上海第二冶炼厂1987年底四项课题通过鉴定

1.φ3″IC用硅抛光片φ3″IC用硅抛光片为市级科研项目。鉴定专家对上冶二厂新的无蜡抛光清洗工艺和硅片技术参数进行了评定,认为无蜡抛光工艺先进、制备的抛光片平整度高、翘曲度低、无白雾、无划痕,达到了市科委下达的指标要求。其中平整度和表面白雾等部分指标接近联邦德国瓦克公司硅抛光片标准。     

中国制造出8英寸硅单晶抛光片

“直径 2 0 0mm(8英寸 )硅单晶抛光片高技术产业化示范工程”近日通过国家整体验收。承担此项目的北京有色金属研究总院 (科称“有研总院”)利用自主知识产权技术 ,形成了年产 6 0 0 0万平方英寸 8英寸硅单晶抛光片的生产能力。据介绍 ,这是我国目前建设成功的第一条可满足 0 2 5 μm线宽集成电路需求的 8英寸硅单晶抛光片生产线。有研总院院长屠海令介绍说 ,示范工程生产的硅单晶抛光片已在国内大批量应用 ,并向国际一流集成电路制造公司批量供货。如今 ,示范工程生产线运行状况良好 ,销量稳定增长。中国制造出8英寸硅单晶抛光片…     

河南洛单成功拉制8英寸电路级单晶硅棒

正日前,洛阳单晶硅集团有限责任公司(洛单集团)成功拉制8英寸电路级单晶硅棒,标志着洛单集团年产36万片8英寸硅抛光片项目试生产成功,将进一步提升我国硅片行业国产化水平。单晶硅棒是制造芯片的原材料,8英寸单晶硅抛光片是制作16～64 MB存储器的主要材料,长期以来依赖进口,目前90%还靠进口,严重影响我国     

日本硅公司连续直拉硅单晶正式投入生产

日本硅公司和三菱材料公司开发了半导体单晶硅的连续直拉法——SCCZ 法,日本硅公司新建了一台专用炉,经试生产,从91年8月起正式投产并开始出售产品。生产能力为每月生产一万片5英寸硅片。此外,还在6英寸试验炉上连续直拉成功2米多长的单晶硅。其它硅厂也在进行连续直拉法的研     

硅抛光片（CMP）市场和技术现状

介绍了硅抛光片在硅材料产业中的定位和市场情况,化学机械抛光（CMP）技术的特点,硅抛光片大尺寸化技术问题和发展趋势,以及硅抛光片技术指标,清洗工艺组合情况等。     

天津滨海砷化镓抛光片产业化项目获验收

<正>被列为天津滨海新区科技创新项目的天津晶明电子"半导体照明及显示用砷化镓抛光片产业化"项目,全面完成了2~6英寸砷化镓单晶生长技术开发和免清洗砷化镓抛光片规模化生产,顺利通过科委专家组现场验收。日前,被列为天津滨海新区科技创新项目的天津晶明电子"半导体照明及显示用砷化镓抛光片产业化"项目,全面完成了2~6英寸砷化镓单晶生长技术开发和免清洗砷化镓抛光片规模化生产,顺利通过科委专家组现场验收。     

刷洗对硅单晶抛光片表面质量的影响

本文研究了用SVG-18DWC双面擦片机刷洗经RCA工艺清洗后的硅单晶抛光片表面。结果表明：经SVG-18DWC双面擦片机刷洗后，抛光片的表面颗粒有明显的减少，经WISCR－80测试Φ100mm的抛光片，表面大于0.3μm的颗粒总数小于10个／片，而抛光片表面的部分金属杂质沾污有明显的增加。     

半导体硅市场动态

目前,日本半导体硅市场产生了供不应求的局面。1983年10月下旬,欧美的瓦克及孟山都等公司已将硅晶片价格提高了7％,日本硅生产工厂也有提高硅价的趋势,但1983年可能暂不涨价,待1984年春再作调整。从日本半导体硅目前的订货量来看,     

中国恩菲成功研发超薄电解铜箔

正近日,中国有色工程有限公司暨中国恩菲工程技术有限公司湿法高性能电解铜箔研发团队成功开发4～6μm超薄双光电解铜箔产品,标志着该公司掌握了覆盖生产工艺和设备的完整电解铜箔产品开发技术。电解铜箔作为铜元素深加工产品之一,是电子通讯行业的重要基础原料。然而,我国面临铜箔低端产品过剩、高端电解铜箔产品依赖进口的问题,相关生产技术亟待提高。目前,国内生产企业的超薄铜箔产品厚度主要为6～9μm,抗拉强度为300～450μm,延伸率大于3%,毛面轮廓度Rz小于2μm。     

流化床反应器制备太阳能级颗粒多晶硅技术研究

采用流化床反应技术,以H2还原SiHCl3的方法制备太阳能级多晶硅。在直径50 mm的流化床反应器中,加入多晶硅颗粒作为初始晶种,通入SiHCl3和H2气体使颗粒处于流态化状态;高温下,反应生成的多晶硅在晶种表面沉积令颗粒逐渐长大而获得颗粒多晶硅。实验考察了流化床反应状态下的硅还原率和硅沉积速率及其影响因素,分别在950～1100℃,H2/SiHCl3摩尔配比为15,20,30及晶种粒径为350,550μm的条件范围内进行实验。当加入晶种粒径为550μm时,在1100℃条件下,H2/SiHCl3摩尔配比从15%增加到30%,硅还原率从14.2%提高到21.6%;当H2/SiHCl3摩尔配比为20时,温度从950℃提高到1100℃,硅还原率从14.9%提高到19.4%。在1100℃,H2/Si-HCl3摩尔配比为30的条件下,当加入晶种粒径为350μm时,测得硅还原率为25.7%,硅沉积速率为21.3 g.h-1;而晶种粒径为550μm时,硅还原率为22.9%,硅沉积速率为18.0 g.h-1。实验结果表明:提高H2/SiHCl3摩尔配比、提高温度和减少晶种粒径均可显著提高硅还原率和沉积速率,适宜的工艺条件为1050～1100℃,H2/SiHCl3(摩尔比)20～30;晶种颗粒粒径和流化床气流速度是流化床反应过程主要的动力学因素。在西门子法中应用流化床技术将能显著提高硅的还原率和沉积速率,是制备太阳能级多晶硅的可行技术。     

无取向硅钢表面纳米结构的渗硅行为

 对3%无取向硅钢进行表面机械研磨处理（SMAT）,获得表面纳米结构,再进行550~650℃、4h固体粉末渗硅处理,用透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）研究表层组织演变。结果表明：经过SMAT后,3%无取向硅钢表面晶粒尺寸降低至10nm左右,纳米晶层厚度约为20μm。经过550~650℃、4h渗硅处理后,SMAT样品表面形成化合物层,其厚度随着渗硅温度的升高由27μm增加到150μm。化合物层由FeSi和Fe3Si两相组成,其中FeSi相随着渗硅温度的升高而逐渐增加。     

Valtimet公司将向卡塔尔某海水淡化项目供应钛管

法国无缝钢管生产商瓦克瑞克（Vallourec）的子公司Valtimet公司2013年夏季将向卡塔尔地区某海水淡化项目供应42000余根长度在25．9m以上的无缝钛管材,其总长度累计达到1．09×10^6m。     

能生产4英寸硅棒的悬浮区熔炉

使区熔硅圆片的规格停留在3英寸的若干工程障碍已经被西门子突破,该公司宣称它可以供应生产4英寸硅棒的区熔炉。西门子的公务人员相信,这种新型的区熔炉将有助干使区熔硅更加吸引超大规模集成电路制造厂商的注意。 现有的区熔工艺仅限于生产棒长短、直径较小的单晶,而西门子的VZA9型新装置可处理长达1500毫米的多晶进料棒,比普通设备所处理的长度     

瓦克公司计划建设世界最大的多晶硅厂

目前多晶硅供应十分紧张,现货交易价已达80～100美元/公斤,甚至超过100美元/公斤,故各多晶生产厂家都在积极扩建。本月初瓦克硅电子(Wacker Siltronic)公司发表建设世界最大多晶硅厂的计划,准备在美国的波特兰特厂投资8000万美元建设年产5000吨多晶的工厂(是否在该厂原有多晶2000吨/年左右的基础上扩建,不详一摘者注)。该厂准备明年开春动工,1987年出产品,采用西门子工艺。     

上海中芯在国内率先用0.18μm工艺量产芯片

中芯国际集成电路制造 (上海 )有限公司日前宣布 ,它已成为国内首家能够采用 0 18μｍ制造工艺、批量生产 8英寸晶圆的半导体制造商。公司已量产出第一批 0 18μｍ工艺、8英寸晶圆芯片 ,并接到了 3～ 4家客户的订单。据了解 ,本月初中芯国际与国内半导体知识产权库供应商芯原微电子 (上海 )有限公司合作 ,正式发布了 0 18μｍ半导体标准设计平台。目前 ,国内主流的半导体芯片制造商 ,如华虹ＮＥＣ ,基本上还都停留在 0 2 5 μｍ制造工艺上。上海中芯在国内率先用0.18μm工艺量产芯片…     

生产4英寸硅片的分子束外延设备

据日本电报电话公用公司报道,由该公司设计,经Anelva公司制造的硅分子束外延设备能大量生产4英寸的硅外延片。生产一片外延片需20分钟,最高的生长速率为20(?)/s。硅片沉积室50cm~3。硅片可以旋转,整个片子上的厚度均匀性变化<±5％。掺杂剂为锑,掺杂均匀度变化<±10％。均匀度的变化反应整个硅片上温度变化±5℃。加     

硅渣烧结回收氧化铝项目获得成功

日前,中国铝业公司科技部组织专家组对中州分公司硅渣烧结回收氧化铝和碱工业试验项目进行了结题验收。专家组一致认为,中州分公司硅渣烧结工业试验流程达到了30m3／h的设计值,氧化铝标准溶出率在75％～85％,氧化钠标准溶出率在83％～93％,实现了达产达标,该工业试验流程可以进行产业化推广应用。至此,中国铝业公司自成立以来投资的最大研发项目——硅渣烧结回收氧化铝和碱工业试验项目取得全面成功。     

二次加热控制高硅铝合金中初生硅形态的研究

用光学显微镜(OM)及Image Pro Plus金相分析软件对半固态二次加热处理后的过共晶铝硅合金的初生硅组织特征进行分析。结果表明,在过共晶铝硅合金中,通过磷盐变质处理可以让初生硅相细化,平均直径由117μm降至31μm,并通过半固态二次加热使初生硅的形态得到显著的改善,其形状因子为0.67。     

浅谈利用锰硅渣制备矿渣棉制品的可行性

从中信锦州金属公司锰硅渣成分、理化性能指标、前期试验情况、工艺技术路线选择、市场趋势等多角度分析阐述了利用锰硅渣制备矿渣棉的可行性。试验研究表明,使用锰硅渣作为原料,采用冲天炉工艺生产的矿棉产品符合国标岩棉成分标准与理化性能指标,为中信锦州金属公司下一步利用锰硅渣制备矿渣棉制品的可行性提供了前提条件。     

12英寸直拉单晶硅在宁波研制成功

特大规模集成电路用 1 2英寸直拉单晶硅日前在宁波保税区研制成功。超大规模集成电路的发展对基础材料硅的科学研究和技术进步提出了新的挑战 ,在今后 1 0年中 ,1 2英寸单晶硅和集成电路是微电子工业的发展方向。在浙江大学硅材料国家重点实验室、海纳半导体公司和宁波立立电子股份有限公司共同努力下 ,1 2英寸直拉单晶硅在保税区研制成功 ,对提高我国现有硅晶片的质量和科技含量、满足国内外市场需求、推动中国半导体产业发展具有重要意义。12英寸直拉单晶硅在宁波研制成功