铟锡氧化物薄膜的生产,应用与开发

介绍了铟锡氧化物（ITO）薄膜的特性、主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子等领域的应用。并对该材料生产工艺及产品市场的发展前景进行了展望。     

碘量法测定铟锡氧化物靶材废料中锡

提出了一种测定铟锡氧化物（ITO）靶材废料中锡量的分析方法,并对ITO靶材废料样品的分解方法、还原酸度的范围、基体和共存元素的干扰进行了探讨。结果表明：采用过氧化钠熔融分解样品,以铁粉还原、过滤分离部分共存元素,还原酸度（V/V）控制在35%~50%,在保护气氛下,用铝片将锡还原为二价锡,以淀粉为指示剂,碘量法测定锡时,效果较佳。采用方法对国内外6个ITO靶材废料代表试样进行分析,结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICPAES）吻合,10次平行测定的相对标准偏差（RSD）为029%～15%,加标回收率在99%～100%之间。     

金属复合氧化物纳米薄膜的防眩目原理及应用

在介绍金属复合纳米氧化物单层或多层薄膜的防眩目原理及其光干涉效应与反射率关系的基础上，指出利用多层纳米薄膜之间的干涉协同效应，在整个可见光波长范围内可达到防反射、防眩目的目的。     

EDTA滴定法测定废铟锡氧化物靶材中铟

提出了一种测定废铟锡氧化物(ITO)靶材中大量铟的方法。方法包括用盐酸溶样、盐酸-氢溴酸混合酸加热除锡,阳离子交换树脂分离杂质元素,最后用EDTA作滴定剂在pH2.3~2.5溶液中滴定铟。与铟共存的铁、锰、镁、铬、钙、锆、铪、钪、钨、硅、铈,经离子交换树分离后对测定没有影响,大量锡经盐酸-氢溴酸混合酸加热后已除去,溶液中残留锡可用冰醋酸掩蔽。铋不能被离子交换分离,对测定有干扰。方法用于ITO靶材中铟的测定,相对标准偏差为0.15%,回收率在99.8%~100.2%之间。     

铱金属及其氧化物薄膜的制备与应用研究进展

铱及其氧化铱薄膜具有优良的耐腐蚀、抗氧化特性，同时也具有极好的电化学特性，这使它在电学、抗氧化涂层、催化领域都有广泛的应用。综述了近年来有关金属铱及其氧化铱薄膜的合成与制备技术的一些最新进展。总的来看，制备方法可分为物理法和化学法。其中物理法包括溅射法、激光熔蒸法；化学法包括金属有机化学沉积法、热分解法、电化学沉积法、溶胶凝胶法等，对各种制备方法进行了评述，同时对铱及其氧化铱薄膜的应用领域进行了综述，并对今后铱及其氧化铱薄膜的制备发展趋势进行了预测。     

纳米复合粉末的结构和形貌表征

采用X射线衍射（XRD）方法重点对不同批次的ITO、ZrO2纳米复合粉末的相结构、晶粒平均尺寸进行了测定，并采用扫描探针显微镜（SPM）对ITO纳米复合粉末的形貌、粒度分布分别进行了观察和测定，采用透射电镜（TEM）观察了ZrO2纳米复合粉末的形貌，结果表明，多种方法相结合可对纳米复合粉末的微观结构参数进行全面的评估。     

共沉淀法制备混合稀土氧化物微粉及其表征

以稀土总量为９５％的混合稀土氧化物为原料，用尿素－氨水在热水溶液中调ｐＨ值共沉淀法制备了混合稀土氧化物微细粉末。初步探讨了制备工艺中的有关影响因素；对粉末进行了热重、差热分析、扫描电镜、红外光谱等表征。结果表明：在选定的条件下，制得了粒烃为１￣１．５μｍ的混合稀土氧化物微粉。     

Co掺杂对脉冲激光沉积CdO薄膜结构及性能的影响

透明导电氧化物是一类在可见光波长范围内具有良好导电特性和光学透明性的材料,由于其在光电器件中的潜在应用而备受人们的关注。在众多的透明导电氧化物中,立方结构的CdO因其具有低的电阻率和在可见光范围内高的透光率而成为人们研究的热点。采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石(0001)单晶基片上制备了一系列Co掺杂CdO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明薄膜为均匀的单相立方结构,以CdO(200)和CdO(111)方向择优取向生长,没有发现Co金属及其氧化物二次杂质相。X射线光电子能谱(XPS)测量进一步表明Co以Co²⁺的形式存在于薄膜中,且处于高自旋电子态。紫外可见光谱测量表明,Co掺杂CdO薄膜在可见光范围内都具有较高的透光率,均在80%以上。改变沉积过程的氧气分压和基片温度可有效调节薄膜的光学带隙,即随着氧气分压和基片温度的升高,薄膜的吸收带边红移,光学带隙逐渐减小,从2.70 eV减小到2.33 eV。磁性测量结果进一步表明,Co掺杂CdO薄膜具有明显的室温铁磁性,且随着氧气分压的升高,薄膜的磁性明显减弱。Co²⁺提供局域磁矩,薄膜中氧空位提供的额外...     

ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

用RF磁控反应共溅射法在Si( 111)衬底上制备出了铽 (Tb)掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明 ,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向 ,电阻率降低到 9.3 4× 10 - 4Ω·cm ,且可见光段 ( 4 0 0～80 0nm)平均透过率大于 80 %的ZnO∶Tb新型透明导电材料。     

ITO粉及ITO靶材中铟的测定-EDTA容量法

采用EDTA容量法测定ITO粉及ITO靶材中的铟含量，方法变异系数0.43%，回收率97%-101%之间，符合分析要求，精度符合分析要求，结果令人满意。     

二氧化钛导电粉体的研究现状

综述了二氧化钛导电粉体的研究现状，详述了其导电机理、制备工艺以及影响其性能的因素，并对其前景进行了展望。     

纳米级球形In2O3（SnO2）粉末的制备及性能研究

采用化 学液相 共沉淀,以 铟、四氯 化锡为 原料,通过 选择沉 淀介质和 控制一定 的工艺 ,制备了球形的 Ｉ Ｔ Ｏ 粉料。用 Ｔ Ｅ Ｍ 、 Ｂ Ｅ Ｔ 等法对 所制粉料 进 行了 表征 。结 果表 明, 所制 粉料 分 散性 好,粒径约为 １６ ｎ ｍ 。     

ITO靶材成形工艺的研究新进展

ITO靶材是高端液晶显示器、太阳能电池、导电玻璃等领域的主要材料之一,而ITO靶材的成形技术是关键环节。综述了冷等静压成形、冲压成形、模压成形、爆炸成形、挤压成形、凝胶注模成形等技术特点及研究状况,并重点介绍注浆成形的技术特点和研究进展。     

ITO和SnO_2透明导电膜的用途与制备

本文综述了ITO和SnO_2透明导电膜的用途、性能、透明导电机理及其主要的制备方法。     

压强对射频溅射氧化锌薄膜结构和性能的影响

采用射频溅射方法在聚脂(PET)胶片上沉积ZnO：A1薄膜，实验结果表明沉积压强对氧化锌透明导电薄膜的表面形貌、结构、光电性能等有较大的影响，在低的沉积压强下薄膜具有很好的(002)结构，有优良的光、电综合性能。同时详细讨论了影响结构和性能的诸因素。     

Layered Powder Metallurgy Wear- and Corrosion-Resistant Materials for Tool and Tribological Applications. Structure and Properties

Three-layered non-tungsten hard alloys for tool applications of the type KKhNFT5 KKhNFT25 KKhNFT5 and layered powder metallurgy materials for tribological applications with a working layer of composites based on stainless steels were investigated. Basic requirements for the creation of wear- and corrosion-resistant powder metallurgy materials for tool and tribological applications were formulated. These mainly concern their composition and structure.     

马钢氧化铁粉综合评析

氧化铁粉是铁氧体磁性材料的主要原料.介绍了马鞍山钢铁股份有限公司氧化铁粉质量状况及其物理、化学性能指标情况.     

锰在粉末冶金材料中的应用

概述锰(或其化合物)在烧结钢、铜熔渗剂、阻尼合金、铝合金、钛铝合金、钨基重合金、硬质合金等材料中的应用情况,指出这些材料中使用锰的目的以及锰对材料性能的影响.可以预期,在提高粉末冶金材料的性能与粉末冶金新材料的开发中,锰将发挥重要作用.     

沉淀法制备ITO粉体及其性能研究

以InCl3、SnCl4、尿素和氨水为主要原料,采用化学共沉淀法制备出ITO粉体,探讨了沉淀剂种类和煅烧温度对ITO粉体性能的影响。结果表明：采用氨水可制备针状、粒度分布窄的纳米粉体,沉淀剂为尿素时则为块状、粒度分布较宽的微米粉体;随煅烧温度的提高,粉体的比表面积呈下降趋势,从700℃的28．65m2／g下降到900℃的12．23m2／g;氨水作沉淀剂且煅烧温度为700℃时可获得粒度均匀、分散性好、物相单一的纳米ITO粉。