用低压化学气相沉积法形成钼膜

一种用氢还原五氯化钼膜的低化学气相沉积仪被开发。这种仪器可以使每组25片晶片薄膜厚度的均匀性在±5％以内,并且钼膜不被氧化。研究者发现,与常压下相比,在低压时,可在一个较高的温度下,钼的沉积速率受表面反应的制约,并与表面反应部分氢气分压的3/2成正比。     

化学气相沉积法制备的锰氧化物薄膜的电色性质

用化学气相沉积法制备出电色锰氧化物薄膜，其原料是乙酸丙酮锰（Ⅲ），在高于２５０℃温度下于基体上获得透明的Ｍｎ３Ｏ４薄膜。该薄膜在０．３ＭＬｉＣｌＯ４碳酸丙烯溶液中氧化和还原时产生令人满意的光吸收变化。库仓法测定其显色系数是６．０３ｃｍ２·Ｃ（－１）。     

化学气相沉积技术与材料制备

概述化学气相沉积技术是一般原理与技术，总结化学气相沉积技术在材料制备方面的发展与应用状况，着重介绍化学气相沉积技术在制备贵金属薄膜和涂层领域的最新进展。     

金属有机化学气相沉积W薄膜

以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究.通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜;研究了沉积速率与上述参数之间的关系,并得出了在本试验条件下应用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备...     

铱金属及其氧化物薄膜的制备与应用研究进展

铱及其氧化铱薄膜具有优良的耐腐蚀、抗氧化特性，同时也具有极好的电化学特性，这使它在电学、抗氧化涂层、催化领域都有广泛的应用。综述了近年来有关金属铱及其氧化铱薄膜的合成与制备技术的一些最新进展。总的来看，制备方法可分为物理法和化学法。其中物理法包括溅射法、激光熔蒸法；化学法包括金属有机化学沉积法、热分解法、电化学沉积法、溶胶凝胶法等，对各种制备方法进行了评述，同时对铱及其氧化铱薄膜的应用领域进行了综述，并对今后铱及其氧化铱薄膜的制备发展趋势进行了预测。     

在SiC晶须表面化学气相沉积BN薄膜的研究

采用化学气相沉积(CVD)法在 SiC 晶须表面沉积 BN 薄膜。实验使用 NH_3-BCl_3-H_2 混合气体,总压力为1.013×10~5Pa,得出最佳沉积条件为1250℃、1h,气相组份流量分别为 D_(NH_3)=0.06dm~3/min、D_(?Cl_3)=0.01dm~3/min、D_(?)=0.02dm~3/min。电子探针确定沉积层厚度约为10nm。结果表明,BN 沉积速度随温度及气相组份流量的提高而增大。在1000℃以下动力学控制占优势,表观活化能为150kJ/mol,1250°以上则扩散控制占优势,表观活化能为10kJ/mol。     

独联体国家的难熔金属氟化物化学气相沉积技术（上）

介绍了独联体国家难熔金属氟化物化学气相沉积的工艺、设备及其产品的开发情况和研究进展。     

化学气相沉积制备SiC涂层：I.热力学研究

对化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备ＳｉＣ的热力学进行了系统研究，考察了Ｈ２－ＭＴＳ，Ａｒ－ＳｉＯ－Ｃ，Ｈ２－ＳｉＯ－ＣｘＨｙ，Ｈ２－ＳｉＨ４－ＣｘＨｙ等体系，着重研空了温度、压力、载气量和图对ＣＶＤ法制备ＳｉＣ的实验具有指导作用。     

化学气相沉积制备SiC涂层—Ⅱ.动力学研究

对Ｈ２－ＭＴＳ体系化学气相沉积制备ＳｉＣ涂层进行了实验研究。结果表明，热力学计算能够对Ｈ２－ＭＴＳ体系单相ＳｉＣ的沉积进行很好的预报。动力学实验显示：在８００￣１０００℃之间，沉积过程由化学动力学控制，此时ＭＴＳ热解为一级反应，反应活化能为１９９ｋＪ／ｍｏｌ，而在１０００￣１１５０℃之间沉积过程由扩散控制。ＸＲＤ结果显示制备的是β－ＳｉＣ，形态为球形，涂层的生长可以用三维形核生长模型来描述。     

CVD法制备高纯钛中锆杂质的热力学分析

对化学蒸汽沉积法(CVD法)制备高纯钛及制备过程中锆的行为进行热力学分析。结果表明,在钛卤化温度条件下,杂质元素Zr能够在卤化区生成ZrI2、ZrI3和ZrI4,且更倾向于生成ZrI3和ZrI4。ZrI2、ZrI3和ZrI4不能在沉积区温度下分解,高纯钛中的锆不是通过卤化裂解而是由其它途径携入的。     

热等静压(HIP)对CVDZnS光学性能的影响

对化学气相沉积(CVD)ZnS经热等静压(HIP)处理前后在光学透过率等方面的改变进行了比较分析。针对温度、原生样品厚度等因素对样品性能的影响做了详细阐述。实验表明，热等静压对原生CVDZnS光学性能有促进作用，随处理温度的升高，透过率在1010～1050℃之间出现峰值；原生样品厚度的影响不容忽视，导热均匀的薄样品晶粒均匀且尺寸较大，光学及力学性能要好于厚样品。     

CVD法制备高纯钛的工艺优化

采用正交试验研究了钛卤盐热裂解法生产高纯钛的工艺条件。结果表明,各因素对产率的影响程度依次为低温区(卤化源区)温度基底截面直径卤化剂用量高温区(热裂解区)温度。优化后的工艺参数为:卤化剂用量600g左右、基底截面直径6mm、低温区和高温区温度分别控制在200~700℃和1 100~1 300℃。在最优条件下获得的产品经电子束熔炼后,纯度可以达到99.998%。     

化学气相沉积钽的动力学

应用绝对反应速度理论和统计力学到化学气相沉积(CVD)钽上,建立了反应速度模型。实验表明,测定值与计算值间吻合较好。证实了用绝对反应速度理论建立的速度模型的正确性,而且证实了化学气相沉积钽的速度控制环节为表面化学反应。     

硅薄膜的热丝法淀积

系统地研究了热丝化学气相沉积技术中沉积气压、气体流量、钨丝温度、衬底温度对硅薄膜的结构、生长速率和光率和光电性能的影响。通过优化各工艺参数，成功地制备出光暗电导比达１０＾４的非晶硅薄膜和晶粒尺寸达微米量级的晶相良好的多晶硅薄膜。     

Nanocrystalline Diamond Films Deposited by Electron Assisted Hot Filament Chemical Vapor Deposition

Nanocrystalline diamond films were deposited on polished Si wafer surface with electron assisted hot filament chemical vapor deposition at 1 kPa gas pressure, the deposited films were characterized and observed by Raman spectrum, X-ray diffraction, atomic force microscopy and semiconductor characterization system. The results show that when 8 A bias current is applied for 5 h, the surface roughness decreases to 28.5 nm. After 6 and 8 A bias current are applied for 1 h, and the nanocrystalline films deposition continue for 4 h with 0 A bias current at 1 kPa gas pressure. The nanocrystalline diamond films with 0.5×109 and 1×1010 Ω·cm resistivity respectively are obtained. It is demonstrated that electron bombardment plays an important role of nucleation to deposit diamond films with smooth surface and high resistivity.     

Thermal Properties of Carbon-Containing Iron Ore Composite Prepared by Vapor Deposition of Tar for Limonite

Metallurgical and Materials Transactions B - The optimal conditions for preparing composites, in which tar-derived carbonaceous materials completely fill the pores in Indonesian limonite(IL), were...     

化学气相沉积耐磨涂层TiN的温度选择

化学气相沉积(CVD)TiN涂层在模具上涂复3~10μm可使模具寿命提高3~4倍。本文研究指出:沉积温度对沉积速率、涂层硬度及对基体Cr12MoV硬度和尺寸都有影响。在950~1000℃间可以得到接近化学计量的TiN,其硬度Hv₁≈20000N/mm²,基体尺寸变化在万分之五以内。     

CVD高纯钛的热力学分析

以粗钛和自制的卤化剂为原料,采用化学气相沉积法(CVD)制得高纯钛。结合热力学和晶体形核-长大理论对CVD高纯钛的反应热力学和成核热力学因素进行了分析,并依据热力学分析结果,重点归纳了温度对CVD高纯钛沉积速率的影响,并结合实验对分析结果作出优化,得出了CVD法生产高纯钛的最佳温度控制条件:碘化源区温度应控制在750~850 K,沉积区温度应控制在1350~1450 K。