钛合金中TiC晶体的形态及优先生长方向探讨

对钛合金中的TiC,用重力法和定向凝固法制备试样,分析研究了其中TiC形态及生长方向。钛合金中TiC非平衡结晶形态为枝晶状,同时也观察到在特定情况下TiC晶体沿着[110]方向分枝,分析认为TiC晶体中的第一优先生长方向为<100>方向,第二优先生长方向为<110>,因此当<100>方向的生长受到抑制时,<110>方向作为优先生长方向生长。并提出分枝模型,解释了<100>成为优先生长方向之一的原因。     

〈111〉籽晶的偏角和偏离方向对生长无位错真空区熔硅单晶的影响

一、前言 无位错真空区熔硅单晶是一种比较理想的Si(Li)X射线探测器级材料,具有低氧低碳的优点,但在真空下生长无位错单晶比在气氛下生长困难得多。实践表明<111>籽晶的取向对生长无位错单晶有较大的影响。国外曾报道过气氛下生长无位错单晶与<111>籽晶的取向有关。本实验的目的是探讨真空下生长无位错硅单晶是否与<111>籽晶取向     

不同织构组分对IF钢板R(θ)值起伏的影响

检测了宝钢两组IF钢板与轧向夹角分别为0°,15°,30°,45°,60°,75°,90°的R值以及板材的织构。计算了板材的{001}<110>、{112}<110>、{110}<001>、{111}<110>和{111}<112>织构组分的体积量,利用Sachs模型分析了{112}<110>和{110}<001>织构对轧板上不同方向的R值的影响。结果表明,IF钢板板面不同方向上存在R值的显著起伏。计算与实测结果表明,{112}<110>和{110}<001>织构是造成板材R(θ)值起伏的重要因素。在增大{111}面织构并减小{100}面织构的同时,合理控制{112}<110>和{110}<001>织构组分有可能使深冲压钢板获得高R值的同时明显降低R值的起伏。     

反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶

HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的夹角少于 5 4.7°,称为反偏籽晶。而采用大于 5 4.7°角生长的单晶切割比较困难 ,尤其是厚度小于 3 0 0 μm的晶片。为了减少切割难度 ,可生长反偏籽晶的单晶 ,但要保证单晶能割出Φ2″( 10 0 )圆片 ,必须增加单晶锭的截面积。由于GaAs的热导率小 ,大截面单晶生长要困难得多。通过改变固液截面附近的加热元件结构 ,在特定方向加强了散热 ,延伸了温度梯度的线性范围 ,使用反偏籽晶 ,成功地生长了Φ2″HB GaAs单晶。和正偏籽晶单晶相比 ,这些单晶锭的切割破损率减少了 2 4% ,每 10 0mm长度出片数增加了 3 0 %。     

一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法

正专利申请号:CN201610850656公开号:CN106381519B申请日:2016.09.27公开日:2019.01.08申请人:西北有色金属研究院本发明提供了一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法,包括以下步骤:一、选取多晶坯料和单晶籽晶为原料;二、将多晶坯料和单晶籽晶安装在位于电子束悬浮区域熔炼炉熔炼室内的夹持头上,然后调节多晶坯料与单晶籽晶之间的距离,     

水平法生长无位错掺Si-GaAs单晶

用水平法生长成掺Si的无位错GaAs单晶。位错密度低于500厘米~(-2),电子浓度1-6×10~(13)厘米~(-3)。 水平法生长掺Si-GaAs单晶的主要困难是熔体与石英舟的沾润;其结果有二:(1)引入应力,得不到低位错的晶体;(2)易生孪晶,单晶率很低。 采用三温区法抑制Si与石英的反应,结合新合成工艺可以完善地解决沾润问题。注意选择籽晶的方向,可以减少孪晶的发生率。 克服上述问题后,用籽晶法可以生长成无位错的掺Si-GaAs晶体。     

SiC单晶生长的热场模拟及其在籽晶固定方面的应用

热场模拟在物理气相输运法(PVT法)制备SiC单晶工艺的改进中起着重要的作用。实验中发现,SiC晶体生长表面可能会起伏不平,导致生长的晶体质量下降。经分析可知,籽晶固定过程中籽晶背面形成的气孔是造成晶体生长表面起伏不平的主要因素。热场模拟发现,在籽晶背面有气孔处,籽晶生长面温度较高。气孔宽度、籽晶厚度及粘结剂厚度影响籽晶表面气孔中心与气孔边缘的温差。减小气孔、增厚籽晶可有效减小籽晶表面气孔中心与气孔边缘的温差,是改善晶体生长面质量的两个有效途径。     

二次冷轧压下率对镀锡板组织性能的影响

 为了开发高硬度二次冷轧镀锡板,采用硬度计、拉伸试验机、光学显微镜和X射线衍射仪研究了二次冷轧压下率对氮强化镀锡板组织性能的影响规律。结果表明,随着二次冷轧压下率提高,试验钢的硬度和强度提高,各向异性增加,伸长率降低,当二次冷轧压下率为44%时可达到DR-9M的技术要求。同时采用高碳和氮强化成分体系配合低温退火不利于有利织构{111}的形成,织构取向密度的峰值出现在{001}<110>~{114}<110>、{223}<110>~{445}<110>和{554}<225>,冲压成形时易在45°方向上产生制耳。     

水平法生长GaAs晶体中位错的产生及其排除机构

本文讨论水平法生长的GaAs晶体中产生位错的原因,以及位错排除的机构。提出“小晶面控制成核”的机构解释位错的分布特征和选择有利晶向生长利用小晶面效应抑制位错增生的方法。 水平晶体生长中由于应力引入位错的因素有:(1)沾润,(2)不均匀热场和(3)大的沉淀物。其中沾润是主要的。产生“生长”位错的因素有:(1)籽晶中位错的延伸,(2)小晶面效应,(3)组分过冷和(4)异质成核。这些因素除小晶面效应外都是可以控制的。 晶体中位错密度沿轴向分布的规律说明位错有增生和排除两种过程。凹界面和籽晶取向对位错增生有重要影响,而小晶面的位置又起关键作用。用〈110〉晶带的〈311〉等方向生长可以利用小晶面效应控制成核过程,抑制位错的增生。通过“位错沿其轴向传播”的排除机构,可以保证生长成无位错的GaAs晶体。     

基于CSP工艺稀土冷轧板罩式退火中组织织构演变

 采用金相显微镜和X射线衍射仪对CSP(Compact Strip Production)稀土板热轧、冷轧及退火3个阶段的组织和织构进行了检测和分析,并结合文献讨论了稀土板组织织构的演变规律。结果表明：稀土冷轧板以{223}<110>、{001}<110>、{112}<110>为主要织构,退火后形成了以{223}<110>和{111}<110>为主的再结晶织构,织构密度均达8. 5以上,{223}<110>和{111}<110>取向差为10°。稀土板开始再结晶需要的温度较高,并且再结晶完成需要的时间较长。再结晶初期织构变化比后期小。试验稀土板退火后{111}/{001}值极大,{111}<011>织构与{111}<211>织构密度差约为6。