.2Ti0.4Zr0.4O3 （PZN-PZT） 压电陶瓷微观结构和电性能的影响. Nb2O5加入量为0.0%～1.0%, 样品制备采用钶铁矿前驱体方法. 通过扫描电镜（SEM）和X射线衍射（XRD）分析, 确定了Nb2O5在钙钛矿主晶格中的固溶限度为0.5%左右. 少量Nb2O5能够抑制晶粒生长, 并导致四方相向三方相转变和晶体四方度的降低;而过量Nb2O5对晶粒尺寸、相转变和晶格畸变没有显著影响. 材料的电性能随Nb2O5加入量的增加而呈现极值型变化, 最优电性能在固溶限度处.     

Nb2O5、La2O3掺杂对SrTiO3双功能陶瓷半导化及显微结构的影响

主要研究了Nb2O5和La2O3双施主掺杂对SrTiO3陶瓷半导化及显微结构的影响.采用传统电子陶瓷工艺在1420℃弱还原气氛中(N2+石墨)制备了半导化的SrTiO3陶瓷,讨论了在稀土添加总量为0.9%(摩尔分数)的条件下, Nb2O5La2O3比对SrTiO3陶瓷室温电阻率和显微结构的影响.研究结果表明双施主掺杂不仅可以促进SrTiO3陶瓷半导化而且对显微结构有重要影响.Nb2O5La2O3为21时样品室温电阻率为0.89Ω·cm,显微结构较为理想.在此基础上,获得压敏与介电性能较佳的双功能SrTiO3陶瓷元件.     

Nb掺杂(Bi0.5Na0.5)0.91Pr0.02Ba0.07TiO3无铅弛豫铁电陶瓷储能性能研究

通过固相烧结法掺杂微量Nb到(Bi_0.5Na_0.5)_0.91Pr_0.02Ba_0.07TiO₃无铅铁电陶瓷，对其相结构、微观形貌、储能行为及介电行为进行了研究。所有样品都形成了单一的钙钛矿相，晶粒细小，Nb掺杂有效地抑制了晶粒长大，在保持较大饱和极化强度基础上降低了剩余极化强度且提高了(Bi_0.5Na_0.5)_0.91Pr_0.02Ba_0.07TiO₃铁电陶瓷电场强度。掺杂量为0.05 mol时陶瓷在场强139 kV/cm下最大可释放储能密度达到1.85 J/cm³,储能效率达到65.75%,获得了较大的介电常数1250且保持稳定。     

Nb和Ta掺杂四方YSZ机械性能及热性能的第一性原理研究

采用从头算平面波赝势方法结合电子交换关联能的广义梯度近似理论,对四方YSZ、Nb2O5掺杂YSZ(简写为Nb YSZ)、Ta2O5掺杂YSZ(简写为Ta YSZ)的晶体结构进行几何优化,得到体系的最稳定结构。然后利用胡克定律计算了四方YSZ、Nb YSZ、Ta YSZ的弹性常数,根据弹性常数分别获得了这三种结构的体模量、剪切模量、杨氏模量、声速、德拜温度和理论最低热导率等参数。研究结果表明:Nb2O5和Ta2O5掺杂均能降低YSZ的杨氏模量和理论最小热导率。从理论上证实Nb2O5和Ta2O5均是YSZ良好的掺杂剂,Ta2O5的效果好于Nb2O5。     

(Mg_(4-x)Zn_x)Ta_2O_9微波陶瓷的结构和介电性能

结合高能球磨法技术,采用传统固态反应法制备了Zn掺杂Mg_4Ta_2O_9基单相刚玉结构微波陶瓷。在XRD、SEM、Raman等晶体结构及微观形貌的系统表征和微波性能测试的基础上,开展了Zn掺杂Mg_4Ta_2O_9基微波陶瓷的结构和性能相互作用的研究。结果表明,在x=0~0.8范围内,Zn能够固溶进入Mg_4Ta_2O_9基体而形成单相刚玉结构(Mg_(4-x)Zn_x)Ta_2O_9陶瓷。XRD精修结果进一步显示,Zn掺杂可导致Mg_4Ta_2O_9陶瓷中氧八面体的扭转畸变。拉曼光谱结果显示,Zn掺杂使Mg(Zn)—O键之间的振动减弱。而Zn取代Mg使Mg(Zn)—O键长变长和键能减弱是未掺杂Mg_4Ta_2O_9陶瓷的品质因子从169 074 GHz下降到(Mg_(3.2)Zn_(0.8))Ta_2O_9陶瓷的68 173 GHz的关键因素。     

陶瓷电容器用Nb2O5的制备

对陶瓷电容器用Nb2O5的氨中和沉淀制备方法进行了研究.通过控制溶液的浓度、反应的温度和速度及焙烧温度等工艺条件,可制备出平均粒径约0.8 μm、分散性好的Nb2O5.用该方法所制备的Nb2O5生产的陶瓷电容器,介电常数高,稳定性好,可靠性高.     

Nb掺杂对Li1.16Mn0.56Ni0.28O2性能的影响

采用高温固相法制备了Nb掺杂Li1.16Mn0.56Ni0.28O2正极材料。研究发现Nb掺杂能够增大一次颗粒尺寸,降低比表面积。当掺杂量≤0.1%（质量分数）时,a、c值线性增长并遵循Vegard定律,表明Nb进入富锂锰基材料晶体结构中过渡金属位;掺杂量＞0.1%时,部分Nb以化合物的形式存在于晶界或表面。0.1%掺杂量样品电化学性能最佳：0.1 C放电比容量和库伦效率分别为256.9 mAh/g和87.8%,0.5 C循环80周后容量保持率为85.4%。进入晶格后的Nb5+扩大了Li层间距有利于Li+的脱嵌,同时形成更强的Nb—O键,抑制晶格氧的流失,稳定材料的结构。     

新型复合稀土掺杂ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷

采用固相法制备新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,并对其显微组织和电性能进行了分析.结果表明,复合稀土掺杂可提高压敏陶瓷的综合性能,并明显优于单一稀土掺杂,复合稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律.新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随Y2O3掺杂量的增加,电位梯度呈增加的趋势;在相同的Y2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数呈增加的趋势.当掺杂Sc2O3的摩尔分数为0.12%、Y2O3的摩尔分数为0.20%时,复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷的综合电性能最为理想,电位梯度为410V.mm-1,非线性系数为38.0,漏电流为0.58μA.     

Ba1-xKxPbO3系导电陶瓷的电性能研究

采用Ba(OH)2·8H2O, Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料, 柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂, 采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷, 讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明: 采用Sol-Gel法获得了均一相、化学计量比的K掺杂BPO陶瓷;K-BPO陶瓷的室温电阻率随K掺杂量呈倒"S"形状变化, 当掺杂量为3%～5%(摩尔分数)时室温电阻率最低, 约为4.5×10-4 Ω·cm;另外, 与BaTiO3系PTC陶瓷不同, PBO陶瓷引入受主杂质K后, 不但可以降低材料的室温电阻率, 而且可以使材料呈现出一定的PTC效应.     

铈或钕掺杂TiO2光催化陶瓷及其自洁净抗菌性能研究

采用溶胶-凝胶法和浸渍提拉法在陶瓷表面覆盖了Ce或Nd掺杂的TiO2薄膜.稀土掺杂量为Ce/TiO2=0.007,Nd/TiO2=0.003(摩尔比)时,铈或钕掺杂TiO2光催化陶瓷分别对甲基橙的降解率最大.稀土掺杂TiO2光催化陶瓷对大肠杆菌的抗菌率高达99%,较纯TiO2光催化陶瓷的91%更高.     

冶炼烟尘比电阻与电除尘器效率的关系

本文分析了冶炼过程烟气比电阻与电除尘效率的关系，提出了降低比电阻以提高除尘效率的主要措施。     

珠钢CSP生产线中机架零调问题的解决

对机架不能零调的原因进行了分析，提出了解决机架零调问题的方法。     

矿用扇风机选型的专家系统

矿用扇风机选型的专家系统能根据矿山实际生产情况和安全技术的要求 ,应用人工智能原理 ,选出最优的扇风机 ,选出的扇风机能适应井下生产条件的动态变化 ,它为矿用扇风机的选型提供了一种新的方法     

球团矿厂计算机集散控制系统的开发研究

根据该厂生产实际，在winodws系统下以Visual Basic为开发工具，自主完成了计算机集散控制系统的设计并实施。     

世界硅材料工业发展概况

文中以详尽的数据和事实分析了近几年世界半导体硅材料工业的发展及未来趋势。指出：欧、美、日各国的硅材料工业近几年产量增加、效益看好，仍然是各国的投资热点，大直径化的发展速度非常快，估计1998年Φ200mm硅片的产量将达到380万片／月，而且Φ300mm和Φ400mm硅片的研制已经在国际大协调的局面下启动。与此相适应，为了满足亚微米器件的需求，硅片的质量水平也在不断提高，从世界各地区的发展趋势看，存在着明显的不平衡，亚太地区显著地优于其他地区，此外，对多晶硅的大量需求与多晶硅生产能力不足的矛盾正成为硅材料工业发展的瓶颈，估计这种局面要到1997年后才能有所改观。     

轧机大围盘新工艺改进实践

论述了安钢250机组轧机大围盘工艺改进的可行性分析，大国盘工艺技术参数确定过程以及实话此工艺的生产实践效果。     

连铸工艺参数对圆管坯内部质量的影响初探

通过对圆管坯连铸钢水过热度、拉坯速度及二次冷却配水的系列试验，分析了其浇注工艺参数对铸坯内部裂纹及结晶组织结构的影响。通过进一步优化工艺参数，减少了圆管坯内部裂纹，扩大中心等轴晶区。缩短柱状晶区，使圆管坯质量得以改善，从而提高了圆管坯的穿孔性能，减少钢管内折。     

首钢提高烧结矿碱度的生产实践

分析了首钢烧结矿提高碱度后，烧结矿主要技术经济指标的变化情况。生产情况表明．随着碱度提高，烧结矿强度和冶金性能有改善，品位略有下降。高炉使用后炉况稳定、焦比下降．未给高炉生产造成不利影响。