积极参加国际标准会议 提高国际地位 促进科技进步

１基本情况根据国家技术监督局的分工，将有色金属方面的国际标准化组织技术委员会划归到中国有色金属工业总公司标准计量研究所统一归口管理。这些技术委员会（ＴＣ）是：ＩＳＯ／ＴＣ１８锌及锌合金ＩＳＯ／ＴＣ２６铜及铜合金ＩＳＯ／ＴＣ４７／ＳＣ７电解铝用氧化铝、...     

MOCVD法制备ZnS：Mn薄膜中锰掺杂浓度的实验研究

用ＭＯＣＶＤ方法制备ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜，研究了薄膜中锰浓度与ＴＣＭ源温度、衬底温度及ＴＣＭ源流量之间的关系。以ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜为发光层，制备了双绝缘层结构的交流薄膜电致发光显示器。     

大面积YBCO超导薄膜沉积工艺

用大直径中空柱状阴极直流磁控溅射装置，在Φ５１ｍｍＬａＡｌＯ３衬底上制备了ＹＢＣＯ薄膜。利用Ｘ射线衍射、电子通道花样、Φ扫描、扫描电镜对薄膜进行了分析。在５１ｍｍ直径范围内薄膜的零电阻温度Ｔｃ为８８～９０Ｋ。     

带料加工的坯料是顾客提供的产品吗?

目前有些钢铁企业在贯彻实施ＩＳＯ９０００标准时，将带料加工的坯料作为顾客提供的产品，并用“４．７顾客提供产品的控制”来对应。对此，我有不同的看法，提出来供讨论研究。在ＧＢ／Ｔ１９００１－ＩＳＯ９００１、ＧＢ／Ｔ１９００２－ＩＳＯ９００２和ＧＢ／Ｔ１９...     

MOD法制备YBCO超导薄膜

论述了金属有机化合物热解法即ＭＯＤ法制备高温超导氧化物薄膜的优越性及可行性。详细介绍了以三氟乙酸盐为金属前驱物，用ＭＯＤ法制备ＹＢＣＯ超导薄膜的方法并对观察结果进行了分析讨论。在１０×１０×０．５ｍｍ￣３Ｚｒ（Ｙ）Ｏ＿２单晶抛光衬底上，用ＭＯＤ法成功地获得了Ｔ＿（ｃｏ）＝８２Ｋ的ＹＢＣＯ超导薄膜。     

对贯彻GB／T1996─94冶金焦炭标准的思考

对贯彻ＧＢ／Ｔ１９９６─９４冶金焦炭标准的思考施润富（冶金部鞍山热能研究院）ＲＥＦＬＥＣＴＩＯＮＵＰＯＮＴＨＥＩＭＰＬＭＥＮＴＡＴＩＯＮＯＦＴＨＥＧＢ／Ｔ１９９６－９４ＭＥＴＡＬＬＵＲＧＩＣＡＬＣＯＫＥＳＴＡＮＤＡＲＤ￥ＳｈｉＲｕｎｆｕ（Ａｎｓｈａｎ...     

TOA·HA第三液相萃取光度法测定钢铁中痕量钼

在ＨＣＩＯ４－Ｈ２ＳＯ４介质中，用ＳｎＣｌ２还原因，在ＳＣＮ－存在下，利用ＴＯＡ·ＨＡ第三液相萃取，形成ＴＯＡ·有色缔合物，最大吸收波长４７０ｎｍ，表观摩尔吸光系数钼含量在范围内遵守比尔定律，本法用于钢铁中痕量钼的测定，具有较高的灵敏度和准确度。     

粉末冶金及硬质合金国内外相关标准化概况

粉末冶金及硬质合金标准化工作得到国际标准化组织和各先进工业国家的重视，国际标准化组织于１９４７年建立的ＩＳＯ／ＴＣ２９《小工具技术委员会》有一个分技术委员会负责制定硬质合金的部分标准，如ＩＳＯ５１３、ＩＳＯ８８３、ＩＳＯ２０７５、ＩＳＯ３３６４～３３...     

开发节能技术为冶金工业的发展与技术改造服务

开发节能技术为冶金工业的发展与技术改造服务周大刚（冶金部鞍山热能研究院）ＤＥＶＥＬＯＰＩＮＧＥＮＥＲＧＹＳＡＶＩＮＧＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳＦＯＲＳＥＲＶＩＮＧＴＨＥＴＥＣＨＮＩＣＡＬＭＯＤＩＦＩＣＡＴＩＯＮＡＮＤＴＨＥＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴＯＦＴＨ...     

参加ISO/TC33第十五次国际标准会议报告

１９９７年１１月１０日～１２日ＩＳＯ／ＴＣ３３耐火材料技术委员会在美国新奥尔良召开了第十五次国际标准会议。同时，七个工作组召开了专家讨论会。中国代表团一行七人参加了ＩＳＯ／ＴＣ３３全会和四个工作组的专家讨论会，并作为ＩＳＯ／ＴＣ３３／ＷＧ１６耐火泥浆...     

Photoelectrocatalytic Wastewater Treatment Using TiO2/ITO Bilayers Prepared on Optical Fibers by Pulsed Laser Deposition

Advanced oxidation processes (AOPs), on the basis of photoelectrochemical reactions, constitute a good alternative for treating wastewaters contaminated with refractory organic compounds such as dyes. For this purpose, different approaches have been explored to develop novel photoanodes that can be efficiently used in these systems. In this context, this study deals with a comparison of indium tin oxide (ITO) thin films deposited at room temperature by pulsed laser deposition on flat glass and on silica optical fiber (SiO2 core, 600?μm diameter) substrates. Characterization data reveal that nanostructured ITO thin films with resistivity values from 4.4×10-2 to 5.6×10-4??Ω·cm were obtained. To build the photoanode, the ITO thin films were coated with a TiO2 layer deposited by using the electrophoretic method. The prepared TiO2/ITO bilayers on optical fibers showed a better photocatalytic performance than those deposited on flat glass substrates according to TOC and color removal measurements from dye contaminated water samples. These results suggest that the deposited materials exhibit suitable properties for their application in photoelectrocatalytic devices that, employing optical fiber as support and light transmitter, can be efficiently used for the elimination of organic contaminants in industrial wastewaters.     

采用磁控溅射法在细菌纤维素膜上制备高性能的铟锡氧化物薄膜

Microbial cellulose (MC) membranes produced by Acetobacter xylinum NUST4.1, were used as flexible substrates for the fabrication of transparent indium tin oxide (ITO) electrodes. Transparent and conductive ITO thin films were deposited on MC membrane at room temperature using radio frequency (RF) magnetron sputtering. The optimum ITO deposition conditions were achieved by examining crystalline structure, surface morphology and optoelectrical characteristics with X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM), and UV spectroscopy. The sheet resistance of the samples was measured with a four-point probe and the resistivity of the film was calculated. The results reveal that the preferred orientation of the deposited ITO crystals is strongly dependent upon with oxygen content (O2/Ar, volume ratio) in the sputtering chamber. And the ITO crystalline structure directly determines the conductivity of ITO-deposited films. High conductive [sheet resistance～120Ω.square-1(Ω.sq-1)] and transparent (above 76%)ITO rilms(240 nm thick) were Obtained with a moderate sputtering power (about 60 W) and with an oxygen flow rate of 0.25ml·min-1(sccm) during the deposition. These results show that the ITO-MC electrodes can find their potential application in optoelectrical devices.     

EDTA滴定法测定废铟锡氧化物靶材中铟

提出了一种测定废铟锡氧化物(ITO)靶材中大量铟的方法。方法包括用盐酸溶样、盐酸-氢溴酸混合酸加热除锡,阳离子交换树脂分离杂质元素,最后用EDTA作滴定剂在pH2.3~2.5溶液中滴定铟。与铟共存的铁、锰、镁、铬、钙、锆、铪、钪、钨、硅、铈,经离子交换树分离后对测定没有影响,大量锡经盐酸-氢溴酸混合酸加热后已除去,溶液中残留锡可用冰醋酸掩蔽。铋不能被离子交换分离,对测定有干扰。方法用于ITO靶材中铟的测定,相对标准偏差为0.15%,回收率在99.8%~100.2%之间。     

氧分压对直流磁控溅射铟锡氧化物(ITO)导电薄膜结构和性能的影响

通过直流磁控溅射热等静压铟锡氧化物(ITO)靶材制备ITO导电薄膜,并且针对O2-Ar混合气氛中氧的分压对ITO膜的结构、表面形貌、透光率以及导电率的影响进行了研究.结果表明,在低氧分压的条件下溅射,膜的(400)面非常显著地择优取向平行于玻璃表面,而随着氧分压的升高却表现为膜的(222)面择优取向平行于玻璃表面.同时,随着氧分压的升高,膜的表面粗糙度变小,膜的结构变得更细腻.膜的可见光透过率在氧分压增大的情形下有少许增大,但是膜的导电率却略有下降.     

射频磁控溅射法制备Ti掺杂ITO薄膜的厚度对膜结构与光电性能的影响

利用Ti掺杂ITO靶材,采用单靶磁控溅射法在玻璃基底上制备厚度为50~300 nm的ITO:Ti薄膜。借助X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、可见光分光光度计、霍尔测试系统和四探针电阻测量仪,研究薄膜厚度对薄膜的晶体结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:ITO:Ti薄膜呈现(400)择优取向,随薄膜厚度增加,薄膜的结晶程度增强,晶粒度增大,薄膜更致密。随薄膜厚度增加,薄膜的均方根粗糙度和平均粗糙度以及电阻率都先减小再增加,薄膜厚度为250 nm时,表面粗糙度最小,蒋膜厚度为200 nm时,电阻率最低,为2.1×10-3?·cm。不同厚度的薄膜对可见光区的平均透过率都在89%以上。     

微波消解-电感耦合等离子体质谱法测定氧化铟锡靶材中13种痕量杂质元素

氧化铟锡中杂质元素的含量是衡量其产品性能的重要参数。采用盐酸以微波消解法处理样品,以Cs为内标,氩气模式下测定²⁴Mg、²⁷Al、⁵²Cr、⁵⁸Ni、⁶³Cu、⁶⁴Zn、⁹⁰Zr、²⁰⁸Pb、²⁰⁵Tl、¹¹¹Cd,氢气碰撞反应池模式测定²⁸Si、⁴⁰Ca、⁵⁶Fe,实现了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)对氧化铟锡靶材(ITO)中镁、铝、硅、钙、铬、铁、铜、镍、锌、锆、镉、铅、铊等13种痕量杂质元素的测定。实验表明,当氧化铟锡基体质量浓度为1.00mg/mL时,基体效应可忽略;13种杂质元素在1.0~100ng/mL范围内线性良好,线性相关系数均大于0.9990。方法检出限为0.002~0.15μg/g,测定下限为0.007~0.50μg/g。将方法应用于氧化铟锡靶材样品中13种痕量杂质元素的分析,相对标准偏差(RSD,n=7)均小于5%,加标回收率为88%~114%。采用实验方法对氧化铟锡靶材样品进行分析,并与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)进行比对,二者测定值基本一致。     

钼的应用及其发展

钼因具有许多优异的性能，在国计民生中具有广泛的用途和良好的发展前景。发挥我国钼资源优势，拓宽钼的应用领域和消费市场，实现钼工业的可持续发展，使我国成为一个名副其实的钼生产大国，消费大国和出口大国。     

铟锡氧化物薄膜的生产,应用与开发

介绍了铟锡氧化物（ITO）薄膜的特性、主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子等领域的应用。并对该材料生产工艺及产品市场的发展前景进行了展望。     

Recovery of indium powders from indium chloride solutions by cementationa

A three-step, batch type recovery method was developed to produce indium powders from dilute indium chloride solutions prepared by dissolving indium tin oxide (ITO) electrodes from waste liquid crystal display (LCD) panels in concentrated hydrochloric acid (HCl) solutions. A 5–L batch process was used with individual experimental parameters for cementation, such as temperature and time, which were varied to optimise their effects on the physicochemical properties and purity of the recovered indium powders and the recovery rate. A validation experiment was performed by preparing indium bearing solutions in a 5–180 min kinetic study of indium cementation with aluminium in aqueous HCl solutions at 65°C. The indium powders obtained from the cementation processes were further characterised using various analytical tools, such as ICP/AES, X-ray diffraction (XRD), and scanning electron microscope-energy dispersive X-ray spectroscopy (SEM-EDS). Cementation at 60°C for 10 min resulted in the optimal process efficiency, with a recovery rate and indium purity of 70 and 99·8% respectively. On a développé une méthode de récupération discontinue à trois étapes afin de produire des poudres d'indium à partir de solutions diluées de chlorure d'indium préparées en dissolvant des électrodes d'oxyde d'indium et d'étain (ITO), provenant de panneaux d'affichage à cristaux liquides (LCD) de rebut, dans des solutions concentrées d'acide chlorhydrique (HCl). On a utilisé un procédé discontinu de 5 L avec paramètres expérimentaux individuels de cémentation, comme la température et la durée, que l'on variait afin d'optimiser leurs effets sur les propriétés physicochimiques et la pureté des poudres d'indium récupérées et sur le taux de récupération. On a effectué une expérience de validation en préparant des solutions porteuses d'indium dans une étude cinétique de 5 à 180 min de cémentation de l'indium avec de l'aluminium, dans des solutions aqueuses d'HCl à 65°C. On a ensuite caractérisé les poudres d'indium obtenues à partir des procédés de cémentation en utilisant divers outils analytiques, comme l'ICP/AES, la diffraction des rayons X (XRD), et la microscope électronique à balayage—spectroscopie à dispersion d'énergie (SEM-EDS). On a obtenu le rendement optimal du procédé par cémentation à 60°C pendant 10 min, avec un taux de récupération et une pureté de l'indium de 70 et 99·8%, respectivement.     

氧化锌烟尘中铟的高效浸出新工艺研究

铟因其优良的特异性能而具有广泛的工业用途,如何从含铟物料中高效回收铟成为技术的关键,但目前铟的提取工艺均存在铟回收率不高的问题。本研究采用"中性浸出—低温低酸浸出—高温强化浸出"新工艺实现含铟氧化锌烟尘中铟的高效浸出,研究了铟高效浸出的工艺条件和浸出机理,实验结果表明:中性浸出能优先分离烟尘中的锌,使铟富集到中浸渣中;中浸渣先经低温低酸浸出使高价态铟转入溶液;难溶铟入渣后再经高温强化浸出处理,将低价态铟氧化成高价态、并破坏难溶铟物相的表面结构,从而强化铟的溶出。铟最终在低温低酸浸出液中富集,铟的浸出率≥95%。本研究为各种含铟资源中铟的高效回收与稀有金属资源的有效利用提供了新的方法与理论指导,具有很好的工业应用前景。