砷化镓晶片表面损伤层分析

采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩ－ＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了ＴＥＭ观测到的只是晶片损伤层厚度，而Ｘ射线双晶回摆回线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤及其形成应力区的最度的结论。     

垂直凝固法（VF）生长砷化镓单晶

垂直凝固法（ＶＦ）生长砷化镓单晶宋萍王永鸿马碧春濮玉梅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：垂直凝固法（ＶＦ）砷化镓（一）引言砷化镓等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料在高速发展的电子领域中起着重要的作用。电子器件的需求不断推动着单晶生长技术的发展。而...     

GaAs抛光表面损伤的RBS研究

本文以卢瑟福离子背散射技术（ＲＢＳ）检测了半绝缘ＧａＡｓ（１００）化学机械抛光表面的微损伤状况，并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度。研究了以胶体ＳｉＯ２和ＮａＯＣｌ溶液的混合液对ＧａＡｓ进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响。把ＲＢＳ法同Ｘ射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较，二者对应得很好。通过逐层腐蚀与ＲＢＳ相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度，发现如果抛光条件不适宜，获得的晶片表面尽管目视光洁度很好，也还有一定厚度的损伤层。ＲＢＳ法测得好的非掺半绝缘ＧａＡｓ（１００）（由ＬＥＣ法生长）抛光表面散射粒子最低产额低达３１％，这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层。     

原始粉末尺寸对Ti(C,N)基金属陶瓷烧结特性和组织结构的影响

用热分析仪、扫描电镜和透射电镜对主要硬质相分别以亚微粉、亚微粉与纳米粉的混合粉(以下简称混合粉)、纳米粉为原料制成的Ti(C，N)基金属陶瓷的烧结特性、组织结构和性能进行了研究。结果表明：主要硬质相TiC、TiN的粉末粒度越细，金属陶瓷的液相点越低，并且其快速致密化过程开始得越早，但主要硬质相全为纳米粉时，最终无法使其达到较高的致密度。用亚微粉制得的金属陶瓷具有常规金属陶瓷的典型结构，即“黑芯--白壳”。用纳米混合粉制得的金属陶瓷，没有明显Rim相的小颗粒和具有“白芯--黑壳”结构的小颗粒的数量大大增加，而具有“黑芯--白壳”结构的大颗粒的数量没有明显的增加。部分纳米粉的加入使金属陶瓷的综合力学性能得到了较大的提高。     

基于地应力和二次损伤的预留光爆层爆破参数研究

对于地下开采,预留光爆层进行二次爆破可以保证巷道掘进面轮廓成形效果,减少围岩损伤。基于地应力、应力波和爆生气体等共同作用理论,对预留光爆层二次爆破进行参数优化。分析预留光爆层厚度对地应力重分布的影响以及二次应力对爆生裂纹扩展的影响,可知二次应力会抑制爆生裂纹扩展,且预留光爆层厚度与二次应力大小呈正相关;分析在不考虑损伤、考虑一次损伤和考虑二次损伤条件下,轴向不耦合系数及炮孔间距大小的变化,可知考虑损伤可以适当增大轴向不耦合系数和炮孔间距。以焦家金矿深部开采工程为背景,对比爆破参数优化前后爆破效果,可知在深部开采时考虑地应力和损伤,能提高半孔率和节约成本。研究结果为地下开采爆破标准化提供了理论依据。     

Observation of Damage Layer on Surface of GaAs Wafer by TEM

用透射电镜、 扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。 结果切片损伤层深度≤50 μm、 双面研磨损伤层深度≤15 μm、 机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm。 分析了损伤结构及其引入的因素。     

不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究

用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测。结果表明：切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序；锑化镓单晶切割片表面极不平整，有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹；其表面损伤层深度≤30μm；双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹，但比切割片的要细，而且桔皮皱纹的深浅随磨砂（Al2O3)粒径的减小而变细变浅；晶片的表面损伤层深度（≤5μm）也随着磨砂粒径的减小而减小。一般情况下，其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2。机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹；其损伤层深度约55nm。     

非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究

为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片．有必要降低微缺陷密度，开展了晶片热处理工艺的研究．确定了晶片热处理的温度、时间、降温建率等一系列工艺参数，证实丁采用此项工艺能降低LEG-GaAs晶片的砷沉淀密度，郎AB-EPD，同时也保证了晶片的电学参数不受影响。通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析．给出了晶片热处理工艺理论模型的解释。     

硅单晶片镜面吸附物吸附状态的研究

提出了新抛光硅片镜面吸附物吸附动力学过程和优先吸附数学模型及吸附物吸附状态控制机理。     

铝的壁垒型阳极氧化膜的透射电镜观察

发现了(NH₄)₂MoS₄水溶液中可生成铝的壁垒型阳极氧化膜。用超薄切片,透射电镜结合离子注入惰性原子标记层的技术对膜的形貌、成分和生长过程中的离子迁移进行了观察和分析;用EDAX分析方法来探测到膜中含有溶液阴离子的成分,阳极氧化过程中膜在基体/膜界面和膜/溶液界面同时生长。阳极氧化的电流密度为1.0mA/cm²时,Al³⁺离子的表观迁移率为0.44。     

LEC <111> 磷化镓晶片缺陷的观察

使用ＳＴＥＭ，ＳＥＭ观察了磷化镓晶片在切割，研磨等工艺过程中引入的损伤。切片损伤层深度约３０．３μｍ，磨片损伤层深度小于２０μｍ。还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑，认为这是单晶生长时，磷挥发造成的。     

测试方法对硅片表面微粗糙度测量结果影响的研究

随着大规模集成电路的快速发展, 硅片表面微粗糙度对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视. 介绍了几种测量硅片表面微粗糙度的测试方法, 并将它们分成三类, 简单阐述了每一类测试方法的测试原理, 影响测试结果的因素, 从实际应用的角度详细阐述了这三类测试方法的适用情况、通过详细的测试数据及图形对这三类测试方法进行了分析, 并对这三类测试方法进行了比较. 最后简单介绍了纳米形貌和硅片表面微粗糙度之间的关系.     

氢致开裂的TEM原位拉伸观察与研究

通过对预充氢310不锈钢薄膜在透射电镜(TEM)下的原位拉伸观察,并和不含氢试样的结果相比较,研究了氢在韧-脆转变中的作用及氢致脆断机理,结果表明,氢使奥氏体不锈钢由韧变脆的根本原因是氢降低了微裂纹形核时的临界应力强度因子,从而抑制了DFZ中纳米级微裂纹向空洞的转化。